【技术实现步骤摘要】
本说明书总体上涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。
技术介绍
1、寄生电感(诸如由功率转换器中的半导体器件的封装引起的寄生电感)可能会由于响应于接通或关断功率开关而增加的瞬态电压而限制功率模块的开关速度。例如，瞬态电压与电感和电流随时间的变化成比例(例如，v≈l*di/dt)。对于高速功率开关器件(诸如gan或sic器件)来说，这个问题会更加严重，因为开关速度的增加会增加电流的变化(di/dt)。
技术实现思路
1、本文描述的一个示例提供一种装置，其包括绝缘层和在绝缘层上的导电层。导电层包括多个电隔离的导电区域。第一开关在导电区域中的第一导电区域上，并且第一开关具有第一端子和第二端子。第二开关在导电区域中的第二导电区域上，并且第二开关具有第三端子和第四端子。无源部件具有第五端子和第六端子。第一端子和第三端子被耦合到第一导电区域。第四端子和第六端子被耦合到第二导电区域。第二端子和第五端子被耦合到导电区域中的第三导电区域。
2、本文描述的另一示例提供一种系统，其包括衬底和功率转换器电路。衬底包括具有平坦表面的绝缘层和在绝缘层上的导电层。导电层包括彼此电隔离的多个图案化导电区域。功率转换器电路包括第一开关和第二开关，第二开关与第一开关被串联耦合在第一电压端子和第二电压端子之间。功率转换器电路还包括无源部件，该无源部件具有第五端子和第六端子并且与第一开关和第二开关被并联耦合在第一电压端子和第二电压端子之间。第一开关被设置在导电区域中的第一导电区域上，并且第一开关具有第一端子和
3、本文描述的另一示例包括一种方法。该方法包括在导电层中形成图案化的第一导电区域、第二导电区域和第三导电区域，使得第一导电区域包围第三导电区域，并且这些导电区域彼此电隔离。导电层在绝缘衬底层上方。该方法还包括将第一开关放置在第一导电区域上，第一开关具有第一端子和第二端子以及第一控制端子。该方法还包括将第二开关放置在第二导电区域上，第二开关具有第三端子和第四端子以及第二控制端子。该方法还包括将具有第五端子和第六端子的无源部件放置在导电层上。无源部件具有主体部分，该主体部分作为跳线(jumper)在第二导电区域和第一导电区域之间的间隙的一部分上方并且在第一导电区域和第三导电区域之间的间隙的一部分上方延伸。第五端子和第六端子分别被耦合到第二导电区域和第三导电区域。该方法还包括将第一端子和第三端子耦合到第一导电区域。该方法还包括将第四端子耦合到第二导电区域，以及将第二端子耦合到第三导电区域。
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1.一种装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述导电区域中的每一个具有周边，每个导电区域的周边与所述导电区域中的至少另一个导电区域的周边间隔开一定间隙。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第三导电区域完全被所述第一导电区域包围，并且通过所述第一导电区域和所述第三导电区域之间的相应间隙与所述第一导电区域间隔开。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述无源部件是第一无源部件，所述装置包括与所述第一无源部件并联耦合在所述第二导电区域和所述第三导电区域之间的第二无源部件。
5.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一开关包括在第一管芯上实施的第一场效应晶体管即第一FET，所述第一管芯被安装在所述第一导电区域上，并且所述第二开关包括在第二管芯上实施的第二FET，所述第二管芯被安装在所述第二导电区域上，所述第一FET和所述第二FET被配置为半桥电路，其中所述第一FET是所述半桥电路的高侧FET并且所述第二FET是所述半桥电路的低侧FET，
6.根据权利要求3所述的装置，其中所述无源部件是具有主体部分的去耦电容器，所述
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一端子和所述第三端子之间的电流沿着通过所述第一导电区域的路径行进，所述路径的方向横向于所述电容器的所述主体部分延伸的方向。
8.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第一线键合件和所述第二线键合件是平行的，并且所述第三导线和所述第四导线是平行的。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一开关包括安装在所述第一导电区域上的第一晶体管管芯，并且第二开关包括安装在所述第二导电区域上的第二晶体管管芯。
11.根据权利要求10所述的装置，其中：
12.根据权利要求11所述的装置，其中所述第一FET和所述第二FET是氮化镓FET或碳化硅FET之一。
