量子点发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置，所述量子点发光器件包括：量子点发光层；载流子传输层，位于所述量子点发光层的至少一侧；单分子层，位于所述载流子传输层与所述量子点发光层之间；其中，所述单分子层的材料被配置为在可见光照射或加热条件下分子构型由顺式构型转化为反式构型，在紫外光照射条件下分子构型由反式构型转化为顺式构型，反式构型的分子链长度比顺式构型的分子链长度大。本公开实施例的量子点发光器件在光照或加热条件下可以达到减弱电子注入的效果，以及抑制量子点受无机金属氧化物材料表面缺陷淬灭的效果。点受无机金属氧化物材料表面缺陷淬灭的效果。点受无机金属氧化物材料表面缺陷淬灭的效果。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件及其制备方法、显示装置


[0001]本公开实施例涉及但不限于显示
，尤其涉及一种量子点发光器件及其制备方法、以及包含该量子点发光器件的显示装置。

技术介绍

[0002]量子点(Quantum Dots,QD)作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前新型发光二极管(Light
‑
Emitting,Diode LED)发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dots Light Emitting Diode,QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。
[0003]由于量子点材料本身的特性，其一般采用印刷技术或者打印的方法，可以有效提高材料利用率，是大面积制备量子点膜层的有效途径。采用喷墨打印工艺制备量子点膜层时，在沉积电致发光(electroluminescent,EL)单元各膜层之前，会预先制备像素定义层，各功能层墨水都会有在bank上攀爬的问题，甚至攀爬至bank的顶部平台区域，极大的影响了量子点膜层形貌及膜层厚度均匀性，对器件性能和均匀性会造成极大的影响，进而影响QLED的量产。尤其是在高分辨率基板上，此问题更加显著。若量子点层之前的膜层，如空穴注入层(Hole Injection Layer,HIL)、空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)也采用湿法工艺制备，它们也会存在膜层不均匀的问题，各层不均匀性逐层累加，进一步影响量子点发光层以及最终EL的单元的均匀性。
[0004]为了解决量产过程中膜层厚度不均匀的问题，可以在量子点发光层之前采用无机电子传输层，并通过溅射等工艺形成平整薄膜。但是，无论是采用无机电子传输层还是有机电子传输层，由于电子传输(Electron Transport,ET)材料迁移率较大，器件中电子注入过剩，导致大量电子富集，影响载流子平衡；而且QD由于俄歇(Auger)复合而导致量子效率(QY)降低，最终影响器件发光效率。另一方面，无机氧化物电子传输层表面存在较多缺陷，对QD存在淬灭作用，也会影响器件发光效率。

