一种纳米材料及其制备方法、电子传输薄膜及光电器件技术

本申请公开了一种纳米材料，包括ZnO纳米颗粒及包覆在所述ZnO纳米颗粒表面的金属氢氧化物层。所述金属氢氧化物层可以有效地钝化所述ZnO纳米颗粒表面的缺陷态，从而减少ZnO纳米颗粒表面的缺陷数量，提升ZnO纳米颗粒的稳定性，并降低纳米材料的电子迁移率。另，本申请还公开了一种所述纳米材料的制备方法，包括所述纳米材料的电子传输薄膜及光电器件。纳米材料的电子传输薄膜及光电器件。纳米材料的电子传输薄膜及光电器件。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米材料及其制备方法、电子传输薄膜及光电器件


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种纳米材料、所述纳米材料的制备方法、包括所述纳米材料的电子传输薄膜、及包括所述电子传输薄膜的光电器件。

技术介绍

[0002]氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙半导体材料，在室温下的带隙能为3.37eV，有着优异的光电特性，例如，电子迁移率高，能带排列良好，且对水敏感性低，稳定性高，而被作为电子传输材料广泛用于太阳能电池、光电探测器及电致发光器件等光电器件中。
[0003]但是，电子传输层中的ZnO与光电器件的发光层通常直接接触，ZnO表面的缺陷态会引起发光层与电子传输层的界面处的激子淬灭及量子点淬灭，而导致光电器件的性能降低，如电流效率、外量子效率及寿命等降低。此外，由于ZnO的电子迁移率较高且电子注入势垒较低，光电器件中注入发光层中的电子远多于空穴，使得发光层中的电子
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空穴注入不平衡，而发光层中多余的电子会导致发光层中的发光材料如量子点带电，产生非辐射俄歇复合能量损失，而引起量子点淬灭，使量子点的荧光电子效率大幅降低，使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米材料，其特征在于：所述纳米材料包括ZnO纳米颗粒及包覆在所述ZnO纳米颗粒表面的金属氢氧化物层。2.如权利要求1所述的纳米材料，其特征在于：所述金属氢氧化物选自Mg(OH)2、Li OH及Ga(OH)3中的至少一种。3.如权利要求1所述的纳米材料，其特征在于：所述纳米材料中，ZnO与金属氢氧化物中的金属离子的摩尔比的范围为(5:1)
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(20:1)。4.如权利要求1所述的纳米材料，其特征在于：所述金属氢氧化物层的厚度范围为0.5
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5nm。5.如权利要求1所述的纳米材料，其特征在于：所述ZnO纳米颗粒为掺杂型ZnO纳米颗粒,所述掺杂型ZnO纳米颗粒中的掺杂元素选自Mg、Li及Ga中的至少一种。6.如权利要求5所述的纳米材料，其特征在于：所述掺杂型ZnO纳米颗粒中的掺杂元素的摩尔百分含量的范围为1
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30％。7.一种纳米材料的制备方法，包括如下步骤：提供ZnO纳米颗粒及金属盐；将所述ZnO纳米颗粒及金属盐溶于有机溶剂中，得到包含ZnO纳米颗粒的金属盐溶液，其中，所述包含ZnO纳米颗粒的金属盐溶液中，ZnO纳米颗粒的浓度范围为0.5
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2mg/mL；提供碱溶液，将所述碱溶液加入所述包含ZnO纳米颗粒的金属盐溶液中，得到反应液；向所述反应液中加入沉淀剂，得到纳米材料，所述纳米材料包括ZnO纳米颗粒及包覆在所述ZnO纳米颗粒表面的金属氢氧化物层。8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述ZnO与所述金属盐中的金属离子的摩尔比的范围为(5:1)
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(20:1)。9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述金属盐选自镁盐、锂盐及镓盐中的至少一种，所述镁盐选自乙酸镁、硝酸镁、硫酸镁及氯化镁中的至少一种；所述锂盐选自乙酸锂、硝酸锂、硫酸锂及氯化锂中的至少一种；所述镓盐选自乙酸镓、硝酸镓、硫酸镓及氯化镓中的至少一种。10.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述碱溶液中的碱选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂、四甲基氢氧化铵、乙醇胺及乙二胺中的至少一种；和/或所述碱溶液中的溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、乙二醇单甲醚及二甲基亚砜中的至少一种；和/或所述有机溶剂选自甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、乙二醇单甲醚及二甲基亚砜中的至少一种。11.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于：所述金属盐溶液的温度为
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0℃。12.一种电子传输薄膜，其特征在于：所述电子传输薄膜中包括权利要求1
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6任意一项所述的纳米材料，或者所述电子传输薄膜中包括由权利要求7
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11任意一项所述的制备方法制得的纳米材料。13.一种光电器件，包括层叠设置的阳极、发光层、电子传输层及阴极，其特征在于：所述电子传输层中包括权利要求1
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6任意一项所述的纳米材料，或者所述电子传输层中包括由权利要求7
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11任意一项所述的制备方法制得的纳米材料，或者所述电子传输层为权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：周礼宽，杨一行，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：