【技术实现步骤摘要】
本公开涉及功率校准适配器、测量应用系统和相应方法。
技术介绍
1、尽管可应用于任何类型的测量应用装置，但是本公开将主要结合晶片探测器来描述。
2、集成电路的开发(尤其是制造)需要在集成电路的生产过程中进行大量的测试。
3、为此，所谓的晶片探测器可用于测试相应晶片中的集成电路。然而，晶片探测器需要在复杂的校准过程中被校准，以便提供有用的测量结果。
4、因此，需要提供一种用于晶片探测器的简单校准。
技术实现思路
1、上述问题通过独立权利要求的特征解决。应当理解，可以与另一权利要求类别的从属权利要求类似地形成权利要求类别的独立权利要求。
2、因此，本申请提供了：
3、一种用于晶片探测器的功率校准适配器，包括至少一个第一焊盘(landing pad)，用于可释放地接触晶片探测器的晶片探测器尖端；以及用于该第一焊盘中的每一个的功率表接口，该功率表接口耦合到该至少一个第一焊盘并且被配置为将该至少一个第一焊盘耦合到功率测量装置。
4、此外，本申请提供了：
5、一种测量应用系统，包括根据前述权利要求中任一项的功率校准适配器；以及功率测量装置，耦合到该功率校准适配器的至少一个功率表接口，并且被配置为在晶片探测器尖端接触该功率校准适配器的相应第一焊盘时，确定被施加到晶片探测器的晶片探测器尖端的信号的信号功率。
6、此外，本申请提供了：
7、一种用于校准晶片探测器的方法，包括使该晶片探测器的至少一
8、本公开基于这样的发现，即晶片探测器的重新校准通常是使相应的生产机器停止很长一段时间的麻烦任务。
9、本公开的目的是提供一种快速重新校准晶片探测器的可能性。
10、晶片探测器是一种可以用于测试集成电路的测试设备或装置，而集成电路仍然由相应的晶片构成，即，不从晶片分离出单个集成电路。这种晶片探测器可以包括多个晶片探测器，每个晶片探测器具有至少一个晶片探测器尖端。
11、当执行集成电路的测试时，晶片探测器被移动到晶片上方的相应位置，并且晶片探测器尖端被降低到待测试的集成电路中的相应探测垫或探测点上。可以在这种集成电路上执行的可能测试之一是功率测量。然而，这种功率测量需要晶片探测器尖端的功率校准。
12、当利用晶片探测器尖端执行测试或测量时，用于校准测量或测试设置的参考平面不是由可以连接到被测器件的电缆或连接器提供的。相反，参考平面被移动到晶片探测器尖端的前面。
13、在测量期间，通过在执行测量之前利用连接到电缆或连接器的相应校准标准件执行已知校准，可以容易地考查电缆或连接器。
14、由于参考平面被移动到晶片探测器尖端的前面，因此这种具有相应校准标准件的已知校准是不适用的。为了克服这些局限，在传统的测量应用中，在没有晶片探测器的情况下对测量设置执行校准。然后，例如由晶片探测器的制造商基于为各个晶片探测器提供的标准s参数，考查晶片探测器的影响。
15、然而，这种方法不能考查晶片探测器的时变参数。这种时变参数例如可能是由探测器尖端随时间的退化或磨损以及测试设施中的环境温度或湿度的变化引起的。
16、为了克服这些局限，本公开提供了一种用于校准晶片探测器的功率校准适配器，尤其是用于校准晶片探测器的晶片探测器尖端。
17、功率校准适配器包括至少一个第一焊盘，其可以可释放地接触晶片探测器尖端并且耦合到功率表接口。应理解，可为第一焊盘中的每一者提供功率表接口。还可以通过提供比第一焊盘少的功率表接口，并且提供可以可控地将第一焊盘与相应的功率表接口耦合的相应的可控开关或耦合矩阵，为第一焊盘中的每一个提供功率表接口。
18、表述“可释放地接触”晶片探测器将被理解为包括任何类型的电接触，尤其是，晶片探测器简单地放置在或放下在相应的第一焊盘上。
19、本公开的上下文中的术语焊盘可以一般地指代单个电接触区域。作为替代，术语焊盘可以指多个电接触区域，每个电接触区域可以容纳单个晶片探测器的晶片探测器尖端。例如，这种焊盘可以包括用于接触晶片探测器的信号测量晶片探测器尖端的信号接触区域，以及用于接触晶片探测器的接地晶片探测器尖端的至少一个(尤其是两个以上)接地接触区域。这种接地接触区域通常设置在信号接触区域的两个相对侧上。
20、应当理解，功率校准适配器可以包括任何数量的第一焊盘，并且该数量的第一焊盘可以适配于相应的测试或测量应用。
21、通过经由功率表接口提供到第一焊盘的接口，可以在集成电路(即相应晶片探测器尖端)的测试期间在参考平面所在的位置处精确地执行校准测量。在实施例中，功率表接口可包括基于同轴的接口(如bnc连接器)或波导接口。
22、在根据本公开的测量应用系统中，功率表接口可以耦合到功率测量装置，该功率测量装置被配置为在晶片探测器尖端接触功率校准适配器的相应第一焊盘的同时，测量经由功率校准适配器施加到晶片探测器尖端的信号功率。然后，在被测器件上的晶片探测器尖端执行测量期间，所测量的信号功率可用于相应地校正测量，例如执行功率校准。
23、在实施例中，测量装置可以耦合到晶片探测器的晶片探测器尖端，并且可以在基于所确定的信号功率对被测器件执行测量的同时校正从晶片探测器接收的测量信号。
