形成封装件的方法以及封装件结构技术

根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括在半导体衬底上方形成多个介电层，在多个介电层中形成多个金属线和通孔，形成延伸到多个介电层中的内密封环的下部部分和外密封环的下部部分，在多个金属线和通孔上方沉积第一介电层，并且蚀刻第一介电层以形成穿透第一介电层的开口。在第一介电层被蚀刻之后，内密封环的下部部分的顶表面被暴露，并且外密封环的下部部分的整个顶表面与第一介电层的底表面接触。然后形成内密封环的上部部分以延伸到开口中并且连接内密封环的下部部分。沉积第二介电层以覆盖内密封环的上部部分。根据本申请的其他实施例，还提供了封装件结构。还提供了封装件结构。还提供了封装件结构。

【技术实现步骤摘要】
形成封装件的方法以及封装件结构


[0001]本申请的实施例涉及形成封装件的方法以及封装件结构。

技术介绍

[0002]集成电路的封装变得越来越复杂，更多的器件管芯集成在同一封装件中以实现更多的功能。例如，已经开发了集成芯片上系统(SoIC)以在同一封装件中包括多个器件管芯，诸如处理器和存储器多维数据集。SoIC可以包括使用不同技术形成的器件管芯，并且具有接合到同一器件管芯的不同功能，从而形成系统。这可以节省制造成本并实现优化的器件性能。

技术实现思路

[0003]根据本申请的一个实施例，提供了一种形成封装件的方法包括形成第一封装组件，形成第一封装组件包括在半导体衬底上方形成多个介电层；在多个介电层中形成多个金属线和通孔；形成延伸到多个介电层中的内密封环的下部部分和外密封环的下部部分；在多个金属线和通孔上方沉积第一介电层；以及蚀刻第一介电层以形成穿透第一介电层的开口，其中在蚀刻之后，暴露出内密封环的下部部分的顶表面，以及外密封环的下部部分的整个最顶表面与第一介电层的底表面接触；形成内密封环的上部部分以延伸到开口中并且以连接内密封环本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成封装件的方法，包括：形成第一封装组件，包括：在半导体衬底上方形成多个介电层；在所述多个介电层中形成多个金属线和通孔；形成延伸到所述多个介电层中的内密封环的下部部分和外密封环的下部部分；在所述多个金属线和通孔上方沉积第一介电层；以及蚀刻所述第一介电层以形成穿透所述第一介电层的开口，其中在所述蚀刻之后，暴露出所述内密封环的所述下部部分的顶表面，以及所述外密封环的所述下部部分的整个最顶表面与所述第一介电层的底表面接触；以及形成所述内密封环的上部部分以延伸到所述开口中并且以连接所述内密封环的所述下部部分；以及沉积第二介电层以覆盖所述内密封环的所述上部部分。2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一封装组件上方接合第二封装组件，其中在执行所述接合时，所述内密封环的第一最顶表面高于所述外密封环的第二最顶表面。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二封装组件通过熔合接合接合到所述第一封装组件。4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二封装组件通过混合接合接合到所述第一封装组件。5.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述内密封环的所述下部部分的所述顶表面通过所述开口显露出时，所述外密封环的所述下部部分的所述整个最顶表面没有显露出。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述内密封环的所述下部部分具有第一铝原子百分比，并且所述内密封环的所述上部部分具有高于所述第一铝原子百分比的第二铝原子百分比。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一铝原子百分比是0％，并且所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡昇翰，邱元升，许周叡，林宗澍，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：