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本申请公开了半导体器件及其制造方法。一个示例包括一种装置(200)，其包括绝缘层(204)和在绝缘层上的导电层(206)。导电层(206)包括多个电隔离的导电区域(210、212、214)。第一开关(230)在导电区域中的第一导电区域(21...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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