半导体器件及其形成方法技术

根据本发明专利技术的实施例的半导体器件包括位于第一介电层中的第一导电部件和第二导电部件、位于第一介电层上方的缓冲层、位于缓冲层上方的第二介电层、延伸穿过缓冲层和第二介电层的第一底部通孔、延伸穿过缓冲层和第二介电层的第二底部通孔、设置在第一底部通孔上的第一底部电极、设置在第二底部通孔上的第二底部电极、位于第一底部电极上方的第一磁隧道结(MTJ)堆叠件、以及位于第二底部电极上方的第二MTJ堆叠件。第一MTJ堆叠件和第二MTJ堆叠件具有相同的厚度。第一MTJ堆叠件具有第一宽度并且第二MTJ堆叠件具有大于第一宽度的第二宽度。本发明专利技术的实施例还提供了形成半导体器件的方法。方法。方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路(IC)工业经历了指数级增长。IC材料和设计的技术进步产生了多代IC，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(即每芯片面积互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性。
[0003]现代电子器件包含易失性或非易失性电子存储器来存储数据。易失性存储器在通电时存储数据，而非易失性存储器在断电时能够保留存储的数据。磁阻式随机存取存储器(MRAM)是下一代非易失性存储器技术的一个有希望的候选者。MRAM器件可以进行不同的配置以满足不同的设计要求。当在单个芯片中集成和制造不同的MRAM器件时，不同的配置可能会带来挑战。因此，虽然现有的MRAM集成方案通常足以满足其预期目的，但它们并非在所有方面都是令人满意。

技术实现思路

[0004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一导电部件和第二导电部件，设置在第一介电层中；缓冲层，设置在所述第一介电层上方；第二介电层，设置在所述缓冲层上方；第一底部通孔，沿着第一方向延伸穿过所述缓冲层和所述第二介电层以耦接所述第一导电部件；第二底部通孔，沿着所述第一方向延伸穿过所述缓冲层和所述第二介电层以耦接所述第二导电部件；第一底部电极，设置在所述第一底部通孔上；第二底部电极，设置在所述第二底部通孔上；第一磁隧道结(MTJ)堆叠件，位于所述第一底部电极上方；以及第二磁隧道结堆叠件，位于所述第二底部电极上方，其中，所述第一磁隧道结堆叠件和所述第二磁隧道结堆叠件沿着所述第一方向具有相同的厚度，其中，所述第一磁隧道结堆叠件沿着垂直于所述第一方向的第二方向具有第一宽度，并且所述第二磁隧道结堆叠件沿着所述第二方向具有第二宽度，其中，所述第二宽度大于所述第一宽度。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一磁隧道结堆叠件包括：钉扎层，位于所述第一底部电极上方；隧道阻挡层，位于所述钉扎层上方；以及自由层，位于所述隧道阻挡层上方。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述钉扎层包括钴、铁、硼或铂，其中，所述隧道阻挡层包括氧化镁，其中，所述自由层包括钴、铁或硼。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一磁隧道结堆叠件还包括：维护层，位于所述自由层上方；以及覆盖层，位于所述维护层上方。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述维护层包括氧化镁，其中，所述覆盖层包括钼或钌。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一宽度在约20nm至约55nm之间，其中，所述第二宽度在约75nm至约100nm之间。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述缓冲层包括碳化硅。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电层包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王郁仁，黄胜煌，庄学理，王宏烵，王清煌，黄国峰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：