MRAM器件及其形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种MRAM器件，包括：第一介电层，位于衬底上方且具有第一开口；第二介电层，位于第一介电层上方并且具有第二开口；可变电阻存储单元，包括第一电极、第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的磁性隧道结层，第一电极位于第一开口中且具有矩形截面，第一电极的顶面与磁性隧道结层的底面接触，第二电极和磁性隧道结层位于第二开口中；磁性隧道结层具有U

【技术实现步骤摘要】
MRAM器件及其形成方法
[0001]分案申请
[0002]本申请是2017年03月20日提交的标题为“MRAM器件及其形成方法”、专利申请号为201710167690.3的分案申请。


[0003]本专利技术实施例涉及MRAM器件及其形成方法。

技术介绍

[0004]在用于电子应用的集成电路中使用半导体存储器，例如，电子应用包括收音机、电视机、移动电话，以及个人计算设备。一种类型的半导体存储器件包括自旋电子，自旋电子结合了半导体技术和磁性材料以及器件。电子通过它们的磁矩而不是电子的电荷自旋，自旋电子用于表示位。
[0005]这样的自旋电子器件是磁阻式随机存取存储器(MRAM)阵列，磁性随机存取存储器(MRAM)阵列包括在不同方向中定位(例如，在不同的金属层中互相垂直)的导电线(字线和位线)。导线间夹着磁隧道结(MTJ)，磁隧道结(MTJ)用作磁性存储单元。已经实施针对MRAM的构造和材料的各种技术，以进行尝试同时进一步提高器件性能。
技术实现思路

[0006]根据本专利技术的一些实施例，提供了一种磁阻式随机存取存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁阻式随机存取存储器(MRAM)器件，包括：第一介电层，位于衬底上方且具有第一开口；第二介电层，位于所述第一介电层上方并且具有第二开口；可变电阻存储单元，包括第一电极、第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的磁性隧道结层，其中，所述第一电极位于所述第一开口中且具有矩形截面，所述第一电极的顶面与所述磁性隧道结层的底面接触，所述第二电极和所述磁性隧道结层位于所述第二开口中；其中，所述磁性隧道结层具有U
‑
形状截面并且包围所述第二电极的侧壁和底面；其中，所述第二电极的顶面与所述第二介电层的顶面共面；以及其中，所述第二介电层包括蚀刻停止层和位于所述蚀刻停止层上方的中间层，其中，所述第一电极的外围宽度小于或等于所述磁性隧道结层的U
‑
形状截面的外围宽度。2.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述第一电极的顶面与所述第一介电层的顶面共面。3.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述磁性隧道结层，位于所述第二开口的侧壁和底部上。4.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，每个所述第一电极和所述第二电极包括Pt、Al、Cu、AlCu、Au、Ti、TiN、Ta、TaN、W、WN或它们的组合。5.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述磁性隧道结层包括固定层、自由层以及位于所述固定层和所述自由层之间的隧道层，所述固定层具有固定磁极，并且所述自由层具有可变磁极。6.根据权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器器件，其中，所述可变电阻存储单元的所述第一电极包括金属线、金属插塞、金属栅极、多晶硅栅极、硅化物层和掺杂层的至少一个。7.根据权利要求1所述的磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫竣杰，郭仕奇，李宗宪，翁武安，林重佑，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：