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本发明提供的LDMOS集成器件的制作方法中，提供的半导体基底具有NLDMOS区和PLDMOS区；接着，于半导体基底上形成NLDMOS区上的介质层和PLDMOS区上的介质层，于NLDMOS区上的介质层上和/或PLDMOS区上的介质层上形成应力...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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