半导体装置制造方法及图纸

根据本公开的一个实施方式的半导体装置(1)包括存储元件(31)、上部电极(32)、下部电极(33)、保护膜(6)和氢气调节区域(7)。存储元件(31)嵌入在绝缘层(21)中。上部电极(32)将存储元件(31)和第一触点(4)彼此连接。下部电极(33)位于与上部电极(32)相对的位置，存储元件(31)介于下部电极(33)与上部电极(32)之间，并且下部电极(33)将存储元件(31)与第二触点(5)彼此连接。保护膜(6)覆盖除了与第一触点(4)连接的连接表面和与第二触点(5)连接的连接表面之外的包括存储元件(31)、上部电极(32)和下部电极(33)的层压体(3)的外围表面。氢气调节区域(7)嵌入在绝缘层(21)中使得绝缘层(21)内的绝缘膜(23)介于层压体(3)与氢气调节区域(7)之间；并且氢气调节区域(7)吸收氢气。并且氢气调节区域(7)吸收氢气。并且氢气调节区域(7)吸收氢气。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本公开涉及半导体装置。

技术介绍

[0002]存在一种在同一基板上针对每一个存储单元块形成具有不同特性的存储元件的方法。例如，在专利文献1中描述的方法中，首先在形成第一存储单元块的基板上的区域中形成具有第一特性的存储元件的材料膜，然后将材料膜图案化以形成具有第一特性的存储元件。
[0003]接着，在用绝缘掩模覆盖形成的存储元件之后，在形成有第二存储单元块的基板上的区域中形成具有第二特性的存储元件的材料膜，并将材料膜图案化以形成具有第二特性的存储元件。
[0004]结果，可以在同一基板上形成其中设置有具有第一特性的存储元件的第一存储单元块和其中设置有具有第二特性的存储元件的第二存储单元块。
[0005]引用列表
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：JP 2012
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14787A

技术实现思路

[0008]技术问题
[0009]然而，在上述传统技术中，需要执行等于或者大于存储元件的特性的期望数量的次数的图案化，并且因此，制造成本增加。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：存储元件，嵌入在绝缘层中；上部电极，连接所述存储元件和第一触点；下部电极，跨过所述存储元件位于与所述上部电极相对的一侧上，所述下部电极连接所述存储元件和第二触点；保护膜，覆盖包括所述存储元件、所述上部电极和所述下部电极的层压体的外围表面，所述外围表面不包括与所述第一触点的连接表面和与所述第二触点的连接表面；以及氢气调节区域，吸收氢气，所述氢气调节区域嵌入在所述绝缘层中，所述绝缘层中的绝缘膜介于所述氢气调节区域与所述层压体之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氢气调节区域设置在与在所述绝缘层中设置有所述第一触点的层相同的层中。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氢气调节区域设置在与在所述绝缘层中设置有所述层压体的层相同的层中。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：难波佑司，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：