光子结构制造技术

本公开涉及光子结构。光子系统包括光源和光子结构。光子结构包括光传输结构和光吸收结构。光传输结构被配置为传输与第一波长范围相关联的光。光吸收结构被配置为吸收与第二波长范围相关联的光。光源被配置为向光吸收结构提供波长在第二波长范围内的光束。光吸收结构被配置为当光束入射到光吸收结构上时生成热量并且向光传输结构提供热量。并且向光传输结构提供热量。并且向光传输结构提供热量。

【技术实现步骤摘要】
光子结构

技术介绍

[0001]集成光子器件是光子器件的分支，其中波导和其它光子器件被制造为衬底表面上的集成结构。例如，光子集成电路(PIC)可以使用半导体级材料(例如，硅、磷化铟、诸如二氧化硅或氮化硅的电介质等)作为平台，以将有源和无源光子电路与电子部件集成在单个芯片上。作为集成的结果，复杂光子电路可以以与电子集成电路如何处理和传输电子类似的方式处理和传输光(例如，光子)。

技术实现思路

[0002]在一些实施方式中，光子结构包括被设置在光子结构内的光传输结构；以及光吸收结构，其被设置在光子结构内并且邻近光传输结构的至少一个表面，其中：光传输结构被配置为传输与第一波长范围相关联的光，并且光吸收结构被配置为吸收与第二波长范围相关联的光，其中光吸收结构被配置为当波长在第二波长范围内的光束入射到光吸收结构上时生成热量并且向光传输结构提供热量。
[0003]在一些实施方式中，光子系统包括光源；以及光子结构，其包括光传输结构和光吸收结构，其中：光传输结构被配置为传输与第一波长范围相关联的光，光吸收结构被配置为吸收与第二波长范围相关联的光，光源被配置为将波本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光子结构，包括：光传输结构，被设置在所述光子结构内；以及光吸收结构，被设置在所述光子结构内并且与所述光传输结构的至少一个表面相邻，其中：所述光传输结构被配置为传输与第一波长范围相关联的光，并且所述光吸收结构被配置为吸收与第二波长范围相关联的光，其中所述光吸收结构被配置为当波长在所述第二波长范围内的光束入射到所述光吸收结构上时，生成热量并且向所述光传输结构提供所述热量。2.根据权利要求1所述的光子结构，其中所述光传输结构的一个或多个光学特性由于所述光吸收结构生成所述热量并且向所述光传输结构提供所述热量而改变。3.根据权利要求1所述的光子结构，其中所述光传输结构和所述光吸收结构被设置在所述光子结构的同一层内。4.根据权利要求1所述的光子结构，其中所述光传输结构和所述光吸收结构被设置在所述光子结构的不同层中。5.根据权利要求1所述的光子结构，其中所述光传输结构被配置为能够传输与所述第二波长范围相关联的光。6.根据权利要求1所述的光子结构，其中所述光吸收结构被设置在所述光传输结构的所述至少一个表面上。7.根据权利要求1所述的光子结构，其中所述光子结构还包括被设置在所述光子结构内的包层材料，其中所述包层材料的至少一部分被设置在所述光传输结构的所述至少一个表面和所述光吸收结构之间。8.根据权利要求7所述的光子结构，其中所述包层材料被配置为将由所述光吸收结构提供的所述热量热传导到所述光传输结构。9.根据权利要求1所述的光子结构，其中所述光子结构还包括光反射结构，所述光反射结构被设置在所述光子结构内并且被配置为反射与所述第二波长范围相关联的光，其中所述光反射结构被配置为当所述光束在特定入射角度范围内入射到所述光反射结构的表面上时将所述光束朝向所述光吸收结构反射。10.根据权利要求1所述的光子结构，其中所述光子结构还包括附加光传输结构，所述附加光传输结构被设置在所述光子结构内并且被配置为传输与所述第二波长范围相关联的光，其中所述附加光传输结构被配置为当所述光束入射到所述附加光传输结构的输入表面上时将所述光束传输到所述光吸收结构。11.根据权利要求1所述的光子结构，其中所述光子结构还包括附加光传输结构，所述附加光传输结构被设置在所述光子结构内并且被配置为传输与所述第二波长范围相关联的光，其中所述附加光传输结构被配置为经由倏逝耦合将光能传递到所述光吸收结构。12.一种光子系统，包括：光源；以及
光子结构，包括光传输结构和光吸收结构，其中：所述光传输结构被配置为传输与第一波长范围相关联的光，所述光吸收结构被配置为吸收与第二波长范围相关联的光，所述光源被配置...

【专利技术属性】
技术研发人员：W，
申请(专利权)人：VIAVI科技有限公司，
类型：发明
国别省市：