半导体结构及半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构及半导体结构的形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层包括：第二区和位于所述第二区上的第一区，且所述第一区内具有若干相互分立的初始第一纳米线，所述第二区内具有若干相互分立的初始第二纳米线；刻蚀所述第一区的介质层和初始第一纳米线，在所述第一区内形成第一开口，且使所述初始第一纳米线形成第一纳米线；刻蚀所述第一开口底部的介质层和初始第二纳米线，在所述第二区内形成第二开口，且使所述初始第二纳米线形成第二纳米线；在所述第二开口内形成第二源漏层；在所述第二源漏层表面形成隔离层；在所述第一开口内形成第一源漏层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。所述方法形成的半导体结构的性能较好。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，苏博，肖杏宇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：