【技术实现步骤摘要】
本技术的实施例涉及一种封装件，且特别是涉及一种包括顶部和底部部分的管芯的封装件。
技术介绍
1、半导体装置用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数字相机和其他电子设备。半导体装置通常通过依序地在半导体衬底上沉积材料的绝缘层或介电层、导电层和半导体层，并使用光刻图案化各种材料层以在其上形成电路构件和组件来制造。通常在单一半导体晶片上制造数十个或数百个集成电路。通过沿着划线切割集成电路来分割单个管芯。举例来说，单独的管芯随后单独封装在多芯片模块或其他类型的封装件中。
2、半导体行业通过不断减少最小特征尺寸来持续提高各种电子构件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容等)的集成密度，从而允许将更多构件集成到给定的面积中。
技术实现思路
1、本技术的实施例提供一种封装件，其包括在晶片之上并接合到所述晶片的第一管芯、延伸穿过晶片的一部分的衬底通孔及在晶片的背侧上的重布线结构。第一管芯的第一介电层直接接合到晶片的第二介电层，其中第一管芯包括底部部分及侧向地延伸超过第一管芯的底部部分的侧壁达5微米的宽度的顶部部分，其中第一管芯的底部部分的角落区包括第一侧壁、连接到第一侧壁的第二侧壁及第三侧壁，第一侧壁与第二侧壁之间的第一角度大于90度。重布线结构通过衬底通孔电性连接到第一管芯。
2、本技术的实施例的封装件还包括封装衬底，其使用导电连接件耦合到重布线结构。封装衬底包括衬底芯及接合垫，其在衬底芯之上并电耦合到导电连接件。封装件还包括底部填充剂，其在封装衬底与晶片之间并包围导电连接
3、基于上述，通过将顶部管芯接合到底部管芯以提供3d集成芯片(3dintegratedchip，3dic)封装件。本文的实施例可允许对具有更厚的晶片进行单体化，同时仍使用等离子体切割工艺。因此，经单体化的半导体管芯与底部管芯之间的接合得到改善，并且增强了装置的可靠度。
4、为让本技术的实施例的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
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1.一种封装件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装件，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的封装件，其特征在于，其中所述封装衬底包括：
4.根据权利要求2所述的封装件，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的封装件，其特征在于，其中所述第一管芯的所述底部部分的高度在10微米到50微米的范围内。
6.根据权利要求1所述的封装件，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的封装件，其特征在于，其中所述第一管芯的所述顶部部分的顶部表面与所述模塑化合物的顶部表面共面。
8.根据权利要求1所述的封装件，其特征在于，其中所述第一管芯的所述底部部分的所述第一侧壁和所述第一管芯的所述底部部分的所述第二侧壁之间的所述第一角度在130度到140度的范围内，其中所述第一管芯的所述底部部分的所述第一侧壁与所述第一管芯的所述底部部分的所述第三侧壁之间的第二角度在130度至140度的范围内。
9.根据权利要求1所述的封装件，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的
...【技术特征摘要】
1.一种封装件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装件，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的封装件，其特征在于，其中所述封装衬底包括：
4.根据权利要求2所述的封装件，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的封装件，其特征在于，其中所述第一管芯的所述底部部分的高度在10微米到50微米的范围内。
6.根据权利要求1所述的封装件，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的封装件，其特征在于，其中所述第一管芯的所述顶部部分的顶部表面...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴志伟，邱文智，施应庆，苏安治，杨青峰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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