一种复合薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种复合薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置。本申请的复合薄膜的材料包括纳米二氧化钛和含氟化合物。含氟化合物的添加，能够与纳米二氧化钛形成Ti

【技术实现步骤摘要】
一种复合薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种复合薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置。

技术介绍

[0002]光电器件是指根据光电效应制作的器件，其在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用，如太阳能电池、光电探测器、有机电致发光器件(OLED或量子点电致发光器件(QLED)。
[0003]传统的光电器件的结构主要包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。在电场的作用下，光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
[0004]其中，电子传输层材料多采用具有较高电子迁移率的氧化锌(ZnO)纳米粒子，有利于光电器件中电子的注入和传输。而二氧化钛(TiO2)与ZnO性质类似，有相似的光电性能，且比氧化锌ZnO具有更高的电子迁移率，也是较好的电子传输材料。但现有TiO2纳米薄膜具有较多缺陷，一定程度上影响电子传输层的载流子传输性能以及光电器件的稳定性。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请提供一种复合薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置，旨在改善现有的纳米二氧化钛电子传输层的缺陷，提高电子传输层表面平整性。
[0006]本申请实施例是这样实现的，提供一种复合薄膜，所述复合薄膜的材料包括纳米二氧化钛和含氟化合物。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，所述复合薄膜包括层叠结构的混合层和二氧化钛层，所述混合层的材料包括所述纳米二氧化钛和所述含氟化合物，所述二氧化钛层的材料包括所述纳米二氧化钛。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，在所述混合层中，从靠近所述二氧化钛层至远离所述二氧化钛层的方向上，所述含氟化合物的含量逐渐增大。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述含氟化合物在所述混合层中的质量百分比为3％
‑
20％。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述复合薄膜的材料由所述纳米二氧化钛和所述含氟化合物组成。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，在所述复合薄膜的厚度方向上，所述含氟化合物的含量逐渐降低或增大。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述含氟化合物包括锂离子。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述含氟化合物选自四氟硼酸锂、二氟草酸硼酸锂、氟化锂、九氟
‑1‑
丁烷磺酸锂、三氟甲基磺酸锂、六氟磷酸锂中的至少一种。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述二氧化钛纳米材料中，所述含氟化合物在所述二氧化钛纳米材料中的质量百分比为3％
‑
20％；和/或所述纳米二氧化钛的粒径范围为10
‑
20nm。
[0015]相应的，本申请实施例还提供一种复合薄膜的制备方法，包括如下步骤：分别提供纳米二氧化钛的溶液和含氟化合物的溶液；提供基板，将所述纳米二氧化钛的溶液设置在所述基板上，形成纳米二氧化钛湿膜；将所述含氟化合物的溶液设置在所述纳米二氧化钛湿膜上，干燥处理得到复合薄膜；或分别提供纳米二氧化钛的溶液和含氟化合物的溶液；提供基板，将所述含氟化合物的溶液设置在所述基板上，形成含氟化合物湿膜；将所述纳米二氧化钛的溶液设置在所述含氟化合物湿膜上，干燥处理得到复合薄膜。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述干燥处理的温度为60
‑
120℃。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述含氟化合物选自四氟硼酸锂、二氟草酸硼酸锂、氟化锂、九氟
‑1‑
丁烷磺酸锂、三氟甲基磺酸锂、六氟磷酸锂中的至少一种。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，在所述复合薄膜中，所述含氟化合物的质量百分比范围为3％
‑
20％；和/或所述纳米二氧化钛的粒径范围为10
‑
20nm。
[0019]相应的，本申请实施例还提供一种光电器件，包括层叠设置的阳极、发光层、电子传输层及阴极，所述电子传输层为上述复合薄膜，或者，所述电子传输层由上述复合薄膜的制备方法制得。
[0020]可选的，在本申请的一些实施例中，所述复合薄膜为层叠结构的混合层和二氧化钛层，所述混合层设置于所述二氧化钛层与所述发光层之间；或所述复合薄膜为单层膜结构，所述复合薄膜由靠近所述发光层一侧指向远离所述发光层的一侧的方向上，所述含氟化合物的含量逐渐降低。
[0021]可选的，在本申请的一些实施例中，所述混合层与所述二氧化钛层的厚度比为1:1
‑
5:1。
[0022]可选的，在本申请的一些实施例中，所述光电器件为量子点发光二极管，所述发光层的材料包括II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种；所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe以及CdZnSTe中的至少一种；所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP以及InAlNP；所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种。
[0023]相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述光电器件。
[0024]本申请的复合薄膜的材料包括纳米二氧化钛和含氟化合物。含氟化合物的添加，能够在二氧化钛纳米材料形成Ti
‑
F键，从而钝化间隙钛缺陷，以及氟离子的离子半径与氧离子非常接近，因此能够弥补氧空位的缺失，钝化氧空位缺陷，进而使得包括纳米二氧化钛的复合薄膜表面更平整，界面间的接触电阻也大为降低，减小器件的漏电流。且钝化缺陷一定程度上能够抑制界面间的载流子非辐射弛豫，同时提高界面间电荷的有效传输，进而提升包含此复合薄膜的光电器件的寿命以及性能。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使
用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1是本申请实施例提供的一种光电器件的结构示意图；
[0027]图2是本申请实施例提供的一种复合薄膜的制备方法流程图；
[0028]图3是本申请实施例提供的另一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜的材料包括纳米二氧化钛和含氟化合物。2.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜包括层叠结构的混合层和二氧化钛层，所述混合层的材料包括所述纳米二氧化钛和所述含氟化合物，所述二氧化钛层的材料包括所述纳米二氧化钛。3.根据权利要求2所述的复合薄膜，其特征在于，在所述混合层中，从靠近所述二氧化钛层至远离所述二氧化钛层的方向上，所述含氟化合物的含量逐渐增大。4.根据权利要求2所述的复合薄膜，其特征在于，所述含氟化合物在所述混合层中的质量百分比为3％
‑
20％。5.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜的材料由所述纳米二氧化钛和所述含氟化合物组成。6.根据权利要求1所述的复合薄膜，其特征在于，在所述复合薄膜的厚度方向上，所述含氟化合物的含量逐渐降低或增大。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的复合薄膜，其特征在于，所述含氟化合物包括锂离子。8.根据权利要求7所述的复合薄膜，其特征在于，所述含氟化合物选自四氟硼酸锂、二氟草酸硼酸锂、氟化锂、九氟
‑1‑
丁烷磺酸锂、三氟甲基磺酸锂、六氟磷酸锂中的至少一种。9.根据权利要求1
‑
6任一项所述的复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜的材料中，所述含氟化合物的质量百分比为3％
‑
20％；和/或所述纳米二氧化钛的粒径范围为10
‑
20nm。10.一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：分别提供纳米二氧化钛的溶液和含氟化合物的溶液；提供基板，将所述纳米二氧化钛的溶液设置在所述基板上，形成纳米二氧化钛湿膜；将所述含氟化合物的溶液设置在所述纳米二氧化钛湿膜上，干燥处理得到复合薄膜；或分别提供纳米二氧化钛的溶液和含氟化合物的溶液；提供基板，将所述含氟化合物的溶液设置在所述基板上，形成含氟化合物湿膜；将所述纳米二氧化钛的溶液设置在所述含氟化合物湿膜上，干燥处理得到复合薄膜。11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述干燥处理的温度为60
‑
120℃。12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述含氟化合物选自四氟硼酸锂、二氟草酸硼酸锂、氟化锂、九氟
‑1‑
丁烷磺酸锂、三氟...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄盼宁，芦子哲，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：