发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种发光器件及其制备方法、显示装置，所述发光器件包括相对设置的阳极和阴极，以及设置于阳极与阴极之间的发光层，发光层设置在阳极与阴极之间，发光层的材料包括第一量子点和第二量子点，第一量子点的表面具有第一配体，第二量子点的表面具有第二配体，第一配体含有芳基或杂芳基，第二配体不含有芳基或杂芳基；其中，发光层中沿阴极朝向阳极的方向，第一量子点的含量逐渐增大，第二量子点的含量逐渐减小。由此，发光层中沿阴极朝向阳极的方向，以使发光层靠近阳极一侧的载流子迁移率高于发光层靠近阴极一侧的载流子迁移率，从而促进发光器件的电子

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]发光器件包括但不限于有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光区，空穴从器件的阳极注入至发光区，电子和空穴在发光区复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。QLED是基于量子点(Quantum Dot,QD)作为发光材料的发光器件，因量子点具有发光光谱半峰宽较窄、色纯度高、光稳定性好、激发光谱宽、发射光谱可控等特点，使得QLED成为当前最具潜力的新型发光器件。
[0003]在QLED中，由于量子点本身是N型半导体，所以对电子的传导能力远远强于对空穴的传导能力，使得QLED的空穴注入水平低于电子注入水平，导致QLED出现电子
‑
空穴传输失衡的问题，影响QLED本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：相对设置的阳极和阴极；发光层，所述发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，所述发光层的材料包括第一量子点和第二量子点，所述第一量子点的表面具有第一配体，所述第二量子点的表面具有第二配体，所述第一配体含有芳基或杂芳基，所述第二配体不含有芳基或杂芳基；其中，所述发光层中沿所述阴极朝向所述阳极的方向，所述第一量子点的含量逐渐增大，所述第二量子点的含量逐渐减小。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一量子点与所述第二量子点相同。3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一量子点和所述第二量子点彼此独立地选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种；其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe以及HgZnSTe中的至少一种；所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs以及InAlPSb中的至少一种；所述IV
‑
VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe中的至少一种；所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一配体选自包含芳基且碳原子数不小于8的胺类配体、包含杂芳基且碳原子数不小于8的胺类配体、包含芳基且碳原子数不小于8的羧酸配体、包含杂芳基且碳原子数不小于8的羧酸配体、包含芳基且碳原子数不小于8的硫醇配体、以及包含杂芳基且碳原子数不小于8的硫醇配体中的至少一种。5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述第一配体选自3
‑
苯基
‑2‑
丙烯
‑1‑
胺、2
‑
苯乙硫醇以及3
‑
苯丙酸中的至少一种。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二配体选自碳链长度不小于8且不包含芳基的胺类配体、碳链长度不小于8且不包含杂芳基的胺类配体、碳链长度不小于8且不包含芳基的羧酸配体、碳链长度不小于8且不包含杂芳基的羧酸配体、碳链长度不小于8且不包含芳基的硫醇配体、碳链长度不小于8且不包含杂芳基的硫醇配体、碳链长度不小于8且不包含芳基的磷酸配体，以及碳链长度不小于8且不包含杂芳基的磷酸配体中的至少一种。7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第二配体选自油胺、十八烯、三正辛基氧膦以及十八胺中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一配体为3
‑
苯基
‑2‑
丙烯
‑1‑
胺，且所述第二配体为油酸；或者，所述第一配体为3
‑
苯丙酸，且所述第二配体为十八烯；或者，所述第一配体为2
‑
苯乙硫醇，且所述第二配体为三正辛基氧膦。9.根据权利要求1至8任一项中所述的发光器件，其特征在于，所述发光层包括：第一发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及第二发光层，设置于所述第一发光层与所述阴极之间；其中，所述第一发光层的材料为第一量子点，且所述第二发光层的材料为第二量子点。10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述第二发光层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：王华民，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：