集成芯片制造技术

本实用新型专利技术的各种实施例是有关于一种集成芯片(IC)，所述集成芯片包括衬底。所述衬底上设置有多个粘合结构。所述粘合结构上设置有微机电系统(MEMS)结构。所述MEMS结构包括设置于空腔内的可移动器件。所述可移动器件与所述衬底之间设置有第一多个终止凸块。衬底之间设置有第一多个终止凸块。衬底之间设置有第一多个终止凸块。

【技术实现步骤摘要】
集成芯片


[0001]本技术的实施例涉及数种集成芯片。

技术介绍

[0002]微机电系统(microelectromechanical system，MEMS)是一种将微型化的机械器件及机电器件(electro
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mechanical element)整合于集成芯片(integrated chip，IC)上的技术。MEMS装置通常是使用微制造技术来制成。近年来，MEMS装置已得到广泛应用。举例而言，MEMS装置存在于手机(例如加速度计、陀螺仪、数字罗盘等)、压力传感器、微流体器件(例如阀、泵)、光学开关(例如反射镜)等中。

技术实现思路

[0003]依据本技术的一些实施例提供一种集成芯片(IC)包括衬底、多个粘合结构、微机电系统(MEMS)结构以及第一多个终止凸块。所述多个粘合结构，设置于所述衬底上。所述微机电系统(MEMS)结构设置于所述多个粘合结构上。所述微机电系统结构包括设置于空腔内的可移动器件。所述第一多个终止凸块，设置于所述可移动器件与所述衬底之间。
[0004]依据本技术的一些实施例提供一种集成芯片(IC)包括衬底、壳体结构、微机电系统(MEMS)结构以及多个上部终止凸块。所述壳体结构上覆于所述衬底上，其中在所述衬底的顶表面与所述壳体结构的下表面之间界定有空腔。所述微机电系统(MEMS)结构上覆于所述衬底上，其中所述微机电系统结构包括悬置于所述空腔中的可移动器件。所述多个上部终止凸块设置于所述微机电系统结构的顶表面与所述壳体结构的所述下表面之间，其中所述多个上部终止凸块直接上覆于所述可移动器件上。
[0005]为让本技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
[0006]当结合附图阅读以下详细说明时，会最佳地理解本技术的态样。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1示出包括多个终止凸块结构(stopper bump structure)的集成芯片(IC)的一些实施例的剖视图。
[0008]图2及图3示出图1所示IC的一些替代性实施例的剖视图。
[0009]图4及图5示出包括终止凸块(stopper bump)的IC的一些实施例的各种剖视图，所述终止凸块设置于经堆叠的IC之间。
[0010]图6及图7示出包括顶盖结构及多个终止凸块结构的IC的一些实施例的各种剖视图。
[0011]图8示出包括多个终止凸块结构的IC的一些实施例的剖视图。
[0012]图9示出包括终止凸块的IC的一些实施例的剖视图，所述终止凸块设置于经堆叠的IC之间。
[0013]图10A及图10B示出包括多个终止凸块结构的IC的一些实施例的剖视图及俯视图。
[0014]图11示出终止凸块的一些实施例的剖视图及俯视图。
[0015]图12A至图12C示出终止凸块的各种实施例的剖视图。
[0016]图13A至图13D示出终止凸块的一些实施例的各种图。
[0017]图14A至图14D示出终止凸块的一些实施例的各种图。
[0018]图15至图21示出用于形成包括多个终止凸块结构的IC的方法的一些实施例的剖视图。
[0019]图22至图24示出用于形成包括多个终止凸块结构的IC的方法的各种实施例的剖视图。
[0020]图25至图28示出用于形成包括多个终止凸块结构的IC的方法的又一些实施例的剖视图。
[0021]图29示出用于形成包括多个终止凸块结构的IC的方法的一些实施例的流程图。
[0022]图30至图36示出用于形成包括终止凸块的IC的方法的一些实施例的剖视图，所述终止凸块设置于经堆叠的IC之间。
[0023]图37至图41示出用于形成包括终止凸块的IC的方法的一些实施例的剖视图，所述终止凸块设置于经堆叠的IC之间。
[0024]图42示出用于形成包括终止凸块的IC的方法的一些实施例的流程图，所述终止凸块设置于经堆叠的IC之间。
[0025]图43至图53示出用于形成包括多个终止凸块结构的IC的方法的一些实施例的剖视图。
[0026]图54至图57示出用于形成包括多个终止凸块结构的IC的方法的一些实施例的剖视图。
