一种显示器件像素电极结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了显示器件像素电极结构的制备方法，包括：形成反射金属层；形成第一透明微腔层；形成图形化的第一牺牲层，第一牺牲层阻挡住第一像素区、第三像素区；生长第二透明微腔层，再去除第一牺牲层，形成图形化的第二透明微腔层；并以相同方法形成图形化的第三透明微腔层；在各个像素区形成阻挡层，其尺寸小于第二透明微腔层、第三透明微腔层，对透明微腔层和反射金属层进行刻蚀形成图形化的第一透明微腔层和反射层，并对第二透明微腔层、第三透明微腔层边缘进行修饰。本发明专利技术的制备方法能够使各像素区具备不同腔长微腔结构，实现通过微腔独立调节子像素颜色，从而减少彩色滤光片带来的光损失，提高硅基OLED显示屏亮度。提高硅基OLED显示屏亮度。提高硅基OLED显示屏亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种显示器件像素电极结构的制备方法


[0001]本专利技术设计显示
，尤其涉及OLED显示器件的像素电极结构及形成方法

技术介绍

[0002]有机发光二极管(OLED)是21世纪初起开始兴起的显示技术，具有轻薄、能耗低、显示效果好等优势，目前被广泛应用于手机、平板等领域。
[0003]硅基OELD器件区别与常规玻璃基板OLED器件，其采用硅片制备驱动电路，所以制造精度远高于玻璃基板产品，其PPI(Pixel per Inch)通常可以达到1000以上，在VR/AR领域有广阔的应用。
[0004]通常硅基OLED子像素在3～10um之间，在该尺寸下，常规OLED行业使用的蒸镀掩膜板难以在硅基OLED上应用，导致硅基OLED产品一般使用单层或叠层器件直接发白光，再通过彩色滤光片产生红、绿、蓝像素。在该方法下实际产生的大量的光损失，导致显示屏亮度不高。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种显示器件像素电极结构的制备方法，可以实现硅基OLED器件子像素具备不同微腔长度，通过微腔调节使得显示屏子像素直接产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示器件像素电极结构的制备方法，其特征在于，包括：具有OLED驱动电路的基底，所述基底包括对应不同颜色像素的第一像素区、第二像素区、第三像素区；在基底上制备反射金属层和第一透明微腔层；在第一透明微腔层上通过光刻的方法形成图形化的第一牺牲层，第一牺牲层阻挡住第一像素区、第三像素区，其开口尺寸小于第二像素区；在第一牺牲层上生长第二透明微腔层，再通过剥离的方法去除第一牺牲层及其上的第二透明微腔层，形成图形化的第二透明微腔层；以形成图形化的第二透明微腔层相同方法形成图形化的第三透明微腔层；在各个像素区通过光刻的方法形成阻挡层，阻挡层的尺寸小于第二透明微腔层、第三透明微腔层，对透明微腔层和反射金属层进行刻蚀，形成图形化的第一透明微腔层和反射层，并同时对第二透明微腔层、第三透明微腔层边缘进行修饰。2.一种显示器件像素电极结构的制备方法，其特征在于，包括：具有OLED驱动电路的基底，所述基底包括对应不同颜色像素的第一像素区、第二像素区、第三像素区；通过光刻的方法在基板上形成图形化的第一牺牲层，第一牺牲层阻挡住第二像素区、第三像素区，第一牺牲层的开口尺寸小于第一像素区；在第一牺牲层上生长反射金属层和第一透明微腔层，再通过剥离的方法去除第一牺牲层及其上的第一透明微腔层、反射金属层，形成图形化的反射金属层和第一透明微腔层；以形成图形化的反射金属层和第一透明微腔层相同方法，形成图形化的反射金属层和第二透明微腔层，以及形成图形化的反射金属层和第三透明微腔层。3.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶最，张阳，王新军，汪兵，杨建兵，秦昌兵，
申请(专利权)人：南京国兆光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：