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一种半导体结构及半导体结构的形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底上具有介质层,所述介质层包括:第二区和位于所述第二区上的第一区,且所述第一区内具有若干相互分立的初始第一纳米线,所述第二区内具有若干相互分立的初始第二纳米线;刻蚀所述第一...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及半导体结构的形成方法,其中方法包括:提供基底,所述基底上具有介质层,所述介质层包括:第二区和位于所述第二区上的第一区,且所述第一区内具有若干相互分立的初始第一纳米线,所述第二区内具有若干相互分立的初始第二纳米线;刻蚀所述第一...