半导体器件及其制造方法技术

介绍了半导体器件及其制造方法，该方法在半导体衬底上方形成金属化层；在金属化层上方形成第一焊盘；在第一焊盘上方沉积一个或多个钝化层；以及穿过一个或多个钝化层并且至少部分穿过第一焊盘形成第一接合焊盘通孔。分穿过第一焊盘形成第一接合焊盘通孔。分穿过第一焊盘形成第一接合焊盘通孔。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种提高来自于最小部件尺寸的重复减小(例如，将半导体工艺节点向20nm以下节点缩小)，这允许更多的组件集成至给定的区域中。随着最近对小型化、更高速度和更大带宽以及更低功耗和延迟的需求不断增长，对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求也在增长。
[0003]随着半导体技术的进一步发展，堆叠的半导体器件(例如，3D集成电路(3DIC))已经成为进一步减小半导体器件的物理尺寸的有效手段。在堆叠的半导体器件中，在不同的半导体晶圆上制造诸如逻辑、存储器、处理器电路等的有源电路。两个或多个半导体晶圆可以安装在彼此的顶部上以进一步减小半导体器件的形状因数。但是，期望这些器件进一步改进以及它们如何连接在一起，以进一步减小尺寸并且提高器件的操作特性。

技术实现思路

[0004]本申请的一些实施例提供了一种制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成金属化层；在所述金属化层上方形成第一焊盘；在所述第一焊盘上方沉积一个或多个钝化层；以及穿过所述一个或多个钝化层并且至少部分穿过所述第一焊盘形成第一接合焊盘通孔。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一焊盘包括铝和铜。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一接合焊盘通孔形成具有圆化拐角的所述接合焊盘通孔。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述第一接合焊盘通孔接合至第二接合焊盘通孔。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在沉积所述一个或多个钝化层之前在所述第一焊盘上方沉积第一蚀刻停止层。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一接合焊盘通孔形成完全穿过所述第一焊盘并且不接触所述第一焊盘的所述第一接合焊盘通孔。7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一接合焊盘通孔形成部分穿过所述第一焊盘并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡承祐，杨固峰，吴仓聚，邱文智，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：