量子点发光器件和显示面板制造技术

本申请公开了一种量子点发光器件和显示面板。所述量子点发光器件包括依次层叠设置的第一电极层、量子点发光层和第二电极层；所述量子点发光层的量子点为核壳结构量子点，包括核层和壳层；所述量子点发光层包括第一量子点层和第二量子点层，所述第二量子点层设置于所述第一量子点层背离所述第一电极层的一侧，且所述第二量子点层的量子点的壳层能级宽度大于所述第一量子点层的量子点的壳层能级宽度。本申请的量子点发光器件通过量子点发光层的设置，有效改善了电子、空穴的注入平衡，在保持量子点发光器件长寿命的同时提升了器件在常规使用亮度下的效率。规使用亮度下的效率。规使用亮度下的效率。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件和显示面板


[0001]本申请涉及量子点电致发光
，具体涉及一种量子点发光器件和显示面板。

技术介绍

[0002]量子点电致发光(QLED)印刷显示技术被认为是未来成长最快的新型平板显示技术，其兼具OLED全固态、能耗低、超薄、无视角限制、色彩表现力强、工作温度范围宽、抗震性能优异、易于实现柔性显示等诸多优点和LCD的长使用寿命和高亮度，适用于溶液法制备，拥有潜在的低制造成本等优势。同时，由于具有可大面积成膜、功耗低、光谱易于调节等优良特性，QLED还可以作为一种理想的平面光源，在未来节能环保绿色照明领域也具有广泛的应用前景。
[0003]目前经过材料的改善和器件结构的优化设计，量子点电致发光(QLED)能达到的最大电流效率以及器件寿命均取得了较大突破，其中红色和绿色量子点器件的最大电流效率可接近100％，红色的器件寿命也已接近商用标准。
[0004]QLED要实现商用还需要提升的一个关键指标是器件在约300cd/m2的常规使用亮度下的效率。目前QLED能达到的最大电流效率虽然基本符合标准，但是在常规使用亮度下的发光效率却很低，往往仅有最大效率的一半甚至更低。当前针对这一难题的解决办法较少。
[0005]因此，亟待提供一种量子点发光器件，能够在保持量子点发光器件长寿命的前提下，提升器件在常规使用亮度下的发光效率。