技术实现思路

[0005]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。
[0006]本公开实施例提供一种量子点发光器件，所述量子点发光器件所述包括：
[0007]量子点发光层；
[0008]载流子传输层，位于所述量子点发光层的至少一侧；
[0009]单分子层，位于所述载流子传输层与所述量子点发光层之间；
[0010]其中，所述单分子层的材料被配置为在可见光照射或加热条件下分子构型由顺式构型转化为反式构型，在紫外光照射条件下分子构型由反式构型转化为顺式构型，反式构型的分子链长度比顺式构型的分子链长度大。
[0011]在示例性实施例中，所述单分子层可以为自组装单分子层。
[0012]在示例性实施例中，所述单分子层的材料中可以含有偶氮基团和基团中的至少一个。
[0013]在示例性实施例中，所述单分子层的材料的结构通式可以为：
[0014][0015]其中，式I中的A为碳原子或铵离子，并且当式I中的A为铵离子时，式I还包括卤素阴离子，所示卤素阴离子选自F
‑
、Cl
‑
、Br
‑
和I
‑
中的至少一种；式I和式II中的R1、R2各自独立地选自烷基、
‑
NH2、胺基、醇胺基、
‑
NO2、
‑
COOH和含有碳碳双键的基团中的至少一种。
[0016]在示例性实施例中，所述单分子层的材料可以选自以下化合物中的任意一种或多种：
[0017][0018]在示例性实施例中，所述单分子层的材料可以为配体，所述配体与所述量子点发光层的量子点配位结合。
[0019]在示例性实施例中，所述配体中可以含有偶氮基团和基团中的至少一个。
[0020]在示例性实施例中，所述配体的结构通式可以为：
[0021][0022]其中，式III中的A为碳原子或铵离子，并且当式III中的A为铵离子时，式III还包括卤素阴离子，所示卤素阴离子选自F
‑
、Cl
‑
、Br
‑
和I
‑
中的至少一种；式III和式VI中，R3与R4中的一个含有可以与所述量子点配位结合的配位基团，R3与R4中的另一个为自由端，所述配位基团选自巯基、羟基、胺基、氨基、羧基、酯基、膦基和膦氧基中的任意一种或多种。
[0023]在示例性实施例中，所述配体可以选自以下中的任意一种或多种：
[0024][0025][0026]其中，R3为所述配位基团，R4为自由端。
[0027]在示例性实施例中，所述自由端中可以含有硅氧烷基。
[0028]在示例性实施例中，所述单分子层的材料可以被配置为在80℃至150℃加热条件下分子构型由顺式构型转化为反式构型。
[0029]在示例性实施例中，所述载流子传输层可以为电子传输层，并且包括无机金属氧化物纳米粒子薄膜或无机金属氧化物薄膜，其中的无机金属氧化物可以选自ZnO、TiO2、SnO2和ZrO2中的任意一种或多种；
[0030]其中，ZnO可以包括金属掺杂的ZnO，所述金属掺杂的ZnO中掺杂的金属可以选自Mg、Al、Zr和Y中的任意一种或多种。
[0031]在示例性实施例中，所述电子传输层可以包括红色子像素电子传输层、绿色子像素电子传输层和蓝色子像素电子传输层；
[0032]所述红色子像素电子传输层为无机金属氧化物纳米粒子薄膜或无机金属氧化物薄膜，其中的无机金属氧化物可以为ZnO或ZnMgO；
[0033]所述绿色子像素电子传输层为无机金属氧化物纳米粒子薄膜或无机金属氧化物薄膜，其中的无机金属氧化物可以为ZnO或ZnMgO；
[0034]所述蓝色子像素电子传输层为无机金属氧化物纳米粒子薄膜或无机金属氧化物薄膜，其中的无机金属氧化物可以为ZnO或ZnMgO。
[0035]在示例性实施例中，所述红色子像素电子传输层、所述绿色子像素电子传输层、所述蓝色子像素电子传输层可以为ZnMgO纳米粒子薄膜或ZnMgO薄膜，并且所述红色子像素电子传输层的ZnMgO中Mg的重量百分含量小于所述绿色子像素电子传输层的ZnMgO中Mg的重量百分含量，所述绿色子像素电子传输层的ZnMgO中Mg的重量百分含量小于所述蓝色子像素电子传输层的ZnMgO中Mg的重量百分含量。
[0036]在示例性实施例中，所述载流子传输层为空穴传输层，所述空穴传输层的材料可以选自有机空穴传输材料和无机金属氧化物空穴传输材料中的任意一种或多种；
[0037]所述有机空穴传输材料可以包括聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
CO
‑
N
‑
(4<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：量子点发光层；载流子传输层，位于所述量子点发光层的至少一侧；单分子层，位于所述载流子传输层与所述量子点发光层之间；其中，所述单分子层的材料被配置为在可见光照射或加热条件下分子构型由顺式构型转化为反式构型，在紫外光照射条件下分子构型由反式构型转化为顺式构型，反式构型的分子链长度比顺式构型的分子链长度大。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述单分子层为自组装单分子层。3.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述单分子层的材料中含有偶氮基团和基团中的至少一个。4.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述单分子层的材料的结构通式为：其中，式I中的A为碳原子或铵离子，并且当式I中的A为铵离子时，式I还包括卤素阴离子，所示卤素阴离子选自F
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、Cl
