半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构，包含一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction，MTJ)，堆叠结构设于一基底上，一自旋轨道转矩式(spin orbit torque，SOT)层设于该MTJ堆叠结构上，其中该SOT层包含有一厚度较厚的第一部分以及两厚度较薄的第二部分。厚度较薄的第二部分。厚度较薄的第二部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种制作半导体元件，特别是涉及一种制作磁阻式随机存取存储器(magnetoresistive random access memory,MRAM)元件的方法。

技术介绍

[0002]已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。
[0003]上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electronic compass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包含:磁性隧穿结(magnetic tunneling junction，MTJ)堆叠结构，设于基底上；自旋轨道转矩式(spin orbit torque，SOT)层，设于该MTJ堆叠结构上，其中该SOT层包含有一厚度较厚的第一部分以及两个厚度较薄的第二部分。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一部分位于该MTJ堆叠结构的正上方，该两个第二部分不位于该MTJ堆叠结构的正上方。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该SOT层的材质包含钨。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含有:第一金属间介电层，设于该基底上，以及第一金属内连线，设于该第一金属间介电层内，其中该MTJ堆叠结构设于该第一金属内连线上。5.如权利要求1所述的半导体结构，其中还包含有遮盖层，设于该MTJ堆叠结构旁，其中该SOT层的该两个第二部分覆盖于该遮盖层的顶面。6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该遮盖层的顶面低于该SOT层的顶面。7.如权利要求1所述的半导体结构，其中该SOT层的该第一部分与该两第二部分的顶面相互切齐。8.一种半导体结构，包含:磁性隧穿结(magnetic tunneling junction，MTJ)堆叠结构，设于基底上；第一自旋轨道转矩式(spin orbit torque，SOT)层，设于该MTJ堆叠结构上；金属层，位于该第一SOT层上；以及第二自旋轨道转矩式(spin orbit torque，SOT)层，位于该金属层上。9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第二SOT层的宽度大于该第一SOT层的宽度。10.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第一SOT层与该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宏展，王裕平，林建廷，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：