QLED器件的制备方法及显示基板、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种QLED器件的制备方法及显示基板、显示装置。所述QLED器件的制备方法包括如下步骤：提供基板；在所述基板上形成第一电极层；在还原性气体氛围下在第一电极层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成电子功能层；在所述电子功能层上形成第二电极层。本申请得到的器件能够减弱氧气对于量子点发光层的不利影响，提高器件发光效率或寿命。提高器件发光效率或寿命。提高器件发光效率或寿命。

【技术实现步骤摘要】
QLED器件的制备方法及显示基板、显示装置


[0001]本申请涉及显示领域，具体涉及QLED器件的制备方法及显示基板、显示装置。

技术介绍

[0002]QLED器件是由阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极构成的多功能层复合结构，当受到电或光刺激时，电子和空穴分别从各自电极注入，两者在量子点发光层复合发光。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)由于其具有发射波长可调、发射带宽窄、发光效率高以及低成本等优点，得到越来越多的关注。
[0003]然而，在蓝光(450nm)照射下，O2会与量子点发光层发生界面反应，形成硫酸盐，氢氧化物，氧化物，从而降低器件发光效率或寿命。
[0004]因此，亟待提供一种QLED器件，能够很好的降低氧气对于量子点发光层的不利影响。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足，本申请提供了一种QLED器件的制备方法，可以提高量子点发光层的发光效率或寿命。
[0006]本申请提供一种QLED器件的制备方法，包括如下步骤：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基板；在所述基板上形成第一电极层；在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成电子功能层；在所述电子功能层上形成第二电极层。2.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述还原性气体选自CO、NO、H2、H2S、乙烯和乙炔中的一种或几种组合。3.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，在形成所述量子点发光层的过程中，使用还原性气体催化剂加速该过程；所述还原性气体催化剂选自Cu、Pt和Au中的一种或几种组合。4.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述在所述量子点发光层上形成电子功能层，包括：在紫外光照射下在所述量子点发光层上形成电子功能层。5.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，在所述在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层的步骤之前，还包括：在所述第一电极层上形成空穴功能层，所述空穴功能层位于所述第一电极层与所述量子点发光层之间。6.根据权利要求5所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极层上形成空穴功能层的步骤包括：在所述第一电极层上形成空穴注入层；或在所述第一电极层上形成空穴传输层；或在所述第一电极层上依次形成空穴注入层、空穴传输层。7.根据权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS、MCC、CuPc、F4
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TCNQ、HATCN、过渡...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗强，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：