一种显示器件像素电极结构的制备方法技术

本发明专利技术公开了显示器件像素电极结构的制备方法，包括：形成反射金属层；形成第一透明微腔层；形成图形化的第一牺牲层，第一牺牲层阻挡住第一像素区、第三像素区；生长第二透明微腔层，再去除第一牺牲层，形成图形化的第二透明微腔层；并以相同方法形成图形化的第三透明微腔层；在各个像素区形成阻挡层，其尺寸小于第二透明微腔层、第三透明微腔层，对透明微腔层和反射金属层进行刻蚀形成图形化的第一透明微腔层和反射层，并对第二透明微腔层、第三透明微腔层边缘进行修饰。本发明专利技术的制备方法能够使各像素区具备不同腔长微腔结构，实现通过微腔独立调节子像素颜色，从而减少彩色滤光片带来的光损失，提高硅基OLED显示屏亮度。提高硅基OLED显示屏亮度。提高硅基OLED显示屏亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种显示器件像素电极结构的制备方法


[0001]本专利技术设计显示
，尤其涉及OLED显示器件的像素电极结构及形成方法

技术介绍

[0002]有机发光二极管(OLED)是21世纪初起开始兴起的显示技术，具有轻薄、能耗低、显示效果好等优势，目前被广泛应用于手机、平板等领域。
[0003]硅基OELD器件区别与常规玻璃基板OLED器件，其采用硅片制备驱动电路，所以制造精度远高于玻璃基板产品，其PPI(Pixel per Inch)通常可以达到1000以上，在VR/AR领域有广阔的应用。
[0004]通常硅基OLED子像素在3～10um之间，在该尺寸下，常规OLED行业使用的蒸镀掩膜板难以在硅基OLED上应用，导致硅基OLED产品一般使用单层或叠层器件直接发白光，再通过彩色滤光片产生红、绿、蓝像素。在该方法下实际产生的大量的光损失，导致显示屏亮度不高。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种显示器件像素电极结构的制备方法，可以实现硅基OLED器件子像素具备不同微腔长度，通过微腔调节使得显示屏子像素直接产生其对应颜色的光，从而减少彩色滤光片带来的光损失，提高硅基OLED显示屏亮度。
[0006]为实现上述效果，本专利技术提供了一种显示器件像素电极结构的制备方法，包括：
[0007]具有OLED驱动电路的基底，所述基底包括对应不同颜色像素的第一像素区、第二像素区、第三像素区；
[0008]在基底上制备反射金属层和第一透明微腔层；
[0009]在第一透明微腔层上通过光刻的方法形成图形化的第一牺牲层，第一牺牲层阻挡住第一像素区、第三像素区，其开口尺寸小于第二像素区；
[0010]在第一牺牲层上生长第二透明微腔层，再通过剥离的方法去除第一牺牲层及其上的第二透明微腔层，形成图形化的第二透明微腔层；
[0011]以形成图形化的第二透明微腔层相同方法形成图形化的第三透明微腔层；
[0012]在各个像素区通过光刻的方法形成阻挡层，阻挡层的尺寸小于第二透明微腔层、第三透明微腔层，对透明微腔层和反射金属层进行刻蚀，形成图形化的第一透明微腔层和反射层，并同时对第二透明微腔层、第三透明微腔层边缘进行修饰。
[0013]第二方面，本专利技术还提供了一种显示器件像素电极结构的制备方法，包括：
[0014]具有OLED驱动电路的基底，所述基底包括对应不同颜色像素的第一像素区、第二像素区、第三像素区；
[0015]通过光刻的方法在基板上形成图形化的第一牺牲层，第一牺牲层阻挡住第二像素区、第三像素区，第一牺牲层的开口尺寸小于第一像素区；
[0016]在第一牺牲层上生长反射金属层和第一透明微腔层，再通过剥离的方法去除第一
牺牲层及其上的第一透明微腔层、反射金属层，形成图形化的反射金属层和第一透明微腔层；
[0017]以形成图形化的反射金属层和第一透明微腔层相同方法，形成图形化的反射金属层和第二透明微腔层，以及形成图形化的反射金属层和第三透明微腔层。
[0018]第三方面，本专利技术还提供了一种显示器件像素电极结构的制备方法包括：
[0019]具有OLED驱动电路的基底，所述基底包括对应不同颜色像素的第一像素区、第二像素区、第三像素区；
[0020]在基底上生长反射金属层和中间层，利用光刻的方法在中间层上形成图形化的阻挡层；对反射金属层和中间层进行刻蚀；最后去除阻挡层，得到图形化的反射金属层和中间层；
[0021]在图形化的反射金属层和中间层上生长保护层，在保护层上通过光刻的方法形成图形化的第一牺牲层，第一牺牲层阻挡住第二像素区、第三像素区，第一牺牲层的开口尺寸小于第一像素区；
[0022]生长第一透明微腔层，再通过剥离的方法去除第一牺牲层及其上的第一透明微腔层，形成图形化第一透明微腔层；
[0023]并以形成图形化的第一透明微腔层相同方法，形成图形化的第二透明微腔层，以及图形化的第三透明微腔层；
