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本发明的实施例提供了一种MRAM器件，包括：第一介电层，位于衬底上方且具有第一开口；第二介电层，位于第一介电层上方并且具有第二开口；可变电阻存储单元，包括第一电极、第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的磁性隧道结层，第一电极位于第一开口...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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