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本申请公开了一种QLED器件的制备方法及显示基板、显示装置。所述QLED器件的制备方法包括如下步骤：提供基板；在所述基板上形成第一电极层；在还原性气体氛围下在第一电极层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成电子功能层；在所述电子功能层...
该专利属于TCL科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL科技集团股份有限公司授权不得商用。

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