具有倾斜侧边缘部的成角度的光栅耦合器制造技术

本公开涉及具有倾斜侧边缘部的成角度的光栅耦合器。用于光栅耦合器的结构和制造用于光栅耦合器的结构的方法。该结构包括具有中心部和边缘部的光栅耦合器。中心部和边缘部限定侧壁，并且中心部和边缘部具有第一纵轴，边缘部沿第一纵轴以间隔关系排列。每个边缘部相对于第一纵轴以一角度从侧壁突出。波导芯光学耦合到光栅耦合器。第一纵轴在第一方向上对齐，并且波导芯具有第二纵轴，第二纵轴在不同于第一方向的第二方向上对齐。一方向的第二方向上对齐。一方向的第二方向上对齐。

【技术实现步骤摘要】
具有倾斜侧边缘部的成角度的光栅耦合器


[0001]本公开涉及光子学芯片，更具体地涉及用于光栅耦合器的结构和制造用于光栅耦合器的结构的方法。

技术介绍

[0002]光子学芯片用于许多应用和系统，包括但不限于数据通信系统和数据计算系统。光子学芯片将光学部件(例如波导、光电探测器、调制器和光功率分配器)和电子部件(例如场效应晶体管)集成到统一平台中。通过在同一芯片上集成两种类型的部件，可以减小诸如布局面积、成本和操作开销的因素。
[0003]光栅耦合器常用于光子学芯片，以在光探测和测距(LiDAR)系统中提供天线，以及为相控阵列提供天线。光栅耦合器可以以给定的发射角度将脉冲光从芯片导出或接收脉冲光。传统光栅耦合器效率低或缺乏紧凑性，并且对制造变动性不稳健。
[0004]需要改进的用于光栅耦合器的结构和制造用于光栅耦合器的结构的方法。

技术实现思路

[0005]在实施例中，一种结构包括光栅耦合器，其具有中心部和多个边缘部。所述中心部和所述多个边缘部限定侧壁，所述中心部和所述多个边缘部具有第一纵轴，所述多个边缘部沿所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：光栅耦合器，其包括中心部和第一多个边缘部，所述中心部和所述第一多个边缘部限定第一侧壁，所述中心部和所述第一多个边缘部具有第一纵轴，所述第一多个边缘部沿所述第一纵轴以第一间隔关系排列，并且所述第一多个边缘部中的每一个相对于所述第一纵轴以第一角度从所述第一侧壁突出；以及波导芯，其光学耦合到所述光栅耦合器，所述波导芯具有第二纵轴，其中，所述第一纵轴在第一方向上对齐，所述第二纵轴在不同于所述第一方向的第二方向上对齐。2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述光栅耦合器包括第二多个边缘部，所述中心部和所述第二多个边缘部限定与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第二多个边缘部沿所述第一纵轴以第二间隔关系排列，并且所述第二多个边缘部中的每一个相对于所述第一纵轴以第二角度从所述第二侧壁突出。3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述第一角度等于所述第二角度。4.根据权利要求1所述的结构，其中，所述光栅耦合器包括通过所述中心部连接的第二多个边缘部，并且所述第一多个边缘部从横向于所述第一纵轴的所述中心部的第二侧突出。5.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一角度随着沿所述第一纵轴的位置而变化。6.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一多个边缘部在所述第一方向上具有随着沿所述第一纵轴的位置而变化的间距。7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一多个边缘部具有相等的第一角度。8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述光栅耦合器包括沿所述第一纵轴在层堆叠中交替的第一多个半导体层和第二多个半导体层，并且所述第二多个半导体层相对于所述第一多个半导体层在所述第一侧壁处凹陷，使得所述第一多个半导体层限定所述第一多个边缘部。9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述第一多个半导体层包括硅，所述第二多个半导体层包括硅锗。10.根据权利要求8所述的结构，其中，所述第一多个半导体层包括具有掺杂剂的第一浓度的硅，所述第二多个导体层包括具有所述掺杂剂的第二浓度的硅，所述掺杂剂的所述第二浓度大于所述掺杂剂的所述第一浓度。11.根据权利要求1所述的结构，还包括：与所述光栅耦合器的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：