24、利用功率校准适配器，可以在测量应用中需要的任何时候校准晶片探测器，尤其是晶片探测器尖端。这种测量可以以全自动方式进行，例如在晶片生产装置中进行。此外，校准不依赖于为晶片探测器提供的标准s参数，而是依赖于在晶片探测器尖端上执行的实际测量。
25、因此，只要需要，例如考虑晶片探测器尖端的磨损，就可以利用功率校准适配器和测量应用系统执行实际功率校准，而不依赖于不准确的s参数。
26、由于晶片探针器尖端是直接接触的，因此功率校准适配器的尺寸将非常小，例如，类似于被测试的晶片或集成电路的尺寸。因此，在测量应用中，功率校准适配器可以容易地移动到晶片探针器尖端的位置，或者晶片探针器尖端可以移动到功率校准适配器。因此，可以在测量应用中校准晶片探测器，而无需从测量应用中移除晶片探测器尖端。
27、在实施例中，晶片探测器可以在固定位置处被定位在测量应用内。在这种应用中，功率校准适配器本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于晶片探测器(1599)的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，所述功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)包括：
2.根据权利要求1所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，还包括至少一个第二焊盘(206-1——206-n、506-1——506-8、606-1——606-7)以及耦合到所述第二焊盘(206-1——206-n、506-1——506-8、606-1——606-7)中的每一个的校准标准件(207-1——207-n、507-1——507-8、607-1——607-5、1007-1——1007-3)。
3.根据权利要求2所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，其中所述校准标准
4.根据权利要求2所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，包括所述第二焊盘(206-1——206-n、506-1——506-8、606-1——606-7)中的至少两个，其中所述校准标准件(207-1——207-n、507-1——507-8、607-1——607-5、1007-1——1007-3、1107-1——1107-4)中的单个校准标准件耦合到至少两个第二焊盘(206-1——206-n、506-1——506-8、606-1——606-7)，所述校准标准件(207-1——207-n、507-1——507-8、607-1——607-5、1007-1——1107-3、1107-1——1107-4)包括直通校准标准件和线路校准标准件中的至少一个。
5.根据前述权利要求中任一项所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，还包括至少一个载体衬底(309、909、1009、1109、1209、1309-1、1309-2)，其中至少一个第一焊盘(101-1——101-n、201-1——201-n、301、401-1——401-n、501-1——501-2、601、701、801、901、1001、1101、1201、1301)被布置在所述载体衬底(309、909、1009、1109、1209、1309-1、1309-2)中的每一个上。
6.根据权利要求5所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，还包括壳体基部(310、910、1010、1110、1210、1310)，其中所述载体衬底(309、909、1009、1109、1209、1309-1、1309-2)至少部分地布置在所述壳体基部(310、910、1010、1110、1210、1310)上。
7.根据权利要求6所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，其中所述载体衬底(309、909、1009、1109、1209、1309-1、1309-2)被固定到所述壳体基部(310、910、1010、1110、1210、1310)，尤其是通过胶合、焊接、螺纹连接和夹紧中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，其中所述载体衬底(309、909、1009、1109、1209、1309-1、1309-2)可释放地布置在所述壳体基部(310、910、1010、1110、1210、1310)上。
9.根据前述权利要求中任一项所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，包括耦合到所述至少一个第一焊盘(101-1——101-n、201-1——201-n、301、401-1...