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、Br
‑
和I
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中的至少一种；式I和式II中的R1、R2各自独立地选自烷基、
‑
NH2、胺基、醇胺基、
‑
NO2、
‑
COOH和含有碳碳双键的基团中的至少一种。5.根据权利要求4所述的量子点发光器件，其特征在于，所述单分子层的材料选自以下化合物中的任意一种或多种：
6.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述单分子层的材料为配体，所述配体与所述量子点发光层的量子点配位结合。7.根据权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，所述配体中含有偶氮基团和基团中的至少一个。8.根据权利要求7所述的量子点发光器件，其特征在于，所述配体的结构通式为：其中，式III中的A为碳原子或铵离子，并且当式III中的A为铵离子时，式III还包括卤素阴离子，所示卤素阴离子选自F
‑
、Cl
‑
、Br
‑
和I
‑
中的至少一种；式III和式VI中，R3与R4中的一个含有可以与所述量子点配位结合的配位基团，R3与R4中的另一个为自由端，所述配位基团选自巯基、羟基、胺基、氨基、羧基、酯基、膦基和膦氧基中的任意一种或多种。9.根据权利要求8所述的量子点发光器件，其特征在于，所述配体选自以下中的任意一种或多种：
其中，R3为所述配位基团，R4为自由端。10.根据权利要求8所述的量子点发光器件，其特征在于，所述自由端中含有硅氧烷基。11.根据权利要求1至10中任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述单分子层的材料被配置为在80℃至150℃加热条件下分子构型由顺式构型转化为反式构型。12.根据权利要求1至10中任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述载流子传输层为电子传输层，并且包括无机金属氧化物纳米粒子薄膜或无机金属氧化物薄膜，其中的无机金属氧化物选自ZnO、TiO2、SnO2和ZrO2中的任意一种或多种；其中，ZnO包括金属掺杂的ZnO，所述金属掺杂的ZnO中掺杂的金属选自Mg、Al、Zr和Y中的任意一种或多种。13.根据权利要求12所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子传输层包括红色子像素电子传输层、绿色子像素电子传输层和蓝色子像素电子传输层；所述红色子像素电子传输层为无机金属氧化物纳米粒子薄膜或无机金属氧化物薄膜，其中的无机金属氧化物为ZnO或ZnMgO；所述绿色子像素电子传输层为无机金属氧化物纳米粒子薄膜或无机金属氧化物薄膜，其中的无机金属氧化物为ZnO或ZnMgO；所述蓝色子像素电子传输层为无机金属氧化物纳米粒子薄膜或无机金属氧化物薄膜，其中的无机金属氧化物为ZnO或ZnMgO。14.根据权利要求13所述的量子点发光器件，其特征在于，所述红色子像素电子传输层、所述绿色子像素电子传输层、所述蓝色子像素电子传输层为ZnMgO纳米粒子薄膜或ZnMgO薄膜，并且所述红色子像素电子传输层的ZnMgO中Mg的重量百分含量小于所述绿色子像素电子传输层的ZnMgO中Mg的重量百分含量，所述绿色子像素电子传输层的ZnMgO中Mg的重量百分含量小于所述蓝色子像素电子传输层的ZnMgO中Mg的重量百分含量。15.根据权利要求1至10中任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述载流子传输层为空穴传输层，所述空穴传输层的材料选自有机空穴传输材料和无机金属氧化物空穴
传输材料中的任意一种或多种；所述有机空穴传输材料包括聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
CO
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯基咔唑、N,N
′‑
双(3
‑
甲基苯基)
‑
N,N
′‑
二苯基
‑
1,1
′‑
联苯
‑
4,4
′‑
二胺和4,4'
‑
二(9
‑
咔唑)联苯中的任意一种或多种；所述无机金属氧化物空穴传输材料包括NiO、NiO2和V2O5中的任意一种或多种。16.根据权利要求15所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴传输层包括靠近所述量子点发光层的第一空穴传输层和远离所述量子点发光层的第二空穴传输层，所述第一空穴传输层的材料为第一空穴传输材料，所述第二空穴传输层的材料为第二空穴传输材料；
‑
6.2eV≤
│
HOMO(A)
│
≤
‑
5.5eV；
‑
5.5eV≤
│
HOMO(B)
│
≤
‑
5.0eV其中，HOMO(A)为所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道HOMO能级，HOMO(B)为所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道HOMO能级。17.根据权利要求1至10中任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述载流子传输层位于所述量子点发光层的两侧，所述量子点发光层一侧的载流子传输层为电子传输层，所述量子点发光层另一侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：