【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路封装领域，尤其涉及一种封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着人工智能、大数据等领域的快速发展和应用，目前对半导体封装的互连密度要求越来越高。因此如何提高封装互连密度，同时降低工艺难度和成本，成为了目前需要迫切解决的问题。
2、目前，在2.5d/3d封装结构中，为了实现多芯片、小尺寸及高集成度的封装，往往采用硅转接板(siinterposer)或者嵌入式多芯片互连桥(embedded multi-dieinterconnect bridge，简称emib)在垂直方向上堆叠封装。
3、硅转接板是用于实现芯片之间电气互连的硅基中介结构，通常具有垂直贯穿的硅通孔(tsv)等导电通道，以实现不同芯片在三维空间中的信号传输和电气连接。硅转接板可实现多芯片之间的高密度互连，缩短芯片间的信号传输路径，降低传输延迟，减少互连伴随的寄生电容和电感，提升封装密度，使封装结构紧凑，能满足多种封装结构的要求，适配场景广泛。但是，硅转接板与塑封材料、封装基板等材料的热膨胀系数失配，导致封装翘曲和热应力的产生，这不利...
【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述中间连接区包括沿所述第一方向设置的第一重布线层、所述中介层及第二重布线层，所述第一重布线层设置在所述芯片区上，所述对外连接区设置在所述第二重布线层上。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述功能芯片的第一导电凸块及第二导电凸块通过微凸块与所述第一重布线层电连接。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述芯片互连中介结构为桥接芯片，所述桥接芯片包括与所述第一重布线层电连接的互连层、及沿所述第一方向设置在所述互连层上的所述非硅基...
【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述中间连接区包括沿所述第一方向设置的第一重布线层、所述中介层及第二重布线层，所述第一重布线层设置在所述芯片区上，所述对外连接区设置在所述第二重布线层上。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述功能芯片的第一导电凸块及第二导电凸块通过微凸块与所述第一重布线层电连接。
4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述芯片互连中介结构为桥接芯片，所述桥接芯片包括与所述第一重布线层电连接的互连层、及沿所述第一方向设置在所述互连层上的所述非硅基底，至少两个所述功能芯片的所述第二导电凸块通过所述桥接芯片互连。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述中介层还包括第一塑封体以及导电柱，所述第一塑封体包覆所述桥接芯片的侧面，所述导电柱贯穿所述第一塑封体，且所述导电柱两端分别与所述第一重布线层及所述第二重布线层电连接，所述功能芯片的所述第一导电凸块通过所述第一重布线层、所述导电柱及所述第二重布线层与所述对外连接区电连接。
6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述桥接芯片通过微凸块与所述第一重布线层电连接。
7.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述互连层与所述第一重布线层之间设置有底部填充层。
8.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述芯片互连中介结构为转接板，所述转接板包括所述非硅基底、贯穿所述非硅基底的导电柱，所述导电柱两端分别与所述第一重布线层及所述第二重布线层电连接，至少两个所述功能芯片的所述第二导电凸块通过所述第一重布线层和/或所述第二重布线层互连，所述功能芯片的所述第一导电凸块通过所述第一重布线层、所述导电柱及所述第二重布线层与所述对外连接区电连接。
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述中介层还包括第二塑封体，所述第二塑封体包覆所述转接板的侧面。
10.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第四塑封体，所述第四塑封体包覆所述功能芯片、所述第一重布线层、所述转接板及所述第二重布线层。
11.根据权利要求1～10任意一项所述的封装结构，其特征在于，多个所述功能芯片在所述芯片区内阵列分布。
12.根据权利要求1～10任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述芯片区还包括第三塑封体，所述第三塑封体包覆所述功能芯片。
13.根据权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述功能芯片背离所述中间连接区的表面暴露于所述第三塑封体。
14.根据权利要求1～10任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述非硅基底为玻璃基底。
15.根据权利要求1～10任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述非硅基底为蓝宝石基底。
16....
【专利技术属性】
技术研发人员：徐晨，夏士伟，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。