[0024]在各像素区通过光刻方法形成图形化的阻挡层，每个阻挡层位于各像素区内，阻挡层的尺寸小于对应透明微腔层尺寸；
[0025]通过刻蚀方法对透明微腔层边缘进行修饰；最后去除阻挡层。
[0026]优选的是，本专利技术利用牺牲层，使用剥离的方法形成图形化的透明微腔层
[0027]优选的是，本专利技术使用刻蚀方法去除剥离方法带来的毛刺。
[0028]优选的是，本专利技术的刻蚀方法为干法刻蚀，采用的刻蚀气体为Ar、Cl、O2中的一种或几种气体。
[0029]优选的是，本专利技术的刻蚀阻挡层图形尺寸小于图形化的透明微腔层，其线宽尺寸差在300～800nm之间。
[0030]本专利技术提供的形成图形化透明微腔层方法，避免了刻蚀工艺，解决了金属化合物材质难以刻蚀问题；避免了金属层易被碱性显影液腐蚀问题，工艺难度低，提升了规模生产的可行性。
附图说明
[0031]图1至图10是本专利技术像素电极结构的形成方法第一实施例中各步骤对应的结构示意图。
[0032]图11至图20是本专利技术像素电极结构的形成方法第二实施例中各步骤对应的结构示意图。
[0033]图21至图40是本专利技术像素电极结构的形成方法第三实施例中各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
[0034]下面结合附图和实施例对本专利技术的一种像素电极结构制备方法作更进一步的解释和说明。
[0035]本专利技术提供了一种像素电极结构的制备方法，包括：
[0036]在驱动电路基板上形成反射金属层及第一透明微腔层，所述透明微腔为金属化合物材质。
[0037]在所述驱动电路基板上依次形成图形化的第二透明微腔层和第三透明微腔层。所述透明微腔为金属化合物材质，所述第二透明微腔层和第三透明微腔层位于一个独立的发光子像素内，所述的第二透明微腔层和第三透明微腔层具有不同厚度。所述图形化的方法，包括：在基板上形成一层图形化的牺牲层，在牺牲层上生长所述透明微腔层。所述图形化的牺牲层开口位于独立的发光子像素内。
[0038]去除所述的牺牲层和在牺牲层上的透明微腔层，形成具有图形化的透明微腔层。
[0039]在所述的驱动电路基板、所述的反射金属层和所述的第一透明微腔层、第二透明微腔层、第三透明微腔层上形成刻蚀阻挡层。所述的刻蚀阻挡层位于每个独立的发光子像素内，其尺寸小于第二透明微腔层、第三透明微腔层，所述的刻蚀阻挡层与所述的反射金属层和所述的第一透明微腔层刻蚀选择比小于1：10。
[0040]对所述的反射金属层和所述的第一透明微腔层进行刻蚀，并去除刻蚀阻挡层。
[0041]本专利技术还提供了一种像素电极结构的制备方法，包括：
[0042]在驱动电路基板上依次形成图形化的第一反射层和透明微腔层、第二反射层和透明微腔层、第三反射层和透明微腔层。所述反射层和透明微腔层位于独立的发光子像素内，所述图形化方法，包括：
[0043]在基板上形成一层图形化的牺牲层，在牺牲层上生长所述反射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示器件像素电极结构的制备方法，其特征在于，包括：具有OLED驱动电路的基底，所述基底包括对应不同颜色像素的第一像素区、第二像素区、第三像素区；在基底上制备反射金属层和第一透明微腔层；在第一透明微腔层上通过光刻的方法形成图形化的第一牺牲层，第一牺牲层阻挡住第一像素区、第三像素区，其开口尺寸小于第二像素区；在第一牺牲层上生长第二透明微腔层，再通过剥离的方法去除第一牺牲层及其上的第二透明微腔层，形成图形化的第二透明微腔层；以形成图形化的第二透明微腔层相同方法形成图形化的第三透明微腔层；在各个像素区通过光刻的方法形成阻挡层，阻挡层的尺寸小于第二透明微腔层、第三透明微腔层，对透明微腔层和反射金属层进行刻蚀，形成图形化的第一透明微腔层和反射层，并同时对第二透明微腔层、第三透明微腔层边缘进行修饰。2.一种显示器件像素电极结构的制备方法，其特征在于，包括：具有OLED驱动电路的基底，所述基底包括对应不同颜色像素的第一像素区、第二像素区、第三像素区；通过光刻的方法在基板上形成图形化的第一牺牲层，第一牺牲层阻挡住第二像素区、第三像素区，第一牺牲层的开口尺寸小于第一像素区；在第一牺牲层上生长反射金属层和第一透明微腔层，再通过剥离的方法去除第一牺牲层及其上的第一透明微腔层、反射金属层，形成图形化的反射金属层和第一透明微腔层；以形成图形化的反射金属层和第一透明微腔层相同方法，形成图形化的反射金属层和第二透明微腔层，以及形成图形化的反射金属层和第三透明微腔层。3.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶最，张阳，王新军，汪兵，杨建兵，秦昌兵，
申请(专利权)人：南京国兆光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：