13.根据权利要求10所述的装置，其中所述导电层和所述绝缘层形成直接键合铜衬底的至少一部分，并且所述装置是片上系统即SOC。
14.一种系统，其包括：
15.根据权利要求14所述的系统，其中所述功率转换器电路具有耦合到所述第一导电区域的输出端子，所述第一开关具有第一控制端子并且所述第二开关具有第二控制端子，所述系统进一步包括：
16.根据权利要求15所述的系统，其中所述系统是包括所述衬底、所述功率转换器电路和所述功率/控制系统的片上系统即SOC。
17.根据权利要求14所述的系统，其中所述第三导电区域完全被所述第一导电区域包围，并且通过所述第一导电区域和所述第三导电区域的相应周边之间的间隙与所述第一导电区域间隔开。
18.根据权利要求17所述的系统，其中所述第一开关包括在第一管芯上实施的第一场效应晶体管即第一FET，所述第一管芯被安装在所述第一导电区域上，并且所述第二开关包括在第二管芯上实施的第二FET，所述第二管芯被安装在所述第二导电区域上，所述第一FET和所述第二FET被配置为半桥电路，其中所述第一FET是所述半桥电路的高侧FET并且所述第二FET是所述半桥电路的低侧FET，
19.根据权利要求17所述的系统，其中所述无源部件是第一电容器，所述装置包括与所述第一电容器并联耦合在所述第二导电区域和所述第三导电区域之间的第二电容器，所述第一电容器和所述第二电容器中的每一个具有主体部分，所述主体部分作为跳线在所述第二导电区域和所述第一导电区域之间的间隙的一部分上方并且在所述第一导电区域和所述第三导电区域之间的所述间隙的一部分上方延伸。
20.一种方法，其包括：
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述第一开关、所述第二开关和所述无源部件被配置为半桥，所述方法还包括将所述器件封装在封装材料中以提供集成片上系统即集成SOC。
...【技术特征摘要】
1.一种装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述导电区域中的每一个具有周边，每个导电区域的周边与所述导电区域中的至少另一个导电区域的周边间隔开一定间隙。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第三导电区域完全被所述第一导电区域包围，并且通过所述第一导电区域和所述第三导电区域之间的相应间隙与所述第一导电区域间隔开。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述无源部件是第一无源部件，所述装置包括与所述第一无源部件并联耦合在所述第二导电区域和所述第三导电区域之间的第二无源部件。
5.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一开关包括在第一管芯上实施的第一场效应晶体管即第一fet，所述第一管芯被安装在所述第一导电区域上，并且所述第二开关包括在第二管芯上实施的第二fet，所述第二管芯被安装在所述第二导电区域上，所述第一fet和所述第二fet被配置为半桥电路，其中所述第一fet是所述半桥电路的高侧fet并且所述第二fet是所述半桥电路的低侧fet，
6.根据权利要求3所述的装置，其中所述无源部件是具有主体部分的去耦电容器，所述主体部分包括所述电容器的极板，其中所述第五端子和所述第六端子在所述主体部分的相反侧上被耦合到所述电容器的相应极板，并且所述主体部分作为跳线在所述第一导电区域和所述第二导电区域之间的所述间隙的一部分上方并且在所述第一导电区域和所述第三导电区域之间的所述间隙的一部分上方延伸。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第一端子和所述第三端子之间的电流沿着通过所述第一导电区域的路径行进，所述路径的方向横向于所述电容器的所述主体部分延伸的方向。
8.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：
9.根据权利要求8所述的装置，其中所述第一线键合件和所述第二线键合件是平行的，并且所述第三导线和所述第四导线是平行的。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一开关包括安装在所述第一导电区域上的第一晶体管管芯，并且第二开关包括安装在所述第二导电区域上的第二晶体管管芯。
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【专利技术属性】
技术研发人员：KS·金，M·涩谷，J·斯特赖敦，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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