QLED器件的制备方法及显示基板、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种QLED器件的制备方法及显示基板、显示装置。所述QLED器件的制备方法包括如下步骤：提供基板；在所述基板上形成第一电极层；在还原性气体氛围下在第一电极层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成电子功能层；在所述电子功能层上形成第二电极层。本申请得到的器件能够减弱氧气对于量子点发光层的不利影响，提高器件发光效率或寿命。提高器件发光效率或寿命。提高器件发光效率或寿命。

【技术实现步骤摘要】
QLED器件的制备方法及显示基板、显示装置


[0001]本申请涉及显示领域，具体涉及QLED器件的制备方法及显示基板、显示装置。

技术介绍

[0002]QLED器件是由阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极构成的多功能层复合结构，当受到电或光刺激时，电子和空穴分别从各自电极注入，两者在量子点发光层复合发光。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)由于其具有发射波长可调、发射带宽窄、发光效率高以及低成本等优点，得到越来越多的关注。
[0003]然而，在蓝光(450nm)照射下，O2会与量子点发光层发生界面反应，形成硫酸盐，氢氧化物，氧化物，从而降低器件发光效率或寿命。
[0004]因此，亟待提供一种QLED器件，能够很好的降低氧气对于量子点发光层的不利影响。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足，本申请提供了一种QLED器件的制备方法，可以提高量子点发光层的发光效率或寿命。
[0006]本申请提供一种QLED器件的制备方法，包括如下步骤：
[0007]提供基板；
[0008]在所述基板上形成第一电极层；
[0009]在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层；
[0010]在所述量子点发光层上形成电子功能层；
[0011]在所述电子功能层上形成第二电极层。
[0012]进一步地，所述还原性气体选自CO、NO、H2、H2S、乙烯和乙炔中的一种或几种组合。/>[0013]进一步地，在形成所述量子点发光层的过程中，使用还原性气体催化剂加速该过程；所述还原性气体催化剂选自Cu、Pt和Au中的一种或几种组合。
[0014]进一步地，所述在所述量子点发光层上形成电子功能层，包括：在紫外光照射下在所述量子点发光层上形成电子功能层。
[0015]进一步地，在所述在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层的步骤之前，还包括：在所述第一电极层上形成空穴功能层，所述空穴功能层位于所述第一电极层与所述量子点发光层之间。
[0016]进一步地，所述在所述第一电极层上形成空穴功能层的步骤包括：
[0017]在所述第一电极层上形成空穴注入层；或在所述第一电极层上形成空穴传输层；或在所述第一电极层上依次形成空穴注入层、空穴传输层。
[0018]进一步地，所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS、MCC、CuPc、F4
‑
TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；和/或
[0019]所述空穴传输层的材料包括PVK、Poly
‑
TPD、CBP、TCTA和TFB中的一种或多种。
[0020]进一步地，所述第一电极层的材料选自铟锡氧化物、氟掺氧化锡、铟锌氧化物、石墨烯和纳米碳管中的一种或多种；和/或所述第二电极层的材料选自Al和Ag中的一种或多种。
[0021]进一步地，所述电子功能层的材料中包括金属氧化物。
[0022]进一步地，所述金属氧化物选自ZnO、SnO2、ITO、Fe2O3、CrO3、TiO2、WO3、CdO、CuO和MoO2中的一种或几种组合。
[0023]进一步地，所述量子点发光层的材料选自CdS、CdSe、CdTe、CdZnS、CdZnSe、CdSeS、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnCdSe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS和CuInSe中的一种或几种组合。
[0024]进一步地，从形成所述量子点发光层的步骤至形成所述第二电极层的步骤，整个过程中均处于所述还原性气体氛围下。
[0025]相应的，本申请还提供一种显示基板，包括如上所述的QLED器件的制备方法制得的QLED器件。
[0026]此外，本申请还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
[0027]本申请的有益效果在于：
[0028]本申请的QLED器件，通过在量子点发光层形成阶段持续通入还原性气体以与环境中的氧气进行反应，从而避免在量子点发光层的形成过程中量子点发光层与环境中的氧气发生界面反应，进而提高器件发光效率或寿命。本申请所制备的QLED器件，其器件性能更符合商业应用标准，使量子点电致发光技术应用与显示行业的目标更进一步。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1是量子点的表面灰层积累而产生局部区域无法点亮的示意图；
[0031]图2是本申请提供的气体流量装置设于旋涂仪内的示意图；
[0032]图3是本申请提供的电子传输层在紫外光照条件下的电阻的变化曲线图；
[0033]图4是本申请提供的QLED器件的结构示意图。
[0034]附图标记说明：100、QLED器件；101、基板；110、阳极层；120、空穴注入层；130、空穴传输层；140、量子点发光层；150、电子传输层；160、阴极层。
具体实施方式
[0035]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方
向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0036]本申请实施例提供一种QLED器件的制备方法及QLED器件。以下分别进行详细说明。
[0037]专利技术人在实验中发现：随着环境中氧含量的升高，器件发光效率与寿命会逐渐降低，从而导致器件发光效率减低或寿命减短。
[0038]在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的专利技术人还发现，在顶发射器件制备过程中，在量子点发光层(QD层)引入还原性气体催化，能很好的解决因为量子点发光层与O2的界面反应导致发光效率低、寿命差的问题。
[0039]本申请实施例提供一种QLED器件的制备方法，包括如下步骤：
[0040]提供基板；
[0041]在所述基板上形成第一电极层；
[0042]在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层；
[0043]在所述量子点发光层上形成电子功能层；
[0044]在所述电子功能层上形成第二电极层。
[0045]在一实施例中，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基板；在所述基板上形成第一电极层；在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成电子功能层；在所述电子功能层上形成第二电极层。2.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述还原性气体选自CO、NO、H2、H2S、乙烯和乙炔中的一种或几种组合。3.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，在形成所述量子点发光层的过程中，使用还原性气体催化剂加速该过程；所述还原性气体催化剂选自Cu、Pt和Au中的一种或几种组合。4.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述在所述量子点发光层上形成电子功能层，包括：在紫外光照射下在所述量子点发光层上形成电子功能层。5.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，在所述在还原性气体氛围下在所述第一电极层上形成量子点发光层的步骤之前，还包括：在所述第一电极层上形成空穴功能层，所述空穴功能层位于所述第一电极层与所述量子点发光层之间。6.根据权利要求5所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述在所述第一电极层上形成空穴功能层的步骤包括：在所述第一电极层上形成空穴注入层；或在所述第一电极层上形成空穴传输层；或在所述第一电极层上依次形成空穴注入层、空穴传输层。7.根据权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS、MCC、CuPc、F4
‑
TCNQ、HATCN、过渡...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗强，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：