切换元件和存储装置制造方法及图纸

本公开涉及切换元件和存储装置。实施例提供了一种包括具有优异特性的切换元件的存储装置。根据一个实施例，一种切换元件包括：第一导电层；第二导电层；以及切换材料层，其设置在第一导电层和第二导电层之间并且由包含添加元素的绝缘材料形成。切换材料层包括第一界面区域和第二界面区域，第一界面区域包括第一导电层和切换材料层之间的第一界面，第二界面区域包括第二导电层和切换材料层之间的第二界面。切换材料层中的添加元素的浓度在第一界面区域中具有第一峰。区域中具有第一峰。区域中具有第一峰。

【技术实现步骤摘要】
切换元件和存储装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求2021年12月15日提交的申请号为2021
‑
203411的日本专利申请和2022年8月30日提交的申请号为17/898812的美国专利申请的优先权，这些申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本文所述的实施例一般地涉及切换元件和存储装置。

技术介绍

[0004]提出了一种存储装置，其中，在半导体衬底上集成存储器基元(memory cell)，每个存储器基元包括诸如磁阻效应元件的可变电阻存储元件和选择器(例如，切换元件)。

技术实现思路

[0005]实施例提供了一种包括具有优异特性的切换元件的存储装置。
[0006]一般而言，根据一个实施例，所述切换元件包括：第一导电层；第二导电层；以及切换材料层，其设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间并且由包含添加元素的绝缘材料形成。所述切换材料层包括第一界面区域和第二界面区域，所述第一界面区域包括所述第一导电层和所述切换材料层之间的第一界面，所述第二界面区域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种切换元件，包括：第一导电层；第二导电层；以及切换材料层，其设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间并且由包含添加元素的绝缘材料形成，所述切换材料层包括第一界面区域和第二界面区域，所述第一界面区域包括所述第一导电层和所述切换材料层之间的第一界面，所述第二界面区域包括所述第二导电层和所述切换材料层之间的第二界面，其中所述切换材料层中的所述添加元素的浓度在所述第一界面区域中具有第一峰。2.根据权利要求1所述的切换元件，其中所述切换材料层中的所述添加元素的所述浓度与从所述第一界面区域朝向所述第二界面的距离成比例地减小。3.根据权利要求2所述的切换元件，其中，所述第一峰位于所述第一界面处。4.根据权利要求2所述的切换元件，其中，所述第一峰位于所述第一界面区域中远离所述第一界面的位置处。5.根据权利要求1所述的切换元件，其中所述切换材料层中的所述添加元素的所述浓度在所述第二界面区域中具有第二峰。6.根据权利要求1所述的切换元件，其中所述第一导电层包含选自钴(Co)、钼(Mo)、钌(Ru)、钽(Ta)、铂(Pt)和钨(W)的元素。7.根据权利要求1所述的切换元件，其中在与从所述第一导电层朝向所述第二导电层的方向垂直的平面中，所述切换材料层中的所述添加元素的所述浓度是不均匀的。8.一种切换元件，包括：第一导电层；第二导电层；以及切换材料层，其设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间并且由包含添加元素的绝缘材料形成，其中所述切换材料层包括第一层部分以及设置在所述第二导电层和所述第一层部分之间的第二层部分，所述第一层部分中的所述添加元素的浓度高于所述第二层部分中的所述添加元素的浓度，以及所述第一层部分中的所述添加元素的所述浓度基本均匀，并且所述第二层部分中的所述添加元素的所述浓度基本均匀。9.根据权利要求8所述的切换元件，其中所述切换材料层还包括设置在所述第二导电层和所述第二层部分之间的第三层部分，以及所述第三层部分中的所述添加元素的浓度高于所述第二层部分中的所述添加元素的所述浓度，并且所述第三层部分中的所述添加元素的所述浓度基本均匀。10.根据权利要求8所述的切换元件，其中所述绝缘材料包括包含硅(Si)和氧(O)的材料、包含锆(Zr)...

【专利技术属性】
技术研发人员：板井翔吾，松泽一也，中山昌彦，金谷宏行，杉山英行，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：