一种发光二极管和显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种发光二极管和显示装置，包括第一电极和第二电极，以及设置于第一电极与第二电极之间的发光层，第一电极为透明电极或半透明电极，第一电极面朝发光层的表面设置一第一过渡层，并且，第一过渡层的材料为MXene材料，另外，发光二极管还可以包括材料为MXene的第二过渡层，第二过渡层设置于第二电极面朝发光层的表面上。将发光二极管的第一电极或第二电极全部或部分替代为MXene材料，提高发光二极管器件光出射路径的光透过率，进而提升器件亮度和器件效率。件亮度和器件效率。件亮度和器件效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种发光二极管和显示装置。

技术介绍

[0002]MXene是一种新型的二维过渡金属碳化物或碳氮化物，MXene材料作为具有高导电性、柔性、表面官能团可调节的二维层状材料，在储能、催化、医疗等领域有着广泛的应用。其可低温制备、柔性、高透过率等性质，使其在发光二极管(Light Emitting Diode，LED)制备中具有较大的应用潜力。
[0003]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)器件是由多个功能层组成，器件阳极和空穴注入材料、阴极和电子传输材料之间都存在一定能极差势垒，导致空穴注入和电子注入困难，影响QLED器件效率。同时势垒的存在会引起电荷积累，对器件功能层造成损坏，影响器件使用寿命。因此QLED器件阳极和空穴注入材料、阴极和电子传输材料界面需要优化调控。
[0004]虽然QLED内量子效率得到了很大提升，但由于光子从发光层产生到发射到器件外需要经过一段路径，导致实际发射到环境中的光子大幅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括第一电极和第二电极，以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的发光层，其特征在于，所述第一电极为透明电极或半透明电极，所述第一电极面朝所述发光层的表面设置一第一过渡层，并且，所述第一过渡层的材料为MXene材料；其中，所述MXene材料的通式为M
n+1
X
n
T
x
，M为过渡金属元素，X为C或N的至少一种，T为末端功能基团，T以共价键形式连接于M，n为1～3之间的整数，x为1或2。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在底发射发光二极管中，所述第一电极的厚度范围为50至100纳米；和/或，所述MXene材料的功函数为4.9至5.3eV。3.根据权利要求1所述的的发光二极管，其特征在于，在顶发射发光二极管中，所述第一电极的厚度范围为10至20纳米；和/或，所述MXene材料的功函数为4.1至4.3eV。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一过渡层的厚度范围为5至20纳米；和/或，所述过渡金属元素为Sc、Ti、V、Cr、Mn、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta中的至少一种；和/或，所述末端功能基团为
‑
OH、＝O、
‑
F中的至少一种。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括设置于所述第一过渡层与所述发光层之间的第一功能层，其中，所述第一功能层为空穴注入层、空穴传输层、电子传输层中的至少一者；和/或，所述发光二极管还包括设置于所述第二电极与所述发光层之间的第二功能层，所述第二功能层为空穴注入层、空穴传输层、电子传输层中的至少一者。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极面朝所述发光层的表面上设置一第二过渡层，并且，所述第二过渡层的材料为MXene材料。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层为量子点发光层，所述量子点发光层的量子点材料选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe、GaP、GaAs、InP或InAs中的一种或多种。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在底发射发光二极管中，所述第一电极的材料选自ITO、FTO、ATO或A...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋音洁，周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：