[0027]图58示出用于形成包括多个终止凸块结构的IC的方法的一些实施例的流程图。
[0028]图59至图64示出用于形成包括多个终止凸块结构的IC的方法的一些实施例的剖视图。
[0029]图65至图69示出用于形成包括多个终止凸块结构的IC的方法的一些实施例的剖视图。
[0030]图70示出用于形成包括多个终止凸块结构的IC的方法的一些实施例的流程图。
具体实施方式
[0031]本技术提供用于实施本技术的不同特征的诸多不同实施例或实例。以下阐述组件及布置的具体实例以简化本技术。当然，该些仅为实例且不旨在进行限制。举例而言，以下说明中将第一特征形成于第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且亦可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、进而使得所述第一特征与所述第二特征可不直接接触的实施例。另外，本技术可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。此种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
[0032]此外，为易于说明，本文中可能使用例如“在...之下(beneath)”、“在...下方(below)”、“下部的(lower)”、“在...上方(above)”、“上部的(upper)”及类似用语等空间相对性用语来阐述图中所示的一个器件或特征与另一(其他)器件或特征的关系。所述空间相对性用语旨在除图中所绘示的定向外亦囊括装置在使用或操作中的不同定向。设备可具有其他定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中所使用的空间相对性描述语可同样据以进行解释。
[0033]集成芯片(IC)封装可包括通过粘合结构设置于衬底上的半导体管芯。壳体结构被贴合至衬底且向半导体管芯提供保护。半导体管芯可包括微机电系统(MEMS)装置，所述MEMS装置包括设置于界定于壳体结构的下表面与衬底的上表面之间的空腔中的可移动结构。在MEMS装置的操作期间，可移动结构在壳体结构的下表面与衬底的上表面之间与外部刺激(例如，运动、声波等)成比例地进行偏转。外部刺激可通过对所述偏转进行测量来量化。
[0034]在IC封装的使用期间或者在冲击测试(shock test)及/或跌落测试(drop test)期间，可能会向MEMS装置施加高的力。此可能导致可移动结构高速撞击壳体结构的下表面或衬底的上表面，从而使MEMS装置损坏。为减轻对MEMS装置的损坏，可在MEMS装置上设置终止结构(stopper structure)，并将其配置成限制可移动结构在壳体结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，其特征在于包括：衬底；多个粘合结构，设置于所述衬底上；微机电系统结构，设置于所述多个粘合结构上，其中所述微机电系统结构包括设置于空腔内的可移动器件；以及第一多个终止凸块，设置于所述可移动器件与所述衬底之间。2.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，其中所述第一多个终止凸块位于所述可移动器件的正下方。3.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，其中所述第一多个终止凸块直接接触所述衬底及所述微机电系统结构，且其中所述多个粘合结构分别环绕且接触所述第一多个终止凸块中的终止凸块。4.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，还包括：壳体结构，上覆于所述微机电系统结构上，其中所述壳体结构设置于所述衬底上且在侧向上环绕所述微机电系统结构；以及第二多个终止凸块，设置于所述壳体结构的下表面与所述微机电系统结构的顶表面之间。5.根据权利要求4所述的集成芯片，其特征在于，其中所述第一多个终止凸块直接接触所述衬底，且所述第二多个终止凸块直接接触所述微机电系统结构的所述顶表面。6.一种集成芯片，其特征在于包括：衬底；壳体结构，上覆于所述衬底上，其中在所述衬底的顶表面与所述壳体结构的下...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛威智，蔡尚颖，张贵松，郑钧文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：