半导体结构及其制造方法技术

一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括一第一介电层、该第一介电层上方的一导电层及该导电层的一第一部分上方的一第一电极。该导电层的该第一部分的一第一厚度大于该导电层的并未在该第一电极下方的一第二部分的一第二厚度。一第二厚度。一第二厚度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本揭露关于一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体结构用于大量电子装置，诸如移动电话、膝上型计算机、桌上型计算机、平板计算机、腕表、游戏系统以及各种其他工业、商业及消费型电子件中。半导体结构包括诸如晶体管的主动装置及诸如电阻器及电容器的被动装置。半导体结构的尺寸随着半导体配置内的元件的密度已增大而减低。

技术实现思路

[0003]根据本揭露的一些实施例，一种半导体结构包含：一第一介电层；该第一介电层上方的一导电层；及该导电层的一第一部分上方的一第一电极，其中该导电层的该第一部分的一第一厚度大于该导电层的并未在该第一电极下方的一第二部分的一第二厚度。
[0004]根据本揭露的一些实施例，一种用于制造半导体结构的方法包含以下步骤：形成包含一第一介电层的一接线及在该第一介电层上方的一导电层，其中该导电层在一第一末端与一第二末端之间延伸；减小该导电层在该第一末端与该第二末端之间的一部分的一厚度；及在该导电层的该第一末端上方形成一第一电极，其中该导电层在该第一末端与该第二末端之间的该部分的一第一厚度小于在该第一电极下方的该导电层的该第一末端的一第二厚度。
[0005]根据本揭露的一些实施例，一种用于制造半导体结构的方法包含以下步骤：形成包含一第一介电层的一接线、该第一介电层上方的一导电层及在该导电层上方的一牺牲层，其中该导电层在一第一末端与一第二末端之间延伸；移除该导电层上方的该牺牲层的一部分以界定该牺牲层在该导电层的该第一末端上方的一第一末端部分及该牺牲层在该导电层的该第二末端上方的一第二末端部分；减小该导电层在该第一末端与该第二末端之间的一部分的一厚度；形成一第二介电层在该牺牲层的该第一末端部分与该牺牲层的该第二末端部分之间的该导电层的该部分上方；移除该牺牲层的该第一末端部分以界定暴露该导电层的该第一末端的一第一空腔；移除该牺牲层的该第二末端部分以界定暴露该导电层的该第二末端的一第二空腔；在该第一空腔中形成一第一电极；及在该第二空腔中形成一第二电极，其中在减小该导电层的该部分的该厚度之后，该导电层的该部分的一第一厚度小于该导电层的在该第一电极或该第二电极中的至少一者下方的一第二厚度。
附图说明
[0006]本揭露的态样在与随附附图一起研读时自以下详细描述内容来最佳地理解。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，各种特征的尺寸可为了论述清楚经任意地增大或减小。
[0007]图1至图11为根据一些实施例的各种制造阶段的半导体结构的图示；
[0008]图12至图16为根据一些实施例的各种制造阶段的半导体结构的图示；
[0009]图17至图21为根据一些实施例的各种制造阶段的半导体结构的图示。
[0010]【符号说明】
[0011]100:半导体结构
[0012]105:浅沟槽隔离(STI)结构
[0013]110:半导体层
[0014]115:主动区
[0015]120:介面
[0016]125:介电层
[0017]130:导电层
[0018]130C:部分
[0019]130E:末端
[0020]130M:介电层
[0021]135:牺牲层
[0022]135E:末端部分
[0023]140:遮罩
[0024]142:帽层
[0025]145:接线
[0026]150:侧壁间隔物
[0027]155:介电层
[0028]160:遮罩
[0029]165:空腔
[0030]170:介电层
[0031]175:电极
[0032]175C:电极空腔
[0033]180:电阻器
[0034]185:介电层
[0035]190:互连结构
[0036]190L:接线部分
[0037]190V:连通柱部分
[0038]T1:厚度
[0039]T2:厚度
[0040]T3:厚度
[0041]T4:厚度
具体实施方式
[0042]以下揭示内容提供用于实施所提供标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述元件及配置的特定实例以简化本揭露。当然，这些元件及配置仅为实例且并非意欲为限制性的。举例而言，在以下描述中第一特征于第二特征上方或上的形成可包括第一
