一种基于超高功函数导电材料的QLEDs器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种基于超高功函数导电材料的QLEDs器件及其制备方法，属于发光二极管技术领域，包括所述QLEDs器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃，空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、ZnMgO电子传输层以及金属阴极。本发明专利技术通过对有机材料半导体材料进行p型重掺杂得到超高功函数导电材料，并将其作为QLEDs的空穴注入层材料，构筑具有欧姆接触特性的空穴注入层/空穴传输层界面，大幅提高空穴注入效率以平衡器件中的载流子，最终实现高效、稳定的QLEDs器件。QLEDs器件。QLEDs器件。

【技术实现步骤摘要】
一种基于超高功函数导电材料的QLEDs器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于发光二极管
，具体涉及一种基于超高功函数导电材料的QLEDs器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]目前QLEDs因其优异的发光性能有望成为下一代照明和显示领域的代表。经过相关学者的不懈努力，目前红、绿色发光器件的性能基本满足商业应用标准。尽管蓝光QLEDs的效率已经超过20％，但其工作寿命仍然滞后于红、绿光器件。造成蓝光QLEDs工作寿命低的主要原因之一是器件内空穴注入效率低造成的电荷不平衡，由此会进一步造成量子点发光层内非辐射复合过程的发生，影响器件效率和工作寿命等性能。
[0003]目前QLEDs器件中广泛采用导电材料聚(3,4
‑
亚乙二氧基噻吩)
‑
聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)作为空穴注入层，其功函数范围为4.9
‑
5.1eV。由于PEDOT:PSS与相邻的空穴传输层的最高占据分子轨道(HOMO，一般大于5.3eV)之间存在较大的界面势垒，因此，限制了空穴的高效注入。尽管可以通过在空穴注入层和空穴传输层之间引入全氟离子交联材料，以提高空穴注入层的功函数，但是该方案增加了器件的内阻，牺牲了器件的亮度等性能。此外，有报道利用具有较深导带位置的MoO3作为空穴注入层以促进空穴注入，然而MoO3薄膜需要通过热蒸镀法制备，同时该材料接触空气后，其功函数会大幅度降低，进而失去空穴注入能力。所以，如何提高空穴注入层的空穴注入能力对提高QLEDs性能仍是一个挑战，现在提出一种提高空穴注入层材料的功函数，构筑具有欧姆接触特性的空穴注入层/空穴传输层界面，提高QLEDs中空穴注入能力。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种基于超高功函数导电材料的QLEDs器件及其制备方法。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0006]一种量子点发光二极管器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃、超高功函数导电材料空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、ZnMgO电子传输层和金属阴极。
[0007]进一步的，所述ITO导电玻璃的厚度为50
‑
200nm，超高功函数导电材料空穴注入层的厚度为1
‑
100nm，空穴传输层的厚度为1
‑
100nm，量子点层的厚度为1
‑
100nm，ZnMgO电子传输层的厚度为1～100nm，所述金属阴极的厚度为50～300nm。
[0008]上述量子点发光二极管器件的制备方法，包含以下步骤：
[0009]依次采用去离子水、丙酮、异丙醇，在20
‑
40℃超声清洗机中清洗ITO导电玻璃5
‑
20min；
[0010]使用氮气或者氩气枪，将清洗后的ITO导电玻璃表面残留的溶剂吹干，并放置在紫外
‑
臭氧清洗机中处理15
‑
45min；
[0011]取出处理过的ITO导电玻璃，旋涂30
‑
150uL、浓度为1
‑
10mmolL
‑1的超高功函数导电
材料溶液；
[0012]取30
‑
150uL、浓度为5
‑
20mgmL
‑1的空穴传输层溶液，旋涂在上述所得样品上，在80
‑
130℃下，退火5
‑
15min；
[0013]取30
‑
150uL、浓度为5
‑
25mgmL
‑1的量子点溶液，旋涂在上述所得样品上，在80
‑
110℃下，退火5
‑
15min；
[0014]取30
‑
150uL、浓度为10
‑
50mgmL
‑1的ZnMgO纳米颗粒溶液，旋涂在上述所得样品上，在80
‑
110℃下，退火5
‑
10min；
[0015]最后将所得样品固定于掩膜板上，抽真空至10
‑5‑
10
‑4Pa，蒸镀金属阴极，制得所述以超高功函数导电材料为空穴注入层的QLEDs器件。
[0016]进一步的，所述超高功函数导电材料的制备包含以下步骤：
