形成集成电路器件的方法及通过其形成的集成电路器件技术

提供了集成电路器件和形成该集成电路器件的方法。该方法可以包括提供初步晶体管堆叠，该初步晶体管堆叠包括在衬底上的上牺牲层、在衬底和上牺牲层之间的上有源区、在衬底和上有源区之间的下牺牲层、以及在衬底和下牺牲层之间的下有源区。该方法还可以包括：在下有源区的相应的相反侧表面上形成下源极/漏极区；在下源极/漏极区的第一下源极/漏极区上形成初步覆盖层，初步覆盖层包括半导体材料；将初步覆盖层转变为包括绝缘材料的覆盖层；以及在上有源区的相应的相反侧表面上形成上源极/漏极区。漏极区。漏极区。

【技术实现步骤摘要】
形成集成电路器件的方法及通过其形成的集成电路器件


[0001]本公开总体上涉及电子学领域，更具体地，涉及包括堆叠晶体管的集成电路器件。

技术介绍

[0002]引入了包括堆叠晶体管(诸如互补场效应晶体管(CFET)堆叠)的集成电路器件，以将其面积减小到接近对应非堆叠器件面积的一半。堆叠晶体管包括垂直堆叠的导电元件，在那些堆叠的导电元件之间实现电隔离可能增加制造工艺的难度和复杂性。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术构思的一些实施方式，形成集成电路器件的方法可以包括提供初步晶体管堆叠，该初步晶体管堆叠包括在衬底上的上牺牲层、在衬底和上牺牲层之间的上有源区、在衬底和上有源区之间的下牺牲层、以及在衬底和下牺牲层之间的下有源区。该方法还可以包括：在下有源区的相应的相反侧表面上形成下源极/漏极区；在下源极/漏极区的第一下源极/漏极区上形成初步覆盖层，初步覆盖层包括半导体材料；将初步覆盖层转变为包括绝缘材料的覆盖层；以及在上有源区的相应的相反侧表面上形成上源极/漏极区。
[0004]根据本专利技术构思的一些实施方式，形成集成电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：提供初步晶体管堆叠，所述初步晶体管堆叠包括：在衬底上的上牺牲层；在所述衬底和所述上牺牲层之间的上有源区；在所述衬底和所述上有源区之间的下牺牲层；以及在所述衬底和所述下牺牲层之间的下有源区；在所述下有源区的相应的相反侧表面上形成下源极/漏极区；在所述下源极/漏极区的第一下源极/漏极区上形成初步覆盖层，所述初步覆盖层包括半导体材料；将所述初步覆盖层转变为包括绝缘材料的覆盖层；以及在所述上有源区的相应的相反侧表面上形成上源极/漏极区。2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述初步覆盖层包括使用所述下源极/漏极区的所述第一下源极/漏极区作为籽晶层来执行外延生长工艺。3.根据权利要求1所述的方法，其中转变所述初步覆盖层包括对所述初步覆盖层执行氧化工艺和/或氮化工艺。4.根据权利要求3所述的方法，其中执行所述氧化工艺和/或所述氮化工艺包括使用包括氧气、氮气和/或氨气的气体执行等离子体氧化和/或等离子体氮化。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述初步覆盖层包括硅层或硅锗层。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述覆盖层包括硅氧化物层、硅氮氧化物层、硅氮化物层、硅锗氮化物层或锗氮化物层。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述覆盖层在所述下源极/漏极区的所述第一下源极/漏极区的表面上具有均匀的厚度。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述下源极/漏极区的所述第一下源极/漏极区和所述初步覆盖层通过使用所述下有源区作为籽晶层的单个外延工艺形成。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述初步晶体管堆叠还包括在所述上有源区的所述相应的相反侧表面上的栅极衬垫层，以及所述方法还包括在形成所述上源极/漏极区之前去除所述栅极衬垫层。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述初步晶体管堆叠还包括：上内间隔物，接触所述上牺牲层的相应的相反侧表面；以及下内间隔物，接触所述下牺牲层的相应的相反侧表面。11.一种形成集成电路器件的方法，所述方法包括：提供初步晶体管堆叠，所述初步晶体管堆叠包括：在衬底上的上牺牲层；在所述衬底和所述上牺牲层之间的上有源区；在所述衬底和所述上有源区之间的下牺牲层；以及在所述衬底和所述下牺牲层之间的下有源区；在所述下有源区的相应的相反侧表面上形成下源极/漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：何铭，河大元，H辛卡，朴宰贤，M萨雷姆，R帕克，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：