量子点发光二极管及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，通过在电子传输层纳米金属氧化物中掺杂与阴极相同种类的金属，该金属可使电子传输层纳米金属氧化物的能级与阴极的能级之间形成了过渡梯度，可改善电子传输层与阴极之间能级不匹配的问题，使得电子的注入及传输势垒降低，电子的传输性能得到提升，从而改善量子点发光二极管的光电性能。而改善量子点发光二极管的光电性能。而改善量子点发光二极管的光电性能。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]量子点是一种尺寸在1nm至10nm的半导体团簇，由于量子尺寸效应，具有带隙可调的光电子性质，可应用于发光二极管、太阳能电池、生物荧光标记等领域。在传统的量子点发光二极管(Quantum dot light
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emitting doit，QLED)中，电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在量子点发光层复合形成激子发光。
[0003]现有量子点发光二极管主要结构为阴极、阳极、空穴/电子传输层以及量子点层。然而现有的阴极同电子传输层之间存在能级不匹配的问题，影响到量子点发光二极管的光电性能。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，可以改善量子点发光二极管的光电性能。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种量子点发光二极管，包括阴极、阳极以及设在所述阴极和阳极之间的电子传输层和量子点层，所述量子点层靠近所述阳极设置，所述电子传输层靠近所述阴极设置，所述电子传输层的材料包括掺杂第一金属的纳米金属氧化物，所述阴极的材料包括所述第一金属。
[0006]可选的，所述第一金属表相掺杂于所述纳米金属氧化物的表面。
[0007]可选的，所述第一金属选自铜、铝或金中的至少一种。
[0008]可选的，所述电子传输层材料由掺杂了第一金属的纳米金属氧化物构成，所述阴极的材料由所述第一金属构成。
[0009]可选的，在所述掺杂第一金属的纳米金属氧化物中，所述第一金属与所述纳米金属氧化物中的金属的摩尔比为(3～7)：1000。
[0010]可选的，所述纳米金属氧化物选自纳米氧化锌、纳米氧化镓或纳米氧化铝中的至少一种，和/或，所述量子点层的材料包括II
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VI族化合物、III
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V族化合物和I
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III
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VI族化合物中的至少一种，所述II
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VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS；CdZnSeS、CdZnSeTe和CdZnSTe中的至少一种；所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP和InAlNP中的至少一种；所述I
‑
III
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VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种。
[0011]可选的，所述纳米金属氧化物为纳米氧化镓，所述第一金属为铜或金中的一种。
[0012]第二方面，本申请还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
[0013]在阳极上沉积量子点层；
[0014]在所述量子点层上沉积电子传输层；以及
[0015]在所述电子传输层上沉积阴极，获得所述量子点发光二极管；
[0016]或者，在阴极上沉积电子传输层；
[0017]在所述电子传输层上沉积量子点层；以及
[0018]在所述量子点层上沉积阳极，获得所述量子点发光二极管；
[0019]其中，所述电子传输层的材料包括掺杂第一金属的纳米金属氧化物，所述阴极的材料包括所述第一金属。
[0020]可选的，在所述电子传输层中，所述第一金属表相掺杂于所述纳米金属氧化物的表面，所述在所述量子点层上沉积电子传输层，包括：
[0021]将纳米金属氧化物溶液和氯金属酸溶液混合得到混合溶液，将所述混合溶液进行真空干燥和煅烧，得到中间产物；
[0022]将所述中间产物溶于有机溶剂中，加入还原剂将所述氯金属酸进行还原，真空干燥得到表相掺杂第一金属的纳米金属氧化物粉末；以及
[0023]利用所述表相掺杂第一金属的纳米金属氧化物粉末，在所述量子点层上沉积电子传输层；
[0024]或者，所述在阴极上沉积电子传输层，包括：
[0025]将纳米金属氧化物溶液和氯金属酸溶液混合得到混合溶液，将所述混合溶液进行真空干燥和煅烧，得到中间产物；
[0026]将所述中间产物溶于有机溶剂中，加入还原剂将所述氯金属酸进行还原，真空干燥得到表相掺杂第一金属的纳米金属氧化物粉末；以及
[0027]利用所述表相掺杂第一金属的纳米金属氧化物粉末，在所述阴极上沉积电子传输层。
[0028]可选的，所述氯金属酸选自氯金酸、氯铜酸及四氯铝酸钠中的至少一种；和/或，
[0029]所述还原剂选自氢硼化钠；和/或，
[0030]所述纳米金属氧化物选自纳米氧化锌、纳米氧化镓及纳米氧化铝中的至少一种。
[0031]第三方面，本申请还提供一种显示装置，包括第一方面所述的量子点发光二极管，或者包括由第二方面所述的制备方法制备的量子点发光二极管。
[0032]有益效果：
[0033]本申请通过在电子传输层纳米金属氧化物中掺杂与阴极相同种类的金属，该金属可使电子传输层纳米金属氧化物的能级与阴极的能级之间形成了过渡梯度，可改善电子传输层与阴极之间能级不匹配的问题，使得电子的注入及传输势垒降低，电子的传输性能得到提升，从而改善量子点发光二极管的光电性能。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0035]图1是本申请实施例提供的一种正型量子点发光二极管的一个实施例结构示意图；
[0036]图2是本申请实施例提供的一种反型量子点发光二极管的一个实施例结构示意
图；
[0037]图3是本申请实施例提供的一种正型量子点发光二极管的一个实施例结构示意图；
[0038]图4是本申请实施例提供的一种反型量子点发光二极管的一个实施例结构示意图。
具体实施方式
[0039]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0040]本申请实施例提供一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。用语第一、第二、第三等仅仅作为标示使用，并没有强加数字要求或建立顺序。本申请的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本申请范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括阴极、阳极以及设在所述阴极和阳极之间的电子传输层和量子点层，所述量子点层靠近所述阳极设置，所述电子传输层靠近所述阴极设置，所述电子传输层的材料包括掺杂第一金属的纳米金属氧化物，所述阴极的材料包括所述第一金属。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，在所述电子传输层中，所述第一金属表相掺杂于所述纳米金属氧化物的表面。3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述第一金属选自铜、铝或金中的至少一种。4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的材料由掺杂了第一金属的纳米金属氧化物构成，所述阴极的材料由所述第一金属构成。5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，在所述掺杂第一金属的纳米金属氧化物中，所述第一金属与所述纳米金属氧化物中的金属的摩尔比为(3～7)：1000。6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米金属氧化物选自纳米氧化锌、纳米氧化镓或纳米氧化铝中的至少一种，和/或，所述量子点层的材料包括II
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VI族化合物、III
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V族化合物和I
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III
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VI族化合物中的至少一种，所述II
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VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS；CdZnSeS、CdZnSeTe和CdZnSTe中的至少一种；所述III
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V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP和InAlNP中的至少一种；所述I
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III
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VI族化合物选自CuInS2、...

【专利技术属性】
技术研发人员：张天朔，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：