发光器件、显示面板、显示装置和发光器件的制作方法制造方法及图纸

本公开提供一种发光器件、显示面板、显示装置和发光器件的制作方法。所述发光器件包括：第一膜层，所述第一膜层位于所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧，所述第一膜层包括：中间部，以及包围所述中间部的边缘部，其中，所述中间部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第一距离，所述边缘部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同；发光结构，所述发光结构位于所述第一膜层背离所述第一电极层的一侧，所述发光结构包括有机发光层以及平坦部，所述平坦部位于所述第一距离、所述第二距离中较小一者所在的区域，且与接触的膜层能级匹配。膜层能级匹配。膜层能级匹配。

【技术实现步骤摘要】
发光器件、显示面板、显示装置和发光器件的制作方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种发光器件、显示面板、显示装置和发光器件的制作方法。

技术介绍

[0002]量子点发光(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)器件结构具有色域广，功耗低等优点，被认为是下一代显示器件最佳的结构。QLED器件有两种发光方式，一种是光致发光结构，一种是电致发光结构。光致发光结构相对简单，但是材料中还有散射粒子，工艺难度大，而且需要背光源。电致发光器件结构相对复杂，而且，目前的材料成熟度低，器件性能不稳定。与之相对，有机电激光显示(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)已经稳步进入量产阶段，而且效率较高，色域相对于QD稍差。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供一种发光器件，其中，包括：
[0004]衬底基板；
[0005]第一电极层，所述第一电极层位于所述衬底基板的一侧；
[0006]第一膜层，所述第一膜层位于所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其中，包括：衬底基板；第一电极层，所述第一电极层位于所述衬底基板的一侧；第一膜层，所述第一膜层位于所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧，所述第一膜层包括：中间部，以及包围所述中间部的边缘部，其中，所述中间部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第一距离，所述边缘部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第二距离，所述第一距离与所述第二距离不同；发光结构，所述发光结构位于所述第一膜层背离所述第一电极层的一侧，所述发光结构包括有机发光层以及平坦部，所述平坦部位于所述第一距离、所述第二距离中较小一者所在的区域，且与接触的膜层能级匹配，以经所述平坦部填充后，所述发光结构背离所述第一膜层的表面与所述衬底基板之间的膜厚一致；第二电极层，所述第二电极层位于所述发光结构背离所述第一膜层的一侧。2.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述平坦部的材料为量子点。3.如权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第一距离大于所述第二距离，所述平坦部在所述衬底基板的正投影与所述边缘部在所述衬底基板的正投影大致重合。4.如权利要求3所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括具有第一开口的第一像素限定层，以及位于所述第一像素限定层背离所述衬底基板一侧具有第二开口的第二像素限定层，所述第二开口在所述衬底基板的正投影与所述第一开口在所述衬底基板的正投影至少部分重叠；所述第一像素限定层对乙二醇，取代多环芳香碳氢化合物，二乙二醇，三乙二醇二甲醚，庚烷，甲苯，或异丙醇具有亲液性；所述第二像素限定层对乙二醇，取代多环芳香碳氢化合物，二乙二醇，三乙二醇二甲醚，庚烷，甲苯，或异丙醇具有疏液性。5.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一距离小于所述第二距离，所述平坦部在所述衬底基板的正投影与所述中间部在所述衬底基板的正投影大致重合。6.如权利要求5所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括具有第三开口的第三像素限定层；所述第三像素限定层对乙二醇，取代多环芳香碳氢化合物，二乙二醇，三乙二醇二甲醚，庚烷，甲苯，或异丙醇具有输液性；所述第一膜层中与所述平坦部接触的膜层对乙二醇，取代多环芳香碳氢化合物，二乙二醇，三乙二醇二甲醚，庚烷，甲苯，或异丙醇具有疏液性。7.如权利要求1
‑
6任一项所述的发光器件，其中，所述第一电极层为阳极层，所述第二电极层为阴极层，所述第一膜层包括：空穴注入层，以及位于所述空穴注入层背离所述第一电极层一侧的空穴传输层；所述发光结构与所述第二电极层之间还具有电子传输层；所述平坦部位于所述空穴传输层与所述有机发光层之间。8.如权利要求1
‑
6任一项所述的发光器件，其中，所述第一电极层为阴极层，所述第二电极层为阳极层，所述第一膜层包括：电子注入层，以及位于所述电子注入层背离所述第一电极层一侧的电子传输层；所述发光结构与所述第二电极层之间还具有空穴传输层；所述平坦部位于所述空穴传输层与所述有机发光层之间。9.如权利要求7或8所述的发光器件，其中，所述平坦部的HOMO能级位于所述空穴传输层的HOMO能级与所述有机发光层的HOMO能级之间。
10.如权利要求9所述的发光器件，其中，所述平坦部的HOMO能级范围为
‑
5.5eV～
‑
5.2eV。11.如权利要求10所述的发光器件，其中，所述平坦部的材料包括以下之一或组合：CdS；CdSe；CdTe；ZnSe；ZnTe；InP；GaP；InAs；GaAs。12.如权利要求1
‑
6任一项所述的发光器件，其中，所述第一电极层为阳极层，所述第二电极层为阴极层，所述第一膜层包括：空穴注入层，以及位于所述空穴注入层背离所述第一电极层一侧的空穴传输层；所述发光结构与所述第二电极层之间还具有电子传输层；所述平坦部位于所述电子传输层与所述有机发光层之间。13.如权利要求1
‑
6任一项所述的发光器件，其中，所述第一电极层为阴极层，所述第二电极层为阳极层，所述第一膜层包括：电子注入层，以及位于所述电子注入层背离所述第一电极层一侧的电子传输层；所述发光结构与所述第二电极层之间还具有空穴传输层；所述平坦部位于所述电子传输层与所述有机发光层之间。14.如权利要求12或13所述的发光器件，其中，所述平坦部的LUMO能级位于所述电子传输层的LUMO能级与所述有机发光层的LUMO能级之间。15.如权利要求14所述的发光器件，其中，所述平坦部的LUMO能级范围为
‑
3.3eV～
‑
2.7eV。16.如权利要求15所述的发光器件，其中，所述平坦部的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德江，李杨，黄维，卢天豪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：