光电器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种光电器件及其制备方法、显示装置，所述光电器件包括层叠设置的阳极、发光层、电子传输层及阴极，发光层和电子传输层之间还设置有热电材料层，其中所述热电材料层的材料包括热电材料；所述热电材料包括碲化铋基化合物、硒化铋基化合物、硒化锡基化合物、碲化锑基化合物或者硅锗合金无机热电材料、C

【技术实现步骤摘要】
光电器件及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种光电器件及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]电致发光器件属于光电器件，电致发光器件是指施加电场时会发光的电子器件，电致发光器件包括但不限于是有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)。QLED具有窄的FWHM(半高峰宽)、颜色可调和可溶液法制备等优异的特点使其成为了下一代显示科技的候选。因此不同的研究者从不同的角度来来研究QLED，其中包括量子点、空穴传输、电子传输和电极的研究，还有对器件的结构、性能和稳定性的研究，使得器件的性能在逐渐的提高。
[0003]目前全溶液法制备的QLED的电子传输层主要采用ZnO纳米材料作为电子传输层，ZnO具有高的载流子迁移率，以及较深的价带位置。研究发现，由于器件中使用电子传输层与量子点发光层之间的导带位置相近，容易发生自发的电荷转移以及界面缺陷态，造成量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电器件，包括层叠设置的阳极、发光层、电子传输层及阴极，其特征在于，所述发光层和电子传输层之间还设置有热电材料层，其中所述热电材料层的材料包括热电材料。2.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述热电材料的热导率在5
‑
8.6W/mK范围内，所述热电材料的电导率在300
‑
500S/cm范围内。3.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述热电材料包括碲化铋基化合物、硒化铋基化合物、硒化锡基化合物、碲化锑基化合物或者硅锗合金中的至少一种的无机热电材料、C
60
/TiS2有机
‑
无机热电材料或硼氮配位键n
‑
型稠环分子有机热电材料。4.根据权利要求2所述的光电器件，其特征在于，所述热电材料包括n型Bi2Te
2.7
Se
0.3
、n型Bi2Te3‑
SWCNT以及n型Sn
0.94
Bi
0.06
Se中的至少一种。5.根据权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述热电材料层的厚度在10
‑
25nm范围内。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的光电器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括ZnO或ZnMgO中的至少一种；和/或，所述发光层为量子点发光层，所述发光层的材料为量子点，所述量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种；所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSe Te、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP中的至少一种；所述I
‑...

【专利技术属性】
技术研发人员：周娟，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：