半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括一第一介电层、该第一介电层上方的一导电层及该导电层的一第一部分上方的一第一电极。该导电层的该第一部分的一第一厚度大于该导电层的并未在该第一电极下方的一第二部分的一第二厚度。一第二厚度。一第二厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本揭露关于一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体结构用于大量电子装置，诸如移动电话、膝上型计算机、桌上型计算机、平板计算机、腕表、游戏系统以及各种其他工业、商业及消费型电子件中。半导体结构包括诸如晶体管的主动装置及诸如电阻器及电容器的被动装置。半导体结构的尺寸随着半导体配置内的元件的密度已增大而减低。

技术实现思路

[0003]根据本揭露的一些实施例，一种半导体结构包含：一第一介电层；该第一介电层上方的一导电层；及该导电层的一第一部分上方的一第一电极，其中该导电层的该第一部分的一第一厚度大于该导电层的并未在该第一电极下方的一第二部分的一第二厚度。
[0004]根据本揭露的一些实施例，一种用于制造半导体结构的方法包含以下步骤：形成包含一第一介电层的一接线及在该第一介电层上方的一导电层，其中该导电层在一第一末端与一第二末端之间延伸；减小该导电层在该第一末端与该第二末端之间的一部分的一厚度；及在该导电层的该第一末端上方形成一第一电极，其中该导电层在该第一末端与该第二末端之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一第一介电层；该第一介电层上方的一导电层；及该导电层的一第一部分上方的一第一电极，其中：该导电层的该第一部分的一第一厚度大于该导电层的并未在该第一电极下方的一第二部分的一第二厚度。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：该导电层的一第三部分上方的一第二电极，其中：该导电层的该第三部分的一第三厚度大于该导电层的该第二部分的该第二厚度，且该导电层的该第二部分并非在该第二电极下方。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包含以下各者中的至少一者：相邻于该第一电极的一第一侧壁间隔物或相邻于该第二电极的一第二侧壁间隔物。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：该导电层的该第二部分上方的一第二介电层，其中：该第二介电层的一材料包含该导电层的一材料的一氧化物。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包含：该导电层的一第三部分上方的一第二电极；及一第三介电层，该第三介电层是在该第二介电层上方且在该第一电极与该第二电极之间。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：该第一介电层包含一高k介电质材料。7.一种用于制造半导体结构的方法，其特征在于，包含：形成包含一第一介电层的一接线及在该第一介电层上方的一导电层，其中该导电层在一第一末端与一第二末端之间延伸；减小该导电层在该第一末端与该第二末端之间的一部分的一厚度；及在该导电层的该第一末端上方形成一第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：高境鸿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：