发光器件及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术实施例公开了一种发光器件及其制作方法、显示面板；该发光器件包括发光材料层及位于该发光材料层上的电子传输层；其中，该发光材料层包含第一金属元素，该电子传输层包括含硫ZnO层，该含硫ZnO层中的硫元素与该第一金属元素之间连接有配位键；本发明专利技术实施例通过含硫ZnO层上的硫元素与发光材料层表面的第一金属元素结合形成配位键，形成了新的电子传输路径，减小了界面势垒，加快了电子传输层到发光材料层的电子传输速率，有利于提升发光器件的光电性能和稳定性。的光电性能和稳定性。的光电性能和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制作方法、显示面板


[0001]本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种发光器件及其制作方法、显示面板。

技术介绍

[0002]近些年，无机纳米颗粒氧化锌薄膜作为量子点发光二极管器件的电子传输层可以提供较好的显示色域及较高的发光寿命，有着传统有机材料无法比拟的优势，然而氧化锌薄膜与量子点发光二极管器件之间的界面势垒较高，电子传输层到发光材料层的电子传输速率较低，量子点工作效率较低。
[0003]因此，亟需一种发光器件及其制作方法、显示面板以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种发光器件及其制作方法、显示面板，可以缓解目前氧化锌薄膜与量子点发光二极管器件之间的界面势垒较高，量子点工作效率较低的技术问题。
[0005]本专利技术实施例提供了一种发光器件，包括发光材料层及位于所述发光材料层上的电子传输层；
[0006]其中，所述发光材料层包含第一金属元素，所述电子传输层包括含硫ZnO层，所述含硫ZnO层中的至少部分硫元素与所述第一金属元素之间连接有配位键。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括发光材料层及位于所述发光材料层上的电子传输层；其中，所述发光材料层包含第一金属元素，所述电子传输层包括含硫ZnO层，所述含硫ZnO层中的至少部分硫元素与所述第一金属元素之间连接有配位键。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述含硫ZnO层中的硫元素与所述含硫ZnO层中的锌元素之间连接有共价键。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层还包括位于所述含硫ZnO层与所述发光材料层之间的ZnS层。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在远离所述发光材料层的方向上，所述含硫ZnO层中的硫元素含量逐渐降低。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在所述含硫ZnO层中，硫元素与氧元素之间的摩尔比为1:5至1:20。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括位于所述电子传输层上远离所述发光材料层一侧的阴极层、位于所述发光材料层远离所述电子传输层一侧的空穴功能层及位于所述空穴功能层上的阳极层；和/或所述发光材料层的材料为量子点，所述量子点包括元素周期表II
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VI族、III
‑
V族、IV
‑
VI族、
Ⅷ‑Ⅵ
族、I
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III
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VI族、II
‑
IV
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VI族、II
‑
IV
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V族中单一结构量子点或者核壳结构量子点，所述单一结构量子点选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe、CuInS、CdSeTe中任一种，所述核壳结构量子点的核包括CdSe、CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、ZnTe、CdSeS、PbS、P...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：