封装结构及其形成方法技术

一种封装结构及其形成方法，封装结构包括：第一基板，具有相对的上表面和下表面，第一基板中具有至少一个凹槽，凹槽贯穿第一基板的部分上表面；第一芯片，第一芯片贴装到凹槽一侧的第一基板的上表面，第一芯片与第一基板电连接；散热盖，包括水平散热板和凸起于水平散热板的表面的第一垂直引脚和至少一个第二垂直引脚，第二垂直引脚长度大于第一垂直引脚的长度，散热盖贴装到第一基板的上表面，第一垂直引脚的底部表面贴附在第一基板的上表面，第二垂直引脚的底端埋附在对应的凹槽中。增加散热的通道，提高散热的效率，并改善或平衡了第一基板的翘曲问题。一基板的翘曲问题。一基板的翘曲问题。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体封装领域，尤其涉及一种封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]为了实现更好的性能、保持更小的体积以及更低的功耗，现有的封装技术由早期的2D封装朝着2.5D立体封装、3D立体封装的方向发展。
[0003]作为3D立体封装中一种封装形式，PoP(Package on Package)堆叠封装通常会存在上下堆叠的上基板和下基板，在上基板和下基板上分别贴装有对应的半导体芯片。随着通信系统，人工智能等高速发展，对产品性能计算量增加，相应的高功耗半导体芯片数量也会增加以应对需求，这就给立体封装结构带来了散热问题。现有通常是在立体封装结构中的上基板表面上贴装散热片以释放高功耗的半导体芯片产生的热量，但是现有的立体封装结构仍容易产生翘曲，并且散热的效率仍有待提升。

技术实现思路

[0004]本申请一些实施例提供了一种封装结构的形成方法，包括：
[0005]提供第一基板，所述第一基板具有相对的上表面和下表面，所述第一基板中具有至少一个凹槽，所述凹槽贯穿所述第一基板的部分上表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基板，所述第一基板具有相对的上表面和下表面，所述第一基板中具有至少一个凹槽，所述凹槽贯穿所述第一基板的部分上表面；提供第一芯片；将所述第一芯片贴装到所述凹槽一侧的第一基板的上表面，所述第一芯片与所述第一基板电连接；提供散热盖，所述散热盖包括水平散热板和凸起于所述水平散热板的表面的第一垂直引脚和至少一个第二垂直引脚，所述第二垂直引脚长度大于所述第一垂直引脚的长度；将所述散热盖贴装到所述第一基板的上表面，所述散热盖的第一垂直引脚的底部表面贴附在所述第一基板的上表面，所述散热盖的第二垂直引脚的底端埋附在对应的所述凹槽中。2.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一芯片包括相对的功能面和背面，将所述第一芯片的功能面贴装到第一基板上表面，所述散热盖的水平散热板的底部表面贴附至所述第一芯片的背面。3.根据权利要求2所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述散热盖的第一垂直引脚的底部表面通过散热粘结胶贴附在所述第一基板的上表面，所述散热盖的第二垂直引脚的底端通过散热粘结胶埋附在对应的所述凹槽中，所述散热盖的水平散热板的底部表面通过散热粘结胶贴附至所述第一芯片的背面。4.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的数量为多个，多个所述凹槽分布在所述第一芯片贴装区域一侧的或周围的第一基板中；所述第二垂直引脚的数量与所述凹槽的数量相等。5.根据权利要求1至4中任一所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二垂直引脚的底端中具有内凹的至少一个凹陷；所述散热盖的第二垂直引脚的底端通过散热粘结胶埋附在对应的所述凹槽中时，所述第二垂直引脚的底端伸入所述凹槽中，所述散热粘结胶包覆所述第二垂直引脚的底端的侧壁和底部表面并填充满所述凹槽和凹陷。6.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二垂直引脚长度与所述第一垂直引脚的长度的差值等于或小于所述凹槽的深度。7.根据权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一基板中具有第一线路，第一基板的上表面和下表面分别具有与所述第一线路连接的上焊盘和下焊盘，所述凹槽暴露出部分第一线路的顶面和/或侧面表面；所述第一芯片的功能面具有凸起的第一焊接凸块，所述第一焊接凸块与所述第一基板上表面的相应的上焊盘焊接在一起。8.根据权利要求2所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一芯片的数量可以为一个或多个；当第一芯片的数量为多个时，多个所述第一芯片的厚度相同或不同；当多个所述第一芯片的厚度不同时，相应的所述散热盖的水平散热板与不同厚度的第一芯片接触区域的厚度也不同。9.根据权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：提供第二芯片，所述第二芯片包括相对的功能面和背面，所述第二芯片的功能面上具有凸起的第二焊接凸块；将所述第二芯片的功能面贴装到所述第一基板的下表面，将所述第二焊接凸块与所述第一基板下表面的相应的下焊盘焊接在一起。
10.根据权利要求7所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽暴露出的部分所述第一线路通过散热粘结胶与所述散热盖的第二垂直引脚连接。11.根据权利要求9所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一基板下表面上还形成有与所述第一基板的下表面的部分下焊盘电连接的板间连接凸块，所述第二芯片的背面具有背金层；还包括：提供第二基板，所述第二基板具有相对的上表面和下表面，所述第二基板中具有第二线路，第二基板的上表面和下表面分别具有与所述第二线路连接的上焊盘和下焊盘，所述第二基板中具有金属散热通道或贯穿所述第二基板的上表面和下表面的散热开口；将所述第二基板贴装至所述第一基板的下表面下方，所述第二基板上表面的上焊盘与所述板间连接凸块焊接在一起，所述第二基板中的金属散热通道的上表面焊接至所述第二芯片的背面的背金层，或者所述第二基板中的散热开口暴露出所述第二芯片的背面的背金层。12.根据权利要求11所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包括：提供机壳散热结构，将所述机壳散热结构贴装至所述第二基板的下表面，部分所述机壳散热结构焊接至或贴附至所述第二基板中的金属散热通道的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘硕，徐晨，邬建勇，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：