[0017]称量适量的待掺杂的前体材料，并装于小玻璃瓶中，在手套箱中的热台上加热除水，加热温度为100
‑
130℃，时间为1
‑
3h；
[0018]用少量乙腈、甲酰胺和甲醇任意一种溶剂将前体材料完全溶解；
[0019]将0.7
‑
1.0倍当量的六氟锑酸亚硝、四[3,5
‑
双(三氟甲基)苯基]硼酸钠、三氯化铁、质子离子液体、三
‑
[1,2
‑
双(三氟甲基)乙烷
‑
1,2
‑
二噻吩]钼中的任意一种p掺杂剂溶于乙腈、甲酰胺或甲醇中，配成浓度为5
‑
30mmolL
‑1的溶液；
[0020]在搅拌条件下，将p掺杂剂滴加至前体溶液中，实现p掺杂过程；
[0021]再向获得的溶液中加入3
‑
6倍体积比的碳酸二甲酯、硫酸二甲酯、乙酸乙酯、乙酸甲酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯中任一酯类溶剂中，析出沉淀后，进行离心操作，倒去上层溶液，再加入乙腈、甲酰胺和甲醇任意一种溶剂溶解，重复此操作2
‑
4次。最终溶于乙腈、甲酰胺和甲醇任意一种溶剂中，得到超高功函数导电材料溶液。
[0022]本专利技术的有益效果：
[0023]1、与未采用超高功函数导电材料作为空穴注入层的QLEDs相比，本专利技术中的QLEDs其空穴电流得到提升，表明空穴注入效率大幅提高；
[0024]2.与未采用超高功函数导电材料作为空穴注入层的QLEDs相比，采用超高功函数导电材料作为空穴注入层可以降低QLEDs中非辐射复合过程，提高器件的外量子效率。
[0025]3、与未采用超高功函数导电材料作为空穴注入层的QLEDs相比，本专利技术中的QLEDs的寿命得到了大幅提升。
[0026]4.本专利技术中运用的超高功函数导电材料具有明显的抗水氧稳定性，与PEDOT:PSS相比，不具备酸性，因此能更好地保护ITO电极，保证器件的稳定性。
[0027]5.该方案实验重复性好，易于实现大规模生产和商业化应用。此外，由于溶解超高功函数导电材料的溶剂为极性较大的有机溶剂，在旋涂该溶液时，不会破坏下层的量子点膜或有机聚合物膜。因此，在倒置结构量子点发光二极管和有机聚合物发光二极管也能较好利用。该方法对其他光电转化器件的研究也提供了新思路。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于超高功函数导电材料的QLEDs器件，其特征在于，自下而上依次包括ITO导电玻璃(1)、超高功函数导电聚合空穴注入层(2)、空穴传输层(3)、量子点发光层(4)、ZnMgO电子传输层(5)和金属阴极(6)；其中所述超高功函数导电聚合空穴注入层(2)内采用超高功函数导电材料作为空穴注入层。2.根据权利要求1所述的一种基于超高功函数导电材料的QLEDs器件，其特征在于，所述ITO导电玻璃(1)的厚度为50
‑
200nm，超高功函数导电材料空穴注入层(2)的厚度为1
‑
100nm，空穴传输层的厚度为1
‑
100nm，量子点发光层(3)的厚度为1
‑
100nm，ZnMgO电子传输层(5)的厚度为1
‑
100nm，金属阴极(6)的厚度为50
‑
300nm。3.权利要求1所述的一种基于超高功函数导电材料的QLEDs器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：取ITO导电玻璃，清洗消毒后，取处理过的ITO导电玻璃，表面旋涂超高功函数导电材料溶液后；再依次将空穴传输层溶液、量子点溶液、ZnMgO纳米颗粒溶液，旋涂在所得样品上，退火；最后所得样品抽真空，并蒸镀金属阴极，制得基于超高功函数导电材料空穴注入层的QLEDs器件。4.根据权利要求3所述的一种基于超高功函数导电材料的QLEDs器件的制备方法，其特征在于，所述超高功函数导电材料溶液的制备包括以下步骤：称量前体材料并容器中，加热除水，用少量乙腈、甲酰胺和甲醇任意一种溶剂将前体材料完全溶解；将p掺杂剂溶于乙腈、甲酰胺和甲醇任意一种溶剂中，配成浓度为5
‑
30mmol L
‑1的p掺杂剂溶液；将p掺杂剂滴加至前体溶液中，实现p型重掺杂过程，并在溶液中加入3
‑
6倍体积比的酯类溶剂，析出沉淀后，进行离心操作，倒去上层溶液，再加入乙腈、甲酰胺和甲醇任意一种溶剂溶解，重复此操作，直至最终溶于乙腈、甲酰胺和甲醇任意一种溶剂中，得到超高功函数导电材料溶液。5.根据权利要求3所述的一种量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层溶液为聚[(9,9
‑
二正辛基芴基
‑
2,7
‑
二基)
‑
alt
‑
(4,4
′‑
(N
‑
(4
‑
正丁基)苯基)
‑
二苯胺)]、聚[(9,9
‑
二正辛基芴基
‑
2,7
‑
二基)
‑
alt
‑
(4,4
′‑
(N
‑
(3
‑
三氟甲基)苯基)
‑
二苯胺)]、聚(9
‑
乙烯基咔唑)、聚[N,N...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪丽茜，毛磊，潘江涌，王柄淇，黄昱凌，赵学亮，
申请(专利权)人：南京信息工程大学，
类型：发明
国别省市：