技术实现思路

[0006]本申请提供一种量子点发光器件，通过量子点发光层的设置，使得空穴传输层与量子点层之间的HOMO(最高占据分子轨道，Highest Occupied Molecular Orbital)能级差更小，空穴注入势垒相对降低；同时，增加电子注入势垒，从而有效改善了电子、空穴的注入平衡，进而实现了在保持量子点发光器件长寿命的同时提升了器件在常规使用亮度下的效率。
[0007]本申请实施例提供一种量子点发光器件，包括依次层叠设置的第一电极层、量子点发光层和第二电极层；
[0008]所述量子点发光层的量子点为核壳结构量子点，包括核层和壳层；
[0009]所述量子点发光层包括第一量子点层和第二量子点层，所述第二量子点层设置于所述第一量子点层背离所述第一电极层的一侧，且所述第二量子点层的量子点的壳层能级宽度大于所述第一量子点层的量子点的壳层能级宽度。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极层与所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层。所述空穴传输层的材料选自TFB、PVK、TCTA、TPD和CBP中的一种或几种。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点发光层与所述第二电极层之间还
设置有电子传输层。所述电子传输层的材料选自ZnO、TiO2和SnO2中的一种或几种。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点发光层还包括第三量子点层，设置于所述第二量子点层背离所述第一量子点层的一侧，且所述第三量子点层的量子点的壳层能级宽度大于所述第二量子点层的量子点的壳层能级宽度。
[0013]也就是说，所述量子点发光层包括多层量子点层，例如但不限于：2层量子点层、3层量子点层、4层量子点层等。详细地，多层量子点层中，越是靠近所述电子传输层设置的量子点层，其量子点壳层的能级宽度越宽；或者说，越是靠近所述空穴传输层设置的量子点层，其量子点壳层的能级宽度越窄。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点发光层，即所有的量子点层的总厚度在5～80nm范围。所述第一量子点层、所述第二量子点层、第三量子点层的厚度分别在5～30nm之间，即单层的量子点层的厚度在5～30nm之间。
[0015]可选的，在本申请的一些实施例中，在所述量子点发光层中，所有量子点层的光谱峰位波动≤2nm。在所述量子点发光层中，所有量子点层的光半峰宽波动≤1nm。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点为TypeⅠ型核壳结构量子点，壳层能级可将核能级完全覆盖。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点的壳层为多层壳层。
[0018]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二量子点层的量子点的最外层壳层能级宽度大于所述第一量子点层的量子点的最外层壳层能级宽度。
[0019]可选的，在本申请的一些实施例中，所述第三量子点层的量子点的最外层壳层能级宽度大于所述第二量子点层的量子点的最外层壳层能级宽度。
[0020]可选的，在本申请的一些实施例中，所述多层壳层的能级宽度从内向外依次变宽。
[0021]可选的，在本申请的一些实施例中，所述核壳结构量子点的发光峰位一致。
[0022]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点选自蓝色量子点、红色量子点和绿色量子点中的一种或几种。
[0023]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点的核层选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe、InP、InAs、InAsP、PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe和PbSTe中的一种或几种。
[0024]可选的，在本申请的一些实施例中，所述量子点的壳层选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe、InP、InAs、InAsP、PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe和PbSTe中的一种或几种。
[0025]相应的，本申请还提供一种显示面板，包括如上所述的量子点发光器件。
[0026]本申请的有益效果在于：
[0027]本申请的量子点发光器件通过设置包含多个量子点层的量子点发光层，增加了量子点层厚度，并且，越靠近空穴传输层的量子点层的量子点壳层能级越窄，越靠近电子传输层的量子点壳层能级越宽。具体地，本申请通过将发光层设计为多层量子点的方式来增加量子点层厚度，以提升量子点发光器件在常规使用亮度下的效率，同时将靠近空穴传输层的量子点选用壳层能级窄的量子点，此时空穴传输层与量子点层之间的HOMO能级差更小，
空穴注入势垒相对降低，更容易注入；另一方面本专利技术将靠近电子传输层的量子点选用壳层能级宽的量子点，增加电子注入势垒，从而有效改善了电子、空穴的注入平衡，实现了多层量子点器件的长寿命。
[0028]本申请通过调节量子点器件中的发光层，在保持器件良好寿命的前提下，使器件常规使用亮度下的效率得到大幅提升，使器件性能更符合商业应用标准，使量子点电致发光技术应用与显示行业的目标更进一步。
附图说明
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的第一电极层、量子点发光层和第二电极层；所述量子点发光层的量子点为核壳结构量子点，所述核壳结构量子点包括核层和壳层；所述量子点发光层包括第一量子点层和第二量子点层，所述第二量子点层设置于所述第一量子点层背离所述第一电极层的一侧，且所述第二量子点层的量子点的壳层能级宽度大于所述第一量子点层的量子点的壳层能级宽度。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层还包括第三量子点层，设置于所述第二量子点层背离所述第一量子点层的一侧，且所述第三量子点层的量子点的壳层能级宽度大于所述第二量子点层的量子点的壳层能级宽度。3.根据权利要求1或2所述的量子点发光器件，其特征在于，在所述量子点发光层中，所有量子点层的光谱峰位波动≤2nm；和/或在所述量子点发光层中，所有量子点层的光半峰宽波动≤1nm。4.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为5～80nm；和/或所述第一量子点层、所述第二量子点层、第三量子点层的厚度分别在5～30nm之间。5.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点为TypeⅠ型核壳结构量子点。6.根据权利要求1或5所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点的壳层为多层壳层；优选地，所述多层壳层的能级宽度从内向外依次变宽。7.根据权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，所述第二量子点层的量子点的最外层壳层能级宽度大于所述第一量子点层的量子点的最外层壳层能级宽度；和/或所述第三量子点层的量子点的最外层壳层能级宽度大于所述第二量子点层的量子点的最外层壳层能级宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈开敏，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：