及第二特征直接接触地形成的实施例，且亦可包括额外特征可形成于第一特征与第二特征之间使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。此外，本揭露在各种实例中可重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清楚的目的，且本身并不指明所论述的各种实施例及/或组态之间的关系。
[0043]另外，空间相对术语，诸如
“……
下面”、“下方”、“下部”、
“……
上方”、“上部”及类似者本文中可出于易于描述而使用以描述如诸图中图示的一个元素或特征与另一(些)元素或特征的关系。空间相对术语意欲涵盖装置的使用或操作中除了诸图中描绘的定向外的不同定向。设备可以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)，且本文中使用的空间相对描述词可同样经因此解译。
[0044]本申请案是关于一或多个半导体结构及/或用于制造一或多个半导体结构的一或多种方法。根据一些实施例，诸如包含一电阻器的半导体结构具有一第一介电层及该第一介电层上方的导电层。电极形成于导电层的第一部分上方。导电层的并未在电极下方的第二部分的厚度相较于导电层的在电极下方的第一部分的厚度经减小。导电层的第二部分的厚度通过实施如本文中提供的不同技术来减小。在一些实施例中，诸如蚀刻工艺的移除工艺用以移除导电层的第二部分中的至少一些且借此减小导电层的第二部分的厚度。在一些实施例中，诸如氧化工艺的改质工艺用以改质或转换导电层的第二部分中的至少一些为不同材料且借此减小导电层的第二部分的厚度。在一些实施例中，移除工艺及改质工艺两者用以减小导电层的第二部分的厚度。
[0045]电阻器的电阻与导电层的长度成比例，且与导电层的厚度成反比。电阻器的电阻随着导电层的长度增大及/或随着导电层的厚度减低而增大，且电阻器的电阻随着导电层的长度减低及/或随着导电层的厚度增大而减低。减小导电层的厚度允许电阻器的电阻在不必增大导电层的长度的情况下增大，及/或允许导电层的长度在不减低电阻器的电阻情况下减低。维持或减轻导电层的长度允许电阻器的占地面积被维持或减小，同时亦增大或维持电阻器的电阻。具有较小或减小的占地面积同时维持或增大电阻器的电阻为所要的以增大有价值半导体资产的单位面积的装置的封装密度。
[0046]图1至图11图示根据一些实施例的各种制造阶段的半导体结构100。图1至图11图示根据一些实施例的用以减小导电层的厚度的诸如蚀刻工艺的移除工艺的实施。图1至图11包括在对应于电阻器的轴向长度的方向上截取的待形成于半导体结构100中的电阻器的轴向长度视图及通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一第一介电层；该第一介电层上方的一导电层；及该导电层的一第一部分上方的一第一电极，其中：该导电层的该第一部分的一第一厚度大于该导电层的并未在该第一电极下方的一第二部分的一第二厚度。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：该导电层的一第三部分上方的一第二电极，其中：该导电层的该第三部分的一第三厚度大于该导电层的该第二部分的该第二厚度，且该导电层的该第二部分并非在该第二电极下方。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包含以下各者中的至少一者：相邻于该第一电极的一第一侧壁间隔物或相邻于该第二电极的一第二侧壁间隔物。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：该导电层的该第二部分上方的一第二介电层，其中：该第二介电层的一材料包含该导电层的一材料的一氧化物。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包含：该导电层的一第三部分上方的一第二电极；及一第三介电层，该第三介电层是在该第二介电层上方且在该第一电极与该第二电极之间。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：该第一介电层包含一高k介电质材料。7.一种用于制造半导体结构的方法，其特征在于，包含：形成包含一第一介电层的一接线及在该第一介电层上方的一导电层，其中该导电层在一第一末端与一第二末端之间延伸；减小该导电层在该第一末端与该第二末端之间的一部分的一厚度；及在该导电层的该第一末端上方形成一第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：高境鸿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：