半导体结构及其形成方法技术

本公开的实施例描述了具有隔离结构的半导体结构。半导体结构包括：纳米结构组，位于衬底上；栅极介电层，包裹纳米结构组；功函金属层，位于栅极介电层上和纳米结构组周围；以及隔离结构，与纳米结构组相邻并且与功函金属层接触。功函金属层的部分位于隔离结构的顶面上。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的进步，对更高的存储容量、更快的处理系统、更高的性能和更低的成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体工业继续缩小半导体器件的尺寸，诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括平面MOSFET和鳍式场效应晶体管(finFET)。这样的缩小增加了半导体制造工艺的复杂性，并且增加了半导体器件中缺陷控制的难度。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种半导体结构，包括：纳米结构组，位于衬底上；栅极介电层，包裹所述纳米结构组；功函金属层，位于所述栅极介电层上和所述纳米结构组周围；以及隔离结构，与所述纳米结构组相邻并且与所述功函金属层接触，其中，所述功函金属层的部分位于所述隔离结构的顶面上。
[0004]本申请的另一些实施例提供了一种半导体结构，包括：第一纳米结构组和第二纳米结构组，位于衬底上；栅极介电层，包裹所述第一纳米结构组和所述第二纳米结构组；第一功函金属层，位于所述栅极介电层上和所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：纳米结构组，位于衬底上；栅极介电层，包裹所述纳米结构组；功函金属层，位于所述栅极介电层上和所述纳米结构组周围；以及隔离结构，与所述纳米结构组相邻并且与所述功函金属层接触，其中，所述功函金属层的部分位于所述隔离结构的顶面上。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述隔离结构具有与所述功函金属层相邻的侧壁，并且其中，所述侧壁包括以交替配置布置的凹表面和凸表面。3.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：气隙，位于所述栅极介电层和所述隔离结构之间。4.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：介电衬垫，位于所述栅极介电层和所述隔离结构之间。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述功函金属层的额外部分位于所述栅极介电层和所述隔离结构之间。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述隔离结构的高度小于所述纳米结构组的高度。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极介电层包括位于所述隔离结构和所述纳米结构组之间的高k介电层。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述功函金属层包括围绕所述纳米结构组的四侧的第一功函金属子层和围绕所述纳米结构组的三侧的第二功函金属子层。9.一种半导体结构，包括：第一纳米结构组和第二纳米结构组，位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱龙琨，余佳霓，卢俊甫，徐崇威，黄懋霖，江国诚，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：