一种电致发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电致发光器件及其制备方法、显示装置，在电致发光器件工作时，阴极中的电子经过电子传输层进入量子点壳结构之后，需要经过一个空隙到达核结构，此空隙可以作为电子阻挡层来降低电子的注入，量子点中没有空隙的一侧与空穴传输层直接接触，在一定程度上提高空穴的注入，使得电子和空穴注入更加平衡，提高电致发光器件的效率及寿命。并且，本发明专利技术通过在量子点内部引入电子阻挡层，能够减少现有技术在制作电致发光器件时在电子传输层和量子点发光层之间单独制作一层电子阻挡层的工序。的工序。的工序。

【技术实现步骤摘要】
一种电致发光器件及其制备方法、显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，特别涉及一种电致发光器件及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]量子点(Quantum dots，QDs)，又名半导体纳米晶、半导体纳米颗粒，是指尺寸在空间三个维度上均处于纳米数量级或由它们作为基本单元构成的纳米固体材料，是在纳米尺度上的原子和分子的集合体。基于量子点材料的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantum dot light
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emitting diode，QLED)，是一种新型的发光器件。
[0003]在QLED器件中，各个功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层。选择合适的器件结构和各功能层的传输特性相匹配对QLED器件的性能至关重要。目前电子传输层材料ZnO的引入，使电子传输更为高效，从而使电子在QLED器件中成为多子，但由于量子点较深的价带，空穴传输材料通常不能保证足够的空穴注入，这就导致电子空穴的注入不平衡，使得QLED器件效率和寿命均受到影响。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种电致发光器件及其制备方法、显示装置，用以提高电子空穴的注入平衡。
[0005]本专利技术实施例提供的一种电致发光器件，包括依次层叠设置的衬底基板、第一电极、第一辅助功能层、量子点发光层、第二辅助功能层和第二电极；
[0006]所述量子点发光层的量子点包括核结构以及包围所述核结构的壳结构，所述核结构的表面划分为第一区域和第二区域，所述第一区域与所述壳结构接触连接，所述第二区域与所述壳结构之间具有空隙，所述空隙靠近所述第二辅助功能层一侧。
[0007]可选地，在本专利技术实施例提供的上述电致发光器件中，所述第一辅助功能层为空穴传输层，所述第二辅助功能层为电子传输层。
[0008]可选地，在本专利技术实施例提供的上述电致发光器件中，所述第一区域与所述壳结构之间通过共价键连接。
[0009]可选地，在本专利技术实施例提供的上述电致发光器件中，所述空隙的最大高度为3nm～7nm。
[0010]可选地，在本专利技术实施例提供的上述电致发光器件中，所述第一区域的面积小于所述第二区域的面积。
[0011]可选地，在本专利技术实施例提供的上述电致发光器件中，所述核结构的材料包括CdS、CdSe、InP、ZnSe、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdSe/ZnSe至少其中之一。
[0012]可选地，在本专利技术实施例提供的上述电致发光器件中，所述壳结构的材料包括ZnSe、ZnS至少其中之一。
[0013]相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述电致发光器件。
[0014]相应地，本专利技术实施例还提供了一种电致发光器件的制备方法，包括：
[0015]在衬底基板上一层形成层叠设置的第一电极、第一辅助功能层、量子点发光层、第二辅助功能层和第二电极；其中，所述量子点发光层的量子点包括核结构以及包围所述核结构的壳结构，所述核结构的表面划分为第一区域和第二区域，所述第一区域与所述壳结构接触连接，所述第二区域与所述壳结构之间具有空隙，所述空隙靠近所述第二辅助功能层一侧。
[0016]可选地，在本专利技术实施例提供的上述制备方法中，制备所述量子点具体包括：
[0017]制备核结构的溶液；其中，所述核结构表面的配体为水溶性配体，所述核结构表面划分为第一区域和第二区域；
[0018]在所述核结构的表面形成中间层；其中，通过控制反应时间使得所述中间层包覆所述核结构表面的第二区域，所述中间层的材料包括SiO2；
[0019]在所述中间层的表面形成壳结构；所述核结构表面的第一区域与所述壳结构接触连接，所述壳结构表面的配体为水溶性配体；
[0020]去除所述中间层，在所述核结构表面的第二区域与所述壳结构之间形成空隙，得到所述量子点。
[0021]本专利技术实施例的有益效果如下：
[0022]本专利技术公开了一种电致发光器件及其制备方法、显示装置，该电致发光器件中量子点发光层的量子点相当于一种蛋黄壳结构的量子点，在该电致发光器件为正置电致发光器件时，依靠重力作用，量子点中重的部分(第一区域与壳结构接触的一侧)能够与其底层的第一辅助功能层(空穴传输层)接触设置，而量子点中轻的部分(有空隙一侧)与其上层的第二辅助功能层(电子传输层)接触设置。在电致发光器件工作时，阴极中的电子经过电子传输层进入量子点壳结构之后，需要经过一个空隙到达核结构，此空隙可以作为电子阻挡层来降低电子的注入，量子点中没有空隙的一侧与空穴传输层直接接触，在一定程度上提高空穴的注入，使得电子和空穴注入更加平衡，从而提高电致发光器件的效率及寿命。并且，本专利技术通过在量子点内部引入电子阻挡层，能够减少现有技术在制作电致发光器件时在电子传输层和量子点发光层之间单独制作一层电子阻挡层的工序。
附图说明
[0023]图1为本专利技术实施例提供的正置结构的电致发光器件的结构示意图；
[0024]图2为本专利技术实施例提供的一种量子点的平面剖面结构示意图；
[0025]图3为本专利技术实施例提供的一种量子点的立体剖面结构示意图；
[0026]图4为本专利技术实施例提供的又一种量子点的平面剖面结构示意图；
[0027]图5为本专利技术实施例提供的又一种量子点的平面剖面结构示意图；
[0028]图6为本专利技术实施例提供的一种量子点的制备方法的流程示意图；
[0029]图7A
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图7D为本专利技术实施例在制备量子点时在执行每一步骤之后的结构示意图；
[0030]图8A
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图8D为本专利技术实施例在制备图1所示的电致发光器件时在执行每一步骤之后的结构示意图。
具体实施方式
[0031]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0032]除非另外定义，本专利技术使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0033]需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。并且自始至本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底基板、第一电极、第一辅助功能层、量子点发光层、第二辅助功能层和第二电极；所述量子点发光层的量子点包括核结构以及包围所述核结构的壳结构，所述核结构的表面划分为第一区域和第二区域，所述第一区域与所述壳结构接触连接，所述第二区域与所述壳结构之间具有空隙，所述空隙靠近所述第二辅助功能层一侧。2.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一辅助功能层为空穴传输层，所述第二辅助功能层为电子传输层。3.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一区域与所述壳结构之间通过共价键连接。4.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述空隙的最大高度为3nm～7nm。5.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一区域的面积小于所述第二区域的面积。6.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述核结构的材料包括CdS、CdSe、InP、ZnSe、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdSe/ZnSe至少其中之一。7.如权利要求5所述的电致发光器件，其特征在于，所述壳结构的材料包括ZnSe、Z...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：