一种光电器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开一种光电器件，包括层叠的阳极、发光层、电子传输层及阴极，所述电子传输层的材料包括金属酞菁配合物修饰的ZnO纳米材料。所述光电器件的电子传输层通过酞菁金属的配位效应，使ZnO纳米材料的费米能级向上移动进入导带，使ZnO表面连接M(Pc)

【技术实现步骤摘要】
一种光电器件及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种光电器件、所述光电器件的制备方法、及包括所述光电器件的显示装置。

技术介绍

[0002]光电器件是指根据光电效应制作的器件，其在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用，如太阳能电池、光电探测器、有机电致发光器件(OLED或量子点电致发光器件(QLED)。
[0003]传统的光电器件的结构主要包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层(即电子传输层)、电子注入层及阴极。在电场的作用下，光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。
[0004]ZnO是一种直接带隙的n型半导体材料，具有3.37eV的高宽禁带和3.7eV的低功函，且具有稳定性好、透明度高、安全无毒等优点，使得ZnO成为制备光电子器件电子传输层的主要材料。此外，ZnO还具有很多潜在的优点，例如，ZnO的激子束缚能高达60meV，远远高于其它宽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电器件，包括层叠的阳极、发光层、电子传输层及阴极，其特征在于：所述电子传输层的材料包括金属酞菁配合物修饰的ZnO纳米材料。2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述金属酞菁配合物选自酞菁锌、酞菁镁、酞菁钴、酞菁银及酞菁铜中的至少一种。3.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述金属酞菁配合物修饰的ZnO纳米材料中，金属酞菁配合物与ZnO纳米材料的摩尔比的范围为1:(0.01
‑
0.2)。4.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述金属酞菁配合物为氟化金属酞菁配合物。5.如权利要求4所述的光电器件，其特征在于：所述氟化金属酞菁配合物选自氟化酞菁锌、氟化酞菁镁、氟化酞菁钴、氟化酞菁银及氟化酞菁铜中的至少一种。6.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述发光层为有机发光层或量子点发光层，所述有机发光层的材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II
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VI族化合物、III
‑
V族化合物及I
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III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。7.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供阳极，在所述阳极上形成发光层；提供锌盐、碱及溶剂，混合，得到ZnO前驱体溶液，将所述ZnO前驱体溶液与金属酞菁配合物混合，得到金属酞...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭煜林，吴龙佳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：