集成电路系统及形成集成电路的方法技术方案

本申请的实施例提供了集成电路系统及形成集成电路的方法。示例性方法包括接收包括晶体管和多层互连的标准单元的器件布局。多层互连件包括电源线、信号线、连接到电源线和晶体管的源极的源极接触件、以及连接到信号线中的一个和晶体管的漏极的漏极接触件。该方法包括修改标准单元的器件布局。例如，如果标准单元的性能对与电源相关的特征敏感，则扩大电源线和源极接触件，并且缩小信号线和漏极接触件。如果标准单元的性能对与信号相关的特征敏感，则缩小电源线和源极接触件，并且扩大信号线和漏极接触件。在修改器件布局之后，标准单元的单元高度相同。单元高度相同。单元高度相同。

【技术实现步骤摘要】
集成电路系统及形成集成电路的方法


[0001]本申请的实施例涉及集成电路系统及形成集成电路的方法。

技术介绍

[0002]集成电路(IC，integrated circuit)产业经历了指数级增长。IC材料和设计的技术进步产生了几代IC，每一代的电路都比上一代更小、更复杂。在IC演进过程中，功能密度(即每芯片面积的互连器件的数量)普遍增加，而几何尺寸(即可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))减少。这种按比例缩小的过程通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。然而，这种按比例缩小也增加了IC加工和制造的复杂性，为了实现这些进步，需要在IC加工和制造方面进行类似的发展。例如，由于多层互连(MLI，multilayer interconnect)部件随着IC部件尺寸的不断缩小而变得更加紧凑，MLI部件的互连表现出增加的电阻和增加的电容，这对性能、产量和成本提出了挑战。基于逻辑的IC的性能特别容易受到这种电阻和/或电容增加的影响。因此需要对基于逻辑的IC的MLI部件进行改进。

技术实现思路

[0003]根据本的实施例的一个方面，提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成集成电路的方法，包括：接收标准单元的集成电路布局，所述标准单元具有单元高度，其中，所述集成电路布局包括电源线、信号线、连接到所述电源线的第一源极/漏极通孔和连接到所述信号线的第二源极/漏极通孔；调整所述电源线、所述信号线、所述第一源极/漏极通孔和所述第二源极/漏极通孔的尺寸，以生成具有所述单元高度的所述标准单元的修改的集成电路布局，其中：所述尺寸的所述调整基于所述标准单元的期望性能优化，并且所述尺寸的所述调整包括将电源线尺寸与信号线尺寸相关联、将所述电源线尺寸与第一源极/漏极通孔尺寸相关联、以及将所述信号线尺寸与第二源极/漏极通孔尺寸相关联，使得所述电源线尺寸的变化与所述信号线尺寸、所述第一源极/漏极通孔尺寸和所述第二源极/漏极通孔尺寸的变化相对应；以及基于所述修改的集成电路布局制造所述标准单元。2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述期望性能优化为电源性能优化，所述电源线尺寸为电源线宽度，所述信号线尺寸为信号线宽度；所述电源线宽度、所述信号线宽度、所述第一源极/漏极通孔尺寸和所述第二源极/漏极通孔尺寸沿着相同方向；并且所述尺寸的调整包括：增加所述电源线宽度和所述第一源极/漏极通孔尺寸，并且减小所述信号线宽度和所述第二源极/漏极通孔尺寸。3.根据权利要求1所述的方法，其中：所述期望性能优化为信号性能优化，所述电源线尺寸为电源线宽度，所述信号线尺寸为信号线宽度；所述电源线宽度、所述信号线宽度、所述第一源极/漏极通孔尺寸和所述第二源极/漏极通孔尺寸沿着相同方向；并且所述尺寸的调整包括：增加所述信号线宽度和所述第二源极/漏极通孔尺寸，并且减小所述电源线宽度和所述第一源极/漏极通孔尺寸。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述集成电路布局还包括通孔和导线，其中，所述通孔将所述导线连接到所述信号线，并且所述方法还包括：调整所述通孔和所述导线的尺寸以生成具有所述单元高度的所述标准单元的所述修改的集成电路布局，其中：所述尺寸的所述调整包括将通孔尺寸与所述信号线尺寸相关联以及将导线尺寸与所述信号线尺寸相关联，使得所述通孔尺寸和所述导线尺寸的变化与所述信号线尺寸的变化相对应。5.根据权利要求4所述的方法，其中：所述电源线尺寸为电源线宽度，所述信号线尺寸为信号线宽度，并且所述导线尺寸为导线宽度；所述电源线宽度、所述信号线宽度、所述第一源极/漏极通孔尺寸、所述第二源极/漏极
通孔尺寸以及所述通孔尺寸沿着第一方向，并且所述导线宽度沿着第二方向；并且所述尺寸的调整包括：当所述期望性能优化为电源性能优化时，增加所述电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：董雨陇，王小东，廖忠志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：