LDMOS集成器件的制作方法技术

本发明专利技术提供的LDMOS集成器件的制作方法中，提供的半导体基底具有NLDMOS区和PLDMOS区；接着，于半导体基底上形成NLDMOS区上的介质层和PLDMOS区上的介质层，于NLDMOS区上的介质层上和/或PLDMOS区上的介质层上形成应力材料层，NLDMOS区上的介质层的厚度大于所述PLDMOS区上的介质层的厚度；然后，执行热处理，以调整应力材料层的应力，提升器件的电子迁移率；再去除应力材料层。如此，能够提升NLDMOS器件和/或PLDMOS器件的电子迁移率，实现在同一工艺流程中同时制备高性能NLDMOS和高性能PLDMOS；而且，NLDMOS区上的介质层的厚度大于PLDMOS区上的介质层的厚度，即既能使NLDMOS区的Big contact下的介质层厚度满足其RESURF需求，又能使PLDMOS区的Big contact下的介质层厚度满足其RESURF需求，可以整体提升LDMOS集成器件的Big contact的RESURF能力。contact的RESURF能力。contact的RESURF能力。

【技术实现步骤摘要】
LDMOS集成器件的制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种LDMOS集成器件的制作方法。

技术介绍

[0002]在BCD工艺开发中，涉及双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)、互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)器件和双扩散金属氧化物半导体(Diffused Metal Oxide Semiconductor，DMOS)器件等多项器件的共同开发。DMOS器件可以包括横向双扩散金属氧化物半导体场效应(LDMOS)器件和纵向双扩散金属氧化物半导体场效应(VDMOS)器件，由于LDMOS器件比VDMOS器件更容易与CMOS工艺兼容，因而被广泛用于集成电路设计中。
[0003]LDMOS集成器件包括N沟道LDMOS(NLDMOS)器件和P沟道LDMOS(PLDMOS)器件。在LDMOS集成器件的设计过程中，如何提高LDMOS集成器件的性能有待解决。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LDMOS集成器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底，所述半导体基底具有NLDMOS区和PLDMOS区；所述NLDMOS区中形成有P型体区和N型漂移区，所述P型体区内的顶部形成有N型源区，所述N型漂移区内的顶部形成有N型漏区，所述NLDMOS区上形成有第一栅极结构；所述PLDMOS区中形成有N型体区和P型漂移区，所述N型体区内的顶部形成有P型源区，所述P型漂移区内的顶部形成有P型漏区，所述PLDMOS区上形成有第二栅极结构；于所述半导体基底上形成所述NLDMOS区上的介质层和所述PLDMOS区上的介质层，于所述NLDMOS区上的介质层上和/或所述PLDMOS区上的介质层上形成应力材料层，所述NLDMOS区上的介质层的厚度大于所述PLDMOS区上的介质层的厚度；执行热处理，以调整所述应力材料层的应力，提升器件的电子迁移率；去除所述应力材料层。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述于所述半导体基底上形成所述NLDMOS区上的介质层和所述PLDMOS区上的介质层，于所述NLDMOS区上的介质层上和/或所述PLDMOS区上的介质层上形成应力材料层，所述NLDMOS区上的介质层的厚度大于所述PLDMOS区上的介质层的厚度，包括：仅于所述NLDMOS区上的介质层上形成张应力材料层。3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述于所述半导体基底上形成所述NLDMOS区上的介质层和所述PLDMOS区上的介质层，于所述NLDMOS区上的介质层上和/或所述PLDMOS区上的介质层上形成应力材料层，所述NLDMOS区上的介质层的厚度大于所述PLDMOS区上的介质层的厚度，包括：形成覆盖所述半导体基底和所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的介质材料层；形成覆盖所述介质材料层的张应力材料层；在所述张应力材料层上形成图形化的掩模层，所述掩模层至少暴露所述PLDMOS区上的张应力材料层，以所述掩模层为掩模，去除所述PLDMOS区上的张应力材料层，所述NLDMOS区上的剩余的张应力材料层至少覆盖所述N型漂移区；继续基于所述掩模层，所述掩模层至少暴露所述PLDMOS区上的介质材料层，刻蚀去除部分厚度的介质材料层，使得所述NLDMOS区上的至少所述N型漂移区上的介质材料层的厚度大于所述PLDMOS区上的剩余介质材料层的厚度，所述NLDMOS区上的剩余的介质材料层为所述NLDMOS区上的介质层，所述PLDMOS区上的剩余介质材料层为所述PLDMOS区上的介质层。4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述张应力材料层上形成图形化的掩模层，所述掩模层至少暴露所述PLDMOS区上的张应力材料层，以所述掩模层为掩模，去除所述PLDMOS区上的张应力材料层，所述NLDMOS区上的剩余的张应力材料层至少覆盖所述N型漂移区，包括：所述NLDMOS区上的剩余的张应力材料层还从所述N型源区经所述第一栅极结构延伸覆盖至所述N型漏区。5.如权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，所述PLDMOS区上的介质层的厚度为600埃～1200埃。6.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述介质材料层的厚度为1000埃～1800埃。
7.如权利要求2或3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：许超奇，陈淑娴，马春霞，张仪，徐鹏龙，林峰，曹瑞彬，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：