【技术特征摘要】
1.一种用于晶片探测器(1599)的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，所述功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)包括：
2.根据权利要求1所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，还包括至少一个第二焊盘(206-1——206-n、506-1——506-8、606-1——606-7)以及耦合到所述第二焊盘(206-1——206-n、506-1——506-8、606-1——606-7)中的每一个的校准标准件(207-1——207-n、507-1——507-8、607-1——607-5、1007-1——1007-3)。
3.根据权利要求2所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，其中所述校准标准件(207-1——207-n、507-1——507-8、607-1——607-5、1007-1——1007-3、1107-1——1107-4)包括开放校准标准件、短校准标准件和匹配校准标准件中的至少一个。
4.根据权利要求2所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，包括所述第二焊盘(206-1——206-n、506-1——506-8、606-1——606-7)中的至少两个，其中所述校准标准件(207-1——207-n、507-1——507-8、607-1——607-5、1007-1——1007-3、1107-1——1107-4)中的单个校准标准件耦合到至少两个第二焊盘(206-1——206-n、506-1——506-8、606-1——606-7)，所述校准标准件(207-1——207-n、507-1——507-8、607-1——607-5、1007-1——1107-3、1107-1——1107-4)包括直通校准标准件和线路校准标准件中的至少一个。
5.根据前述权利要求中任一项所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，还包括至少一个载体衬底(309、909、1009、1109、1209、1309-1、1309-2)，其中至少一个第一焊盘(101-1——101-n、201-1——201-n、301、401-1——401-n、501-1——501-2、601、701、801、901、1001、1101、1201、1301)被布置在所述载体衬底(309、909、1009、1109、1209、1309-1、1309-2)中的每一个上。
6.根据权利要求5所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，还包括壳体基部(310、910、1010、1110、1210、1310)，其中所述载体衬底(309、909、1009、1109、1209、1309-1、1309-2)至少部分地布置在所述壳体基部(310、910、1010、1110、1210、1310)上。
7.根据权利要求6所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，其中所述载体衬底(309、909、1009、1109、1209、1309-1、1309-2)被固定到所述壳体基部(310、910、1010、1110、1210、1310)，尤其是通过胶合、焊接、螺纹连接和夹紧中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，其中所述载体衬底(309、909、1009、1109、1209、1309-1、1309-2)可释放地布置在所述壳体基部(310、910、1010、1110、1210、1310)上。
9.根据前述权利要求中任一项所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)，包括耦合到所述至少一个第一焊盘(101-1——101-n、201-1——201-n、301、401-1——401-n、501-1——501-2、601、701、801、901、1001、1101、1201、1301)的功率测量单元(412、612、712、812)。
10.根据权利要求5和权利要求6至9中任一项所述的功率校准适配器(100、200、300、400、500、600、7...
【专利技术属性】
技术研发人员：N·里德曼，A·K·布格尔，M·弗里辛格，
申请(专利权)人：罗德施瓦兹两合股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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