半导体器件的接触件特征及其形成方法技术

本公开涉及半导体器件的接触件特征及其形成方法。一种方法包括在源极/漏极区域之上形成电介质层。在电介质层中形成开口。开口暴露源极/漏极区域的一部分。在开口的侧壁和底部上形成导电内衬。对导电内衬的暴露表面执行表面改性工艺。表面改性工艺在导电内衬之上形成表面涂层。去除表面涂层，以暴露导电内衬。从开口的侧壁去除导电内衬。以自下而上的方式用导电材料填充开口。导电材料与导电内衬的剩余部分和电介质层实体接触。部分和电介质层实体接触。部分和电介质层实体接触。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的接触件特征及其形成方法


[0001]本公开涉及半导体器件的接触件特征及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体器件用于各种电子应用，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底之上按顺序沉积绝缘层或电介质层、导电层、和半导体材料层，并且使用光刻对各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件和元件。
[0003]半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件被集成到给定区域中。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一个方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在源极/漏极区域之上形成电介质层；在所述电介质层中形成开口，所述开口暴露所述源极/漏极区域的一部分；在所述开口的侧壁和底部上形成导电内衬；对所述导电内衬的暴露表面执行表面改性工艺，所述表面改性工艺在所述导电内衬之上形成表面涂层；去除所述表面涂层，以暴露所述导电内衬；从所述开口的侧壁去除所述导电内衬；以及以自下而上的方式用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：在源极/漏极区域之上形成电介质层；在所述电介质层中形成开口，所述开口暴露所述源极/漏极区域的一部分；在所述开口的侧壁和底部上形成导电内衬；对所述导电内衬的暴露表面执行表面改性工艺，所述表面改性工艺在所述导电内衬之上形成表面涂层；去除所述表面涂层，以暴露所述导电内衬；从所述开口的侧壁去除所述导电内衬；以及以自下而上的方式用导电材料填充所述开口，所述导电材料与所述导电内衬的剩余部分和所述电介质层实体接触。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面改性工艺包括将所述导电内衬的上层转变为所述表面涂层。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面改性工艺包括在所述导电内衬之上沉积所述表面涂层的材料。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面涂层包括金属材料或金属氮化物材料。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电内衬包括金属材料，并且所述表面涂层包括所述金属材料的氮化物。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电内衬包括钨或钴。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面涂层包括含钛钨、含钽钨、含硅钨、含钛钴、含钽钴或含硅钴。8.一种用于形成半导体器件的方法，包括：在外延源极/漏极区域之上沉积电介质层；蚀刻所述电介质层以在其中形成开口，所述开口暴露所述外延源极/漏极区域；在所述开口的侧壁和底部上沉积硅化物层；在所述开口中在硅化物层之上非共形地沉积导电内衬；对所述导电内衬的暴露表面执行表...

【专利技术属性】
技术研发人员：张佩珊，赵翊翔，黄俊贤，徐鹏皓，李佳杰，张淑兰，郑雅忆，陈靖怡，林威戎，张志维，蔡明兴，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：