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根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括在半导体衬底上方形成多个介电层，在多个介电层中形成多个金属线和通孔，形成延伸到多个介电层中的内密封环的下部部分和外密封环的下部部分，在多个金属线和通孔上方沉积第一介电层，并且蚀刻第一介电层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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