半导体器件及其形成方法技术

在实施例中，器件包括：集成电路管芯，包括管芯连接件；介电层，位于集成电路管芯上；凸块下金属层，具有位于介电层上的线部分并且具有延伸穿过介电层以接触管芯连接件的通孔部分；通孔，位于凸块下金属层的线部分上，通孔具有接近管芯连接件的第一弯曲侧壁，通孔具有远离管芯连接件的第二弯曲侧壁，第一弯曲侧壁具有比第二弯曲侧壁长的弧长；以及密封剂，位于通孔和凸块下金属层周围。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。半导体器件及其形成方法。半导体器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高源于最小部件尺寸的迭代减小，这允许更多组件集成至给定区域中。随着对缩小电子器件的需求不断增长，出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：集成电路管芯，包括管芯连接件；介电层，位于所述集成电路管芯上；凸块下金属层，具有位于所述介电层上的线部分并且具有延伸穿过所述介电层以接触所述管芯连接件的通孔部分；通孔，位于所述凸块下金属层的所述线部分上，所述通孔具有接近所述管芯连接件的第一弯曲侧壁，所述通孔具有远离所述管芯连接件的第二弯曲侧壁，所述第一弯曲侧壁具有比所述第二弯曲侧壁长的弧长；以及密封剂，位于所述通孔和所述凸块下金属层周围。
[0004]本申请的另一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一集成电路管芯；第二集本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：集成电路管芯，包括管芯连接件；介电层，位于所述集成电路管芯上；凸块下金属层，具有位于所述介电层上的线部分并且具有延伸穿过所述介电层以接触所述管芯连接件的通孔部分；通孔，位于所述凸块下金属层的所述线部分上，所述通孔具有接近所述管芯连接件的第一弯曲侧壁，所述通孔具有远离所述管芯连接件的第二弯曲侧壁，所述第一弯曲侧壁具有比所述第二弯曲侧壁长的弧长；以及密封剂，位于所述通孔和所述凸块下金属层周围。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一弯曲侧壁和所述第二弯曲侧壁是凹侧壁。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述凹侧壁与所述凸块下金属层的所述线部分的顶面形成钝角。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述通孔的中心部分具有第一宽度，所述通孔的末端部分每个具有第二宽度，并且所述第二宽度大于所述第一宽度。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一弯曲侧壁和所述第二弯曲侧壁是凸侧壁。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述凸侧壁与所述凸块下金属层的所述线部分的顶面形成锐角。7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述通孔的中心部分具有第一宽度，所述通孔的末端部分每个具有第二宽度，并且所述第二宽度小于所述第一宽度。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凸块下金属层包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊仁，白伟均，何承蔚，邱胜焕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：