半导体器件及其制造方法技术

本公开描述了具有铁电存储器的半导体器件，该铁电存储器具有改进的循环后保留(RAC)存储器窗口(MW)性能。该半导体器件包括在衬底上的互连结构、在互连结构上的第一电极、在第一电极上的铁电层以及在铁电层上的第二电极。第一电极包括具有大于金属浓度的氮浓度的金属氮化物导电材料。铁电层包括铁电材料。第二电极包括金属氮化物导电材料。本公开的实施例还涉及一种制造半导体器的方法。还涉及一种制造半导体器的方法。还涉及一种制造半导体器的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本申请的实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的进步，对更高存储容量、更快处理系统、更高性能和更低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体行业不断缩小半导体器件的尺寸，诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括平面MOSFET和鳍式场效应晶体管(FinFET)。这种按比例缩小增加了半导体制造工艺的复杂性和对电子存储器的要求。

技术实现思路

[0003]根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，半导体器件包括位于衬底上的互连结构、位于互连结构上的第一电极、位于第一电极上的铁电层和位于铁电层上的第二电极。第一电极包括金属氮化物导电材料，金属氮化物导电材料具有大于金属浓度的氮浓度。铁电层包括铁电材料。第二电极包括金属氮化物导电材料。
[0004]根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件，半导体器件包括位于衬底上的晶体管、电连接到晶体管的互连结构、以及电连接到互连结构的铁电存储器。铁电存储器包括具有金属氮化物导电材料的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：互连结构，位于衬底上；第一电极，位于所述互连结构上，其中所述第一电极包括金属氮化物导电材料，所述金属氮化物导电材料具有大于金属浓度的氮浓度；铁电层，位于所述第一电极上，其中所述铁电层包括铁电材料；以及第二电极，位于所述铁电层上，其中所述第二电极包括所述金属氮化物导电材料。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属氮化物导电材料的氮与金属比率在从约1.04到约1.2的范围内。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属氮化物导电材料包括氮化钛、氮化钽、氮化铪、氮化锆、氮化钒和氮化钪中的至少一种。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属氮化物导电材料包括(111)晶向和(200)晶向，并且其中，所述(111)晶向的第一强度与所述(200)晶向的第二强度的比率在从约1.6到约2.0的范围内。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极包括在所述互连结构上具有第一宽度的第一部分和在所述第一部分和所述铁电层之间具有第二宽度的第二部分，所述第二宽度大于所述第一宽度。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：林子羽，张耀文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：