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本发明公开一种基于超高功函数导电材料的QLEDs器件及其制备方法，属于发光二极管技术领域，包括所述QLEDs器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃，空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、ZnMgO电子传输层以及金属阴极。本发明通过对有机材料半...
该专利属于南京信息工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京信息工程大学授权不得商用。

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