半导体器件及其制造方法技术

本申请的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括电容器，该电容器具有第一导体板、第二导体板和插入在其间的介电层的部分。半导体器件包括与第一导体板电接触的多个第一接触结构。半导体器件包括与第二导体板电接触的多个第二接触结构。多个第一接触结构和多个第二接触结构以棋盘图案横向布置，从而使得多个第一接触结构中的每个由多个第二接触结构中的相应四个第二接触结构围绕。绕。绕。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体集成电路产业在过去几十年经历了快速增长。半导体材料和设计的技术进步已经产生了越来越小和越来越复杂的电路。随着与加工和制造相关的技术也经历了技术进步，这些材料和设计的进步已经成为可能。在半导体发展过程中，随着可以可靠创建的最小组件尺寸的减小，增加了每单位面积互连器件的数量。

技术实现思路

[0003]根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：电容器，具有第一导体板、第二导体板和插入在其间的介电层的部分；多个第一接触结构，与第一导体板电接触；以及多个第二接触结构，与第二导体板电接触；其中，多个第一接触结构和多个第二接触结构以棋盘图案横向布置，从而使得多个第一接触结构中的每个由多个第二接触结构中的相应四个第二接触结构围绕。
[0004]根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：多个晶体管，沿着衬底的主表面形成；多个金属化层，设置在多个晶体管上方；电容器，设置在多个金属化层中的第一金属化层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：电容器，具有第一导体板、第二导体板和插入在其间的介电层的部分；多个第一接触结构，与所述第一导体板电接触；以及多个第二接触结构，与所述第二导体板电接触；其中，所述多个第一接触结构和所述多个第二接触结构以棋盘图案横向布置，从而使得所述多个第一接触结构中的每个由所述多个第二接触结构中的相应四个第二接触结构围绕。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述四个第二接触结构中的两个与对应的所述第一接触结构沿着第一横向方向间隔开第一距离，并且所述四个第二接触结构中的另外两个与对应的所述第一接触结构沿着垂直于所述第一横向方向的第二横向方向间隔开所述第一距离。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述多个第一接触结构中的每个与所述多个第一接触结构中的紧邻的一个第一接触结构间隔开第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二距离等于所述第一距离的两倍的平方根。5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：多个第一导体结构，通过所述多个第一接触结构电连接到所述第一导体板；和多个第二导体结构，通过所述多个第二接触结构电连接到所述第二导体板。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一导体板和所述第二导体板插入在所述多个第一导体结构和所述多个第二导体结构之间。7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个第一导体结构设置在第一金属化层中，并且所述多个第二导体结构设置在第二金属化层中，所述第二金属化层设置在所述第一金属化层之上，并且其中，所述介电层插入在所述第一金属化层和所述第二金属化层之间。8.根据权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨忠杰，彭永州，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：