发光器件、发光器件的制备方法及显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，所述发光器件中电子传输层的材料包括金属氧化物纳米片和金属氧化物纳米针，金属氧化物纳米片与金属氧化物纳米针能够彼此填补对方的结构空隙，相较于材料为金属氧化物纳米颗粒的电子传输层，本申请实施例中发光器件的电子传输层具有膜层致密性高且比表面积较大的优点，从而增大电子传输层与发光层之间的有效接触面积，促进电子注入，进而提高发光器件的光电性能和使用寿命，所述发光器件的制备方法具有工序简单、适用于工业化生产的优点，将所述发光器件或所述发光器件的制备方法制得的发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和使用寿命。提高显示装置的显示效果和使用寿命。提高显示装置的显示效果和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
发光器件、发光器件的制备方法及显示装置


[0001]本申请涉及光电
，具体涉及一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置。

技术介绍

[0002]发光器件包括但不限于是有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)，发光器件通常为“三明治”结构，包括依次设置的阳极、发光层和阴极。发光器件的发光原理是：电子从器件的阴极注入至发光层，空穴从器件的阳极注入至发光层，电子和空穴在发光层复合形成激子，复合后的激子通过辐射跃迁的形式释放光子，从而发光。
[0003]在发光器件中，阴极与发光层之间通常还会设置电子传输层，金属氧化物纳米颗粒是用于制备电子传输层的材料之一。由于在采用金属氧化物纳米颗粒制得的电子传输层中，由金属氧化物纳米颗粒形成的纳米晶体阵列具有排列疏松的特性，所以电子传输层的膜层致密性较低且比表面积较小，使得电子传输层与发光层之间的有效接触面积较小，导致电子向发光层注入困难的问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：阳极；阴极，与所述阳极相对设置；发光层，设置于所述阳极与所述阴极之间；以及电子传输层，设置于所述发光层与所述阴极之间；其中，所述电子传输层的材料包括金属氧化物纳米片和金属氧化物纳米针。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属氧化物纳米片选自ZnO纳米片、SnO2纳米片、ITO纳米片、Fe2O3纳米片、CrO3纳米片、TiO2纳米片、WO3纳米片、CdO纳米片、CuO纳米片以及MoO2纳米片中的至少一种，所述金属氧化物纳米针自ZnO纳米针、SnO2纳米针、ITO纳米针、Fe2O3纳米针、CrO3纳米针、TiO2纳米针、WO3纳米针、CdO纳米针、CuO纳米针以及MoO2纳米针中的至少一种。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述金属氧化物纳米片为ZnO纳米片，且所述金属氧化物纳米针为ZnO纳米针；所述ZnO纳米片与所述ZnO纳米针交错排列，且所述ZnO纳米针设置于相邻的所述ZnO纳米片之间的空隙中。4.根据权利要求2所述的发光器件，，其特征在于，所述金属氧化物纳米片为ZnO纳米片，且所述金属氧化物纳米针为ZnO纳米针；所述ZnO纳米片与所述ZnO纳米针呈无序混杂排列。5.根据权利要求3或4所述的发光器件，其特征在于，在所述电子传输层中，所述ZnO纳米片：所述ZnO纳米针的数量比为(0.5～0.6)：1。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为有机发光材料或量子点，所述有机发光材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点选自II
‑
VI族化合物、III
‑
V族化合物、IV
‑
VI族化合物和I
‑
III
‑
VI族化合物中的至少一种，其中，所述II
‑
VI族化合物选自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe以及HgZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs以及InAlPSb中的至少一种，所述IV
‑
VI族化合物选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe以及SnPbSTe中的至少一种，所述I
‑
III
‑
VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2和AgInS2中的至少一种。7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括空穴传输层，所述空穴传输层设置于所述阳极与所述发光层之间，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
CO
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)二苯胺)、3
‑
己基取...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗强，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：