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根据本发明的实施例的半导体器件包括位于第一介电层中的第一导电部件和第二导电部件、位于第一介电层上方的缓冲层、位于缓冲层上方的第二介电层、延伸穿过缓冲层和第二介电层的第一底部通孔、延伸穿过缓冲层和第二介电层的第二底部通孔、设置在第一底部通孔上...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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