发光器件及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种发光器件及其制备方法，发光器件包括第一电极、第一功能层、图案化绝缘层、图案化第二电极、图案化第二功能层、发光层、第三功能层和第三电极，图案化绝缘层、图案化第二电极以及图案化第二功能层依次层叠设置于第一功能层上，发光层覆盖图案化第二功能层以及第一功能层，第三功能层和第三电极依次层叠设置于发光层上，第一电极与第二电极中的一者为阳极，另一者为阴极，第一电极与第三电极相同；第一功能层与第二功能层中的一者为电子功能层，另一者为空穴功能层，第一功能层为空穴功能层时，第三功能层为空穴功能层；第一功能层为电子功能层时，第三功能层为电子功能层，且电子功能层靠近阴极，空穴功能层靠近阳极。层靠近阳极。层靠近阳极。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制备方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种发光器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]近些年，随着对量子点发光二极管器件性能研究的深入，器件的电流效率和寿命方面取得了很大进展，电流效率和外量子效率(External Quantum Efficiency，EQE)成正比，但是，现有的量子点发光二极管器件结构，电子和空穴的注入往往不平衡，进而导致量子点发光器件的显示效果不佳。因此，目前急需一种可以解决空穴和电子注入不平衡的量子点发光器件。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种发光器件及其制备方法，以解决空穴和电子注入不平衡的问题。
[0004]本申请实施例提供一种发光器件，包括：
[0005]第一电极；
[0006]第一功能层，所述第一功能层设置于所述图案化第一电极上；
[0007]图案化绝缘层，所述图案化绝缘层设置于所述第一功能层上；
[0008]图案化第二电极，所述图案化第二电极设置于所述图案化绝缘层上；
[0009]图案化第二功能层，所述图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：第一电极；第一功能层，所述第一功能层设置于所述图案化第一电极上；图案化绝缘层，所述图案化绝缘层设置于所述第一功能层上；图案化第二电极，所述图案化第二电极设置于所述图案化绝缘层上；图案化第二功能层，所述图案化第二功能层覆盖所述图案化第二电极；发光层，所述发光层覆盖所述图案化第二功能层以及所述第一功能层；第三功能层，所述第三功能层设置于所述发光层上；以及第三电极，所述第三电极设置于所述第三功能层上；其中，所述第一电极与所述图案化第二电极中的一者为阳极，另一者为阴极，所述第一电极与所述第三电极相同；所述第一功能层与所述图案化第二功能层中的一者为电子功能层，另一者为空穴功能层，所述第一功能层为空穴功能层时，所述第三功能层为空穴功能层；所述第一功能层为电子功能层时，所述第三功能层为电子功能层，且所述电子功能层靠近所述阴极，所述空穴功能层靠近所述阳极。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述图案化第二功能层在所述第一功能层上的正投影位于与所述图案化第二功能层对应设置的所述图案化绝缘层在所述第一功能层上的正投影之内；或者，所述图案化第二电极在所述第一功能层上的正投影位于与所述图案化第二电极对应设置的所述图案化绝缘层在所述第一功能层上的正投影之内。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述图案化第二功能层在所述第一功能层上的正投影的边缘到与所述图案化第二功能层对应设置的所述图案化绝缘层在所述第一功能层上的正投影的边缘的距离大于5纳米；或者，所述图案化第二电极在所述第一功能层上的正投影的边缘到与所述图案化第二电极对应设置的所述图案化绝缘层在所述第一功能层上的正投影的边缘的距离大于20纳米
‑
105纳米。4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述图案化绝缘层的厚度为30纳米
‑
100纳米。5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述阳极材料选自Pt、Ni、Cu、Ag、Al和Au中的一种或几种组合；所述阴极材料选自ITO、FTO、Fe、Cu、Al、Sn、Zn和Ag中的一种或几种组合；所述空穴功能层材料选自氧化镍、氧化铜、聚(3，4
‑
乙烯二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸盐、硫氰酸亚铜、聚乙烯咔唑、聚(N，N'双(4
‑
丁基苯基)
‑
N，N'
‑
双(苯基)联苯胺)(Poly
‑
TPD)、聚(9，9
‑
二辛基芴
‑
共
‑
双
‑
N，N
‑
苯基
‑
1，4
‑
苯二胺)(PFB)、4，4
’
，4
”‑
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺(TCTA)、4，4'
‑
二(9
‑
咔唑)联苯(CBP)、N，N
’‑
二苯基
‑
N，N
’‑
二(3
‑
甲基苯基)
‑
1，1
’‑
联苯
‑
4，4
’‑
二胺(TPD)和N，N
’‑
二苯基
‑
N，N
’‑
(1
‑
萘基)
‑
1，1
’‑
联苯
‑
4，4
’‑
二胺(NPB)中的一种或几种组合；所述电子功能层材料选自TiO2、ZnO、SnO、ZnMgO、AlZnO、ZnSnO、ZrO、AlZnMgO、Li掺杂TiO2、Ru掺杂TiO2、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60、GaZnO和ZnMgLiO中的一种或几种组合；所述发光层为量子点发光层，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结
构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，所述II
‑
VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种；所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种，所述核壳结构的量子点的核层选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。6.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一电极；在所述第一电极上形成第一功能层；在所述第一功能层上形成图案化绝缘层，所述图案化绝缘层至少部分露出所述第一功能层；在所述图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